1 一种确定光刻工艺节点禁止周期的方法及仿真方法
简介：本技术涉及确定光刻工艺节点禁止周期的方法及仿真方法，属于半导体光刻技术领域，解决了方法存在所找出的禁止周期不准确，无法有效指导版图设计规则的制定，并且在光刻阶段无法判断个别图形光刻质量差的原因的问题。确定光刻工艺节点禁止周期的方法，包括如下步骤：获取测试图形；设置第一光源及仿真参数，利用软件进行仿真；分析仿真结果，做出第一曲线，找出第一曲线中明显低于其他值的周期范围(第一周期范围)；设置第二光源及光源参数，作出第二曲线；找出第二曲线中明显低于其他值的周期范围(第二周期范围)，结合第二周期范围与第一周期范围，来共同确定禁止周期范围。本技术实现了简单、高效、准确地确定该技术节点下的禁止周期。
2 一种光刻用多功能石英载体及其加工工艺
简介：本技术提供一种光刻用多功能石英载体的加工工艺，该石英载体包括内缸与外缸，所述内缸与外缸固定焊接为一体，所述内缸尺寸小于外缸，内缸与外缸之间形成封闭夹层，所述内缸包括第一内侧板、第二内侧板、第三内侧板、第四内侧板、内底板，所述第一内侧板、第二内侧板、第三内侧板、第四内侧板与所述内底板固定焊接为一体，所述外缸包括第一外侧板、第二外侧板、第三外侧板、外底板，所述第一外侧板设置两个，且两个第一外侧板与第二外侧板、第三外侧板及外底板固定焊接为一体。
3 光刻站点三层薄膜堆叠结构片返工工艺方法
简介：本技术提供了一种光刻站点三层薄膜堆叠结构片返工工艺方法，包括步骤：步骤一、在晶圆上依次形成ODL层、SHB层和PR层；步骤二、在形成各层薄膜的过程中或者形成PR层并进行显影之后进行检查，如果检查出现问题，则进行后续步骤三；步骤三、返工工艺包括分步骤：步骤31、进行去除PR层的工艺；步骤32、进行去除SHB层的工艺；步骤33、进行去除ODL层的工艺；步骤二中如果检查到ODL层出现问题，则在形成SHB层之前进行返工工艺，对步骤31和步骤32进行设置，保证步骤31完成之后在晶圆表面保留有ODL层，使得在进行步骤32中对晶圆进行保护。本技术能避免在中间的SHB层形成之前进行返工时对晶圆表面产生损伤，从而能防止由此造成的晶圆报废。
4 一种基于多目标优化的光刻工艺分辨率增强方法及装置
简介：本申请涉及半导体生产的光刻工艺技术领域，具体而言，涉及一种基于多目标优化的光刻工艺分辨率增强方法及装置。本申请提供一种基于多目标优化的光刻工艺分辨率增强方法，包括以下步骤：通过划分多个圆重叠的方法得到照明光源的区域划分用于优化光源；确定亚分辨率辅助图形SRAF位置变量的初始位置用于优化掩膜；使用实数编码的方法建立优化变量的种群；对种群中单一染色体通过计算光刻模型确定多目标优化策略的评价标准函数；使用遗传进化算法对当前种群重复进行“评价‑选择‑交叉‑变异”计算，获得评价标准函数的迭代更新；通过解码最终种群得到多目标优化策略的解集帕累托支撑解。
5 光刻工艺方法
简介：本技术提供了一种光刻工艺方法，包括步骤：提供产品晶圆，测量光刻胶涂布之前的曝光面内的第一表面高度分布；涂布光刻胶，测量曝光面内的第二表面高度分布；将曝光面分成n个曝光子区域并计算各曝光子区域中光刻胶的第三厚度值；提供n片测试晶圆并涂布对应的第三厚度的光刻胶；对各测试晶圆进行曝光；测量各测试曝光图形的线宽得到对应的基准图形线宽并计算各曝光子区域的曝光图形线宽差异；将各曝光图形线宽差异转换为产品掩模板上的设计图形线宽差异；制作产品掩模板，加入设计图形线宽差异进行线宽补正；对产品晶圆涂布光刻胶、曝光和显影。本技术能减少或消除由于晶圆曝光面内表面形貌不平整产生的曝光图形线宽差异，提高产品线宽均匀性。
6 光刻工艺方法
