1、一种空心导电柱、应用该导电柱的电源及导电柱生产工艺
[简介]：本技术提供了一种空心导电柱，包括采用导电材料的呈杆状的主体，主体内部设置有空腔，空腔于主体一端开口。一种应用空心导电柱的电源，包括外壳、空心导电柱、主控板，所述外壳内具有一安装腔，所述主控板位于安装腔内，主体安装在外壳侧壁上，设置有开口的一端位于外壳内，另一端延伸到外壳外，有开口的一端与主控板电连接。一种空心导电柱的生产工艺，包括以下步骤：下料，将金属棒料按设定长度切断；钻孔，在切断完的金属棒料中心位置钻孔；冷镦成型，将钻孔完的金属棒料放入到凹凸模具中冷镦成型。主体内部设置空腔可以降低材料的使用，节省材料成本，进而可降低电源的整体制造成本，上述结构的主体可以通过冷镦一次成型，生产效率非常高。
2、导电柱及具有该导电柱的电子装置
[简介]：本技术提供了一种导电柱及具有该导电柱的电子装置，该电子装置包括一导电柱及一电路板，该导电柱设置于该电路板上，该导电柱具有一楔形面，以便该导电柱在受到外力的撞击下由该楔形面断裂。
3、内锥插拔式终端导电柱安装装置及安装方法
[简介]：本技术提供了一种内锥插拔式终端导电柱安装装置，包括顶板、螺栓和固定板；顶板和所述的固定板通过螺栓连接；顶板包括端板和与端板连接的顶环；端板上设置有螺栓孔；所述的固定板包括固定板本体、螺纹孔、中心孔和槽；所述固定板本体内设置有用于容纳导电柱、芯内套和导体的空间；所述固定板本体在其底部的中心位置设置有中心孔，固定板本体的顶部设置有螺纹孔，所述固定板本体的侧壁设置有槽。本技术结构设计合理，拆装方便，通过顶板、固定板和螺栓相互配合，拧紧螺栓来安装导电柱，可重复使用；相比之前的工装，更加省时省力，广泛应用于中压电缆内锥插拔式终端导电柱安装。
4、一种钢/铝复合导电柱的半连续铸造方法
[简介]：一种钢/铝复合导电柱的半连续铸造方法，涉及电解铝生产技术领域。具体而言为：利用小型模具浇注出高度不超过30cm的短钢/铝复合体；然后对短钢/铝复合体的铝端进行机加工，加工深度控制在5~10cm；将加工好的短钢/铝复合体装配到半连续铸造机的牵引头上，钢头一端与牵引头接触，保持短钢/铝复合体垂直通过半连续铸造机结晶器；生产过程中，从一端引入铝水，从溢流槽缓慢放出铝水，观察短钢/铝复合体铝端的熔化情况；当铝端熔化至机加工的深度时，调整铝水温度至690~710℃，用柱塞堵塞溢流槽，并启动牵引装置，边引入铝水边牵引，直至铝杆达到指定长度。本技术使得钢/铝结合部分预先成形，避免了界面部分的急剧冷却，有效避免了界面裂纹等缺陷的产生。
5、一种制作钢/铝复合导电柱的方法
[简介]：本技术涉及一种制作钢/铝复合导电柱的方法，具体而言就是涉及一种通过控制钢头尺寸并对钢头表面采用浸镀液进行处理，最终利用液态铝与固态钢复合获得钢/铝复合导电柱的方法。在钢头设计过程中，保证钢/铝复合部分的同一高度上钢的面积与铝的面积比为1∶(1.5~2.6)；在钢头底部焊接加强筋；钢头需要与铝水接触的部分在浇注铝水前进行脱脂、除锈和氟锆酸钾水溶液表面预处理；表面预处理后的钢头在400~450℃加热25~35min，铝水的浇注温度控制在750~800℃；铝水浇注好以后，铝杆部分的冷却速率控制在10~40℃/min，以防止铝发生剧烈收缩，避免界面开裂现象。本技术可以明显提高钢/铝复合导电柱的结合强度和使用寿命。
6、具有衬底和导电柱的装置
[简介]：一种装置包括衬底，所述衬底包括导电结构并且具有与第二表面相反的第一表面。导电柱构建在所述导电结构中的至少一个之上并且与该至少一个电耦合。集成电路设置在所述第一表面之上并且电耦合到所述导电结构。模制化合物形成在所述衬底的所述第一表面之上。
7、修改芯片封装体上的载球层的方法