简介：本技术提供了一种光刻工艺方法，包括步骤：步骤一、计算光刻工艺中曝光的最佳焦距和聚焦深度；步骤二、在第一晶圆上涂布第一光刻胶，第一光刻胶的厚度大于聚焦深度；步骤三、从第一光刻胶的底部开始进行多次曝光，最后一次曝光之前的各次曝光分别处理第一光刻胶中的厚度为DOF的一子层且各子层从第一光刻胶的底部到顶部依次叠加，各子层的叠加厚度小于第一光刻胶的厚度且在第一光刻胶的顶部形成剩余的最顶子层，最顶子层的厚度小于等于DOF，最后一次曝光实现对最顶子层的处理；步骤四、对第一光刻胶进行显影。本技术能增加厚光刻胶制程的聚焦深度，提高分辨率和工艺窗口。
7 利用光刻、电铸工艺制作微透镜阵列的方法
简介：本技术提供了一种利用光刻、电铸工艺制作微透镜阵列的方法，先将光刻胶板进行光刻，然后将此光刻胶板进行电铸复制，将电铸所得的镍板再进行电铸复制，得到镍工作板；将镍工作板黏贴于玻璃板上，再在具有蜂窝状结构的镍工作板的表面涂覆一薄层紫外固化胶，用抽真空的方法，让紫外固化胶完全充满蜂窝结构的空腔内；每个蜂窝腔内的紫外固化胶的液面就会成为具有曲率半径的球面，将此固化后的紫外固化胶的微透镜阵列镍工作板进行电铸复制，得到镍模板，大批量地复制生产微透镜阵列。本技术的方法采用比较简单的工艺流程来制作微透镜阵列，其简化工艺，降低成本，缩短制作流程。
8 形成用于EUV光刻工艺的抗蚀剂底层膜的涂料组合物
简介：形成用于EUV光刻工艺的抗蚀剂底层膜的涂料组合物。提供了一种由化学式(1)表示的单体：其中X、Y和Z与说明书中描述的相同，以及一种包含衍生自所述单体的重复单元的聚合物。
9 一种光刻半导体加工工艺
简介：本技术提供了一种光刻半导体加工工艺，由以下加工工艺步骤组成，其工艺步骤包括干燥、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、腐蚀与去胶等，所述涂胶工艺在石英表面溅射一层铬层，在铬层上旋涂一层电子束光刻胶，利用电子束直写技术将图形转移到电子束光刻胶层上，本技术中在进行光刻膜的操作的过程中，通过使用丙烯酸酯聚合物作为粘合剂，有效加强丙烯酸酯单体化学稳定性，同时在光刻膜的过程中通过利用合成光引发剂，加强光触变性，从而使得光刻效率及精细性得到稳定，这样避免了光刻之后的产品出现不合格的现象，这样解决了现有的光刻半导体方法由于粘合剂不稳定导致该光刻膜半导体的化学稳定性不足的问题。
10 一种新型光刻显影工艺
简介：本技术提供了一种新型光刻显影工艺,包括以下步骤：A、准备显影槽，在显影槽中装入显影液；B、将硅片装在花篮中，并将花篮浸泡在显影槽中；C、进行显影；D、取出显影完成的硅片，并烘干处理，本技术在显影槽的槽底部安装S型N2整体管道，在2整体管道上每隔3cm打一个直径0.5mm的小圆孔，同时通入N2鼓气圆孔，N2鼓气圆孔的压力控制在0.3‑0.5psi，本技术加强液体的流动性，改善显影效果，同时延长液体的使用寿命。
11 光刻工艺方法和双大马士革工艺方法
12 一种环氧树脂高频电缆端头激光刻字工艺
13 确定光刻工艺窗口的方法
14 浸没式光刻工艺中晶圆表面残水缺陷的改善方法
15 光刻工艺方法
16 用于定义光刻图形侧壁形貌的光刻工艺方法
17 光刻工艺的扩张补偿的确定方法、装置及器件的制造方法
18 一种矩阵式UV光刻工艺制作Thermal Pad类型产品的方法
19 一种光刻玻璃复制胶片图像的生产工艺
20 光刻叠对校正以及光刻工艺
21 用于借助于转换模型分析光刻工艺的元件的装置及方法
22 光刻工艺中曝光后烘烤的最佳温度的选取方法
23 光刻工艺监测方法
24 一种适用于光刻工艺铜制程的无氟酸性刻蚀液及配制方法
25 一种基于I-line和EBL制作T形栅的光刻工艺、T形栅和晶体管
26 一种应用于OGS触摸屏的光刻胶及其光刻工艺
27 光刻胶去除方法及铝制程工艺方法
28 增强半导体器件离子注入光刻工艺窗口的方法
29 光刻胶剥离工艺中改善器件均一性的方法
30 一种PCB板的UV LED冷光源投影光刻机及工艺
31 一种优化光刻工艺参数的方法
32 用于半导体封装工艺的负性光刻胶
33 一种UV模具版光刻制作工艺
34 一种减少深亚微米光刻工艺球状缺陷的方法
35 集成电路用光刻胶及其光刻工艺
36 芯片用光刻胶及光刻工艺
37 全息镭射光刻纸与特种幻彩印刷工艺结合的防伪方法
38 一种多晶层光刻工艺热点查找方法
39 进行光刻工艺的方法
40 一种由光刻工艺制备的印刷对数周期天线
41 激光刻划机及其工艺能力的评测方法
42 一种激光光刻法PCB线路图形转移和成型工艺
43 一种激光光刻法PCB阻焊图形转移和成型工艺
44 用于光刻工艺的基底、计量设备和相关联的方法
45 光刻工艺方法
46 一种光刻工艺中对基板进行抛光的方法
47 一种光刻工艺热点的检查方法
48 一种晶圆光刻胶及金属剥离工艺中的防雾气外溢装置
49 对准光刻掩膜板的方法和在半导体材料的晶圆中制造集成电路的相应工艺
50 一种半导体集成电路制造中光刻工艺的优化调度方法
51 一种晶圆片光刻工艺
52 一种剥离液再生工艺段的光刻胶去除方法
53 一种发光二极管芯片制造的光刻工艺中的显影装置
54 一种基于光刻工艺的液晶盒及配方技术
55 一种基于透明柔性薄膜材料的曲面光刻工艺
56 光刻胶涂布工艺中的晶圆清洗方法及装置
57 一种激光刻蚀PCB电路板线路图形加工工艺
58 一种用于实现改善纳米级光刻工艺性能的喷嘴
59 HKMG工艺中离子注入层的光刻工艺方法
60 用于优化光刻工艺的方法和装置
61 拼接式光刻制作工艺的光掩模、半色调光掩模及其制法
62 在压印光刻工艺中配置光学层
63 一种采用激光刻蚀形成电路与图形的电路板加工工艺
64 一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法
65 一种光刻胶回刻蚀工艺中改善晶圆表面颗粒缺陷的方法
66 用于GPP工艺的光刻胶、配方技术及其光刻工艺
67 用于GPP工艺的光刻胶、配方技术及其光刻工艺
68 锂离子电池壳体激光刻字自动化工艺装置
69 一种在光刻机上实现4英寸GaN圆片曝光工艺的方法
70 光刻胶去除工艺的测试方法
71 一种砷化镓晶圆的光刻工艺
72 一种用于光刻图形工艺的光刻对准方法
73 一种基于光刻胶的MMIC芯片背面划片道制作工艺
74 一种减少光刻胶剥离工艺对器件性能影响的方法
75 一种减少极紫外光刻工艺中掩膜版颗粒污染的装置及方法
76 一种光刻胶、配方技术及其光刻工艺
77 一种玻璃的光刻腐蚀印刷工艺
78 一种GPP芯片光刻工艺用对准版图的设计
79 一种增加高深宽比层次光刻工艺窗口的方法
80 一种通过双重图形技术增加高深宽比光刻工艺窗口的方法
81 一种增加高深宽比层次光刻工艺窗口并减小线宽的方法
82 一种新型无掩膜光刻系统及其工艺流程
83 在压印光刻工艺中配置光学层
84 一种高精度ITO光刻工艺
85 光刻工艺热点的整合方法
86 一种用于三维集成工艺的光刻对准方法
87 光刻工艺的优化方法及其优化系统和光刻方法
88 一种顶层选择栅切线的光刻‑刻蚀工艺方法
89 一种去除光刻胶底膜的工艺方法
90 用于测量由光刻工艺形成在衬底上的结构的量测设备、光刻系统、以及测量由光刻工艺形成在衬底上结构的方法
91 一种硅片光刻版工艺
92 一种GPP生产的光刻版工艺
93 提高光刻工艺中图形关键尺寸的均匀性的方法