[简介]：本技术提供一种半导体装置的晶圆级芯片尺寸封装体、其导电柱的制造及修改其上载球层的方法，该芯片尺寸封装体包含：衬底；多个钉状导电柱，从上述衬底的表面延伸；以及多个软焊料球状物，其中每一个上述软焊料球状物与上述钉状导电柱的其中之一连接。当需要使用不同尺寸的软焊料球状物时，上述半导体的返工可仅需要除去与取代上述钉状导电柱的钉头部，而可减少返工的费用。借助本技术，当软焊料球状物的尺寸与钉状导电柱的现有钉头部的尺寸不合时，仅需修改钉状导电柱的钉头部，当软焊料球状物的尺寸影响接点阵列的植球时，可用较少的工艺步骤进行对应的结构修改，并可节省成本。
8、导电柱结构
[简介]：本技术涉及半导体器件的凸块结构。半导体器件的示例性结构包括衬底；在衬底上延伸的、在接触焊盘上具有开口的钝化层；和在钝化层的开口上方的导电柱，其中，导电柱包括与衬底基本垂直的上部和具有锥形侧壁的下部。
9、基于Si导电柱的圆片级封装方法及其单片集成式MEMS芯片
[简介]：本技术提供了一种基于Si导电柱的圆片级封装方法及其单片集成式MEMS芯片，该方法包括MEMS圆片形成、待键合ASIC圆片形成、单片集成式MEMS圆片形成、Si导电柱形成和单片集成式MEMS芯片形成几个步骤。本技术的芯片由MEMS圆片和待键合ASIC芯片键合而成，盖板的上腔体与ASIC芯片的下腔体和MEMS结构层围成密封腔，MEMS结构位于密封腔内；盖板与MEMS结构层间有盖板绝缘层，盖板上有导电柱，导电柱连接金属焊块和导电塞；待键合ASIC圆片包括金属密封层、第一金属层和第二金属层，第一金属层与第二金属层电连接，位于密封腔内的第二金属层作为下电极，来感应MEMS结构的运动。该方法操作简单，制得的芯片体积小、成本低，环境干扰信号和封装应力对MEMS器件性能影响小。
10、垂直导电柱式电传系统
[简介]：垂直导电柱式电传系统，该系统属于活塞往复式发动机技术领域，具体涉及一种通过安装在活塞和发动机气缸体上的导电柱电刷结构来完成活塞上电控部件的高电平信号或非0v电压的传输。本技术可分为活塞部分和发动机机体部分。本技术的实现方式为在活塞上安装电刷，在气缸体上安装与活塞轴向平行的导电柱，通过电刷与导电柱之间的接触实现电信号传递。本技术中解决了发动机机体与曲轴之间以及曲轴与连杆之间这种存在相对连续单方向高速旋转的零件之间的电信号传递。本技术结构简单，零件加工精度要求、加工难度低，所有额外零件仅需由螺栓固定即可，安装简便。本技术应用广泛，适用于汽油、柴油、天然气、液化石油气等多种燃料的发动机。
11、包含在基板上的导电柱状结构的锂电池集电体
12、一种高度可控的导电柱背部露头的形成方法
13、导电柱组件组装机构
14、导电柱的形成方法、封装结构及封装方法
15、具有到单个导电柱的一对存储器单元串的存储器阵列
16、横越多个导电柱的平坦化的半导体构造和方法
17、具有从地平面和/或从至少一个辐射元件延伸的导电柱的平面天线、及对应的生产方法
18、半导体管芯与导电柱的形成方法
19、导电柱点接触式防XX电容器
20、具有导电柱的插座连接器组件
21、一种手电筒及其导电柱
22、具微细导电柱的半导体元件及其制造方法
23、半导体装置及其制造方法以及导电柱
24、陶瓷封装基板的导电柱制造方法
25、一种内锥插拔式终端导电柱卸装工具
26、一种采用金属导电柱的扇出型堆叠封装结构及其配方技术
27、一种用于连接导电柱的柔性桥接板
28、大功率晶闸管导电柱和门极线焊接夹具
29、导电柱组件工装
30、制作电路板导电柱的方法、系统以及电路板
31、用于集成电路封装的导电柱保护
32、内凹式导电柱的电路板结构及其制作方法
33、形成具有扩展基底的导电柱的半导体器件和方法
34、用于导电柱的系统和方法
35、一种基于导电柱的电润湿显示器件及其配方技术
36、一种导电柱塞
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,内容都包括具体的生产制作过程，收费200元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263