94 一种用于UV-LIGA工艺光刻的定位方法
95 一种激光刻度竹木尺及其生产工艺
96 用于预测当光刻工艺进行时使用掩模获得的成像结果的方法与设备
97 一种基于双层光刻胶工艺的二维材料场效应管制造方法
98 一种GPP芯片制造的光刻工艺
99 消除光刻工艺过程中显影残留的方法和显示面板的制作方法
100 一种通过预补值来快速建立光刻工艺条件的方法
101 可光固化的聚合物、可光固化的聚合物组合物和包括其的光刻工艺
102 实现更小线宽的光刻工艺
103 使用旋转光束激光刻划工艺及等离子体蚀刻工艺的混合式晶片切割方法
104 光刻工艺
105 预图案化光刻模板、基于使用该模板的辐射图案化的工艺及形成该模板的工艺
106 控制图案化工艺的方法、光刻设备、量测设备光刻单元和相关联的计算机程序
107 用于提供用于极紫外线光刻工艺的非对称光瞳配置的方法
108 用于产生晶片结构的光刻工艺的仿真的方法和装置
109 一种改善光刻工艺的方法
110 光刻胶工艺工具及其清洗用的杯状清洗盘和方法
111 用于半导体光刻工艺的保护膜设备
112 用于后段工艺(BEOL)互连制造的表面对准光刻图案化方式
113 一种采用光刻工艺在基材表面制作CD纹的方法
114 用于化学铣削工艺制作镀金铜带微连接线的光刻掩膜版
115 减少光刻湿法腐蚀钻蚀的工艺方法
116 CMOS图像传感器深P型阱层的光刻工艺方法
117 一种适用于表面纹理的3D光刻工艺
118 一种光刻工艺窗口的测量方法
119 一种在晶圆光刻工艺中与接触式光刻机配合使用的光刻板及其应用方法
120 光刻工艺中光学临近修正方法
121 一种光刻胶的涂胶工艺
122 一种检测光刻工艺曝光前晶圆背面水平度的方法及装置
123 一种双面异型光刻ITO通道制作工艺方法
124 一种双重曝光的光刻工艺方法
125 减少光刻工艺中掩模版的加热和/或冷却的影响的方法
126 一种光刻工艺优化方法
127 测量光刻工艺参数的方法和设备、衬底以及该方法中使用的图案化装置
128 测量光刻工艺套刻精度的方法及掩膜版
129 一种基于负光刻胶的高密度空心微针阵列及其制造工艺
130 一种厚胶光刻工艺
131 一种TFT阵列半曝光光刻工艺
132 改善闪存浅槽嵌壁工艺缺陷的双光刻处理方法
133 一种活塞杆表面激光直写光刻微织构工艺
134 一种改善光刻胶封装工艺的方法及光刻机系统
135 一种用于光刻涂胶工艺手动定位晶圆的辅助工具及其定位方法
136 针对版图设计数据改版的光刻工艺的友善性检查方法
137 光刻设备和光刻工艺中的方法
138 化学机械抛光工艺后光刻对准标记的制作方法
139 光刻工艺和材料
140 光刻工艺方法
141 一种高耐热光刻胶组合物及其使用工艺
142 一种半导体基板光刻工艺
143 光刻图案化工艺和在其中使用的抗蚀剂
144 用于光刻工艺的护膜组件的制造方法及掩模护膜系统的形成方法
145 一种光刻工艺对准方法
146 适用于圆片光刻工艺的感应装置
147 具有多个柱的电子束光刻工艺
148 一种针对多晶硅层光刻版图的工艺热点检查方法
149 光刻工艺曝光焦距的监测方法
150 一种高效剥离光刻胶掩膜的光刻工艺方法
151 一种光刻胶模具的制备工艺
152 一种光刻工艺的曝光后烘烤方法
153 一种引入套刻误差的光刻工艺规则检查方法
154 应用于双层外延工艺的光刻对准标记的制作方法
155 厚外延工艺中光刻对准标记的制作方法
156 一种印制低图案密度部件的极紫外线光刻工艺
157 氧化硅层清洗工艺及改善阱注入前光刻残留的方法
158 外延工艺中光刻标记的制作方法
159 具有增强的覆盖质量的光刻工艺和系统
160 光刻方法及其应用工艺
161 两次外延工艺中光刻对准标记的制作方法
162 BM工艺光刻胶绝缘减少针孔短路的制作方法
163 用于光刻工艺的辅助部件
164 用于对借助于立体光刻工艺制造的对象的支承元件的开发点进行限定的改进的计算机实施方法
165 版图光刻工艺友善性检查方法
166 一种用于GPP工艺中混合玻璃粉用负性光刻胶组合物
167 一种用于玻璃钝化整流芯片工艺中不含光敏剂的光刻胶组合物及其应用
168 一种IGBT深沟槽光刻工艺
169 闪存产品自对准光刻工艺测试方法
170 一种电子束和多重图案光刻混合工艺版图图案分解方法
171 使用光刻-冷冻-光刻-蚀刻工艺的细长接触件
172 一种电子束和双重图案混合光刻工艺版图图案分解方法
173 一种光刻工艺热点的自动修复方法
174 光刻版设计方法及光刻工艺中不同光刻机的匹配方法
175 一种应用于晶硅太阳能电池的光刻工艺
176 远紫外光刻工艺和掩模
177 远紫外线光刻工艺和掩模
178 用于栅极图案化的合并光刻工艺
179 光刻胶去除方法和光刻工艺的返工方法
180 实现稳定的GaAs深紫外图形光刻工艺的方法
181 用于光刻叠对制作工艺的非对称补偿方法
182 光刻胶的涂胶工艺
183 浸没式光刻工艺方法
184 一种在线确定光刻工艺窗口的方法
185 离子注入工艺后的光刻胶层的去除方法
186 氨气浓度侦测方法和控制光刻工艺中图形CD的方法
187 增强光刻工艺窗口的光学邻近修正方法
188 光刻方法以及工艺腔室
189 具有吸光层的感光层结构与使用感光层结构的光刻工艺
190 一种提高光刻工艺窗口的版图处理方法
191 提高光刻工艺窗口的光学临近修正处理方法
192 一种疏水表面光刻工艺
193 采用光刻胶剥离制备斜坡状边缘金属膜的工艺方法
194 用于在半导体器件制造中实施光刻工艺的系统和方法
195 光刻工艺中的曝光场的尺寸选择方法
196 一种无机相变光刻胶和基于无机相变光刻胶的光刻工艺
197 用于背面光刻工艺的对准标记及其对准方法
198 一种激光刻蚀制绒工艺
199 一种硅基片或陶瓷基片的柔性机械光刻剥离工艺方法
200 光刻工艺的曝光方法及系统
201 一种用于芯片的光刻胶剥离液、配方技术及去胶工艺
202 提高多层布线通孔光刻工艺容宽的方法
203 一种改善用于Al2O3介质层上的光刻工艺的方法
204 光刻工艺图形缺陷检测方法
205 一种检测光刻工艺中电荷损伤的方法
206 一种版图设计光刻工艺友善性检测方法
207 基于规则图形过滤的版图设计光刻工艺友善性检查方法
208 光刻胶去除方法和光刻工艺返工方法
209 在第一次光刻工艺中对准方形晶圆的方法
210 用于光刻工艺的掩膜及其制成的图形
211 一种ITO薄膜、银浆薄膜激光刻蚀加工工艺
212 光刻工艺的显影方法
213 用于监控集成电路工艺中多晶硅层光刻对准偏差的装置
214 一种用于对TCO层进行激光刻蚀后的基板玻璃的清洗工艺
215 一种用于对经过激光刻蚀清边后TCO基板玻璃的清洗工艺
216 一种三重曝光光刻工艺的版图图案分解方法
217 一种薄膜晶体管及其制造方法、光刻工艺
218 一种新型的光刻胶剥离液及其应用工艺
219 一种正型光刻胶组合物及正型光刻胶显影工艺
220 光刻返工刻蚀工艺
221 增强光刻工艺能力的装置及利用该装置进行的光刻工艺
222 一种准确和定量的缺陷检测确认光刻工艺窗口的方法
223 增强光刻工艺能力的系统及方法
224 增强光刻工艺能力的系统及方法
225 提高光刻工艺能力的系统及方法
226 检测光刻工艺与薄膜沉积工艺契合度的方法
227 使用溶剂显影光刻工艺用的用于形成有机下层膜的组合物的半导体装置制造方法
228 一种真空干燥装置及光刻工艺
229 极紫外光刻工艺和掩膜
230 一种光刻沟槽覆盖工艺
231 光刻返工去胶工艺
232 光刻掩模修复工艺
233 一种简化的钨钛合金薄膜光刻工艺
234 供极远紫外线光刻工艺期间使用的薄膜
235 防止光刻胶在湿法刻蚀中产生缺陷的工艺方法
236 防止光刻胶在湿法刻蚀中产生缺陷的工艺方法
237 防止光刻胶在湿法刻蚀中产生缺陷的工艺方法
238 防止光刻胶在湿法刻蚀中产生缺陷的工艺方法
239 防止光刻胶在湿法刻蚀中产生缺陷的工艺方法
240 防止光刻胶在湿法刻蚀中产生缺陷的工艺方法
241 一种用于后栅工艺的光刻胶去除方法
242 一种光刻工艺的显影方法
243 一种采用非光刻工艺制备图形化ITO电极的方法
244 光刻工艺参数确定方法及装置
245 极紫外光刻工艺和掩模
246 使用定向自组装的光刻工艺
247 使用定向自组装的光刻工艺
248 用光刻工艺在高定向热解石墨上加工微结构的方法
249 一种用于减少晶片边缘区域曝光散焦的曝光方法及光刻工艺
250 厚铝刻蚀工艺中光刻胶的去除方法
251 STI的制作工艺、沟槽的刻蚀方法和光刻胶的处理方法
252 双硬掩模光刻工艺
253 应用于外延工艺的光刻标记及其制造方法
254 使用红外光源解决外延工艺光刻露光对准的方法
255 包括物体的电脑图形设计在内的用于通过立体光刻工艺生产三维物体的方法
256 一种光刻的前烘工艺
257 同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法
258 一种新的LED光刻显影工艺
259 光刻工艺
260 应用于外延工艺的光刻标记及方法
261 单片玻璃及单层玻璃黑色矩阵的光刻生产工艺
262 一种提高多层整合光罩工艺套准精度的光刻曝光方法
263 步进式重复曝光光刻机的掩模板工件台及曝光工艺
264 厚外延工艺光刻对准标记结构
265 全面式硅外延工艺光刻对准标记的结构及制作方法
266 基于厚胶光刻电铸工艺三维MEMS超级电容器制造方法
267 一种基于紫外光刻工艺的深亚微米刻蚀槽制作方法
268 微纳米透镜片辅助聚光光刻工艺制备有序微纳米结构
269 陶瓷基片双面光刻工艺及结构
270 一种光刻工艺参数测量装置及方法
271 一种用于光刻工艺的溶剂清洗池
272 深沟槽工艺中光刻胶层的形成方法
273 微电机系统制造工艺中聚酰亚胺刻蚀后去除光刻胶的方法
274 薄膜太阳能电池飞秒激光刻蚀工艺
275 薄膜太阳能电池飞秒激光刻蚀工艺过程测控方法
276 光刻工艺分配系统及分配方法
277 一种能消除晶圆表面彩纹的光刻工艺方法
278 基于负性光刻胶和掩膜移动曝光工艺的微透镜阵列配方技术
279 一种光刻胶背面曝光工艺
280 一种制造半导体器件的光刻工艺方法
281 一种新型有机光刻胶剥离液及其制备工艺
282 一种基于负性光刻胶的扩散片光刻工艺方法
283 基于光刻工艺窗口的OPC修正方法
284 同一光刻工艺中不同光刻涂布装置的匹配方法
285 同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法
286 一种光刻机之间的工艺匹配方法
287 图形化衬底工艺用步进光刻掩膜版数据拼接方法和修正法
288 包含碱活性组分的组合物及光刻工艺
289 量子点曝光板及应用所述量子点曝光板的光刻工艺
290 防止研削硅屑沾污晶圆的光刻工艺方法
291 一种非感光性聚酰亚胺光刻工艺方法
292 光刻工艺流程及光刻缺陷的消除方法
293 一种基于普通光刻和氧化工艺的超细线条配方技术
294 光刻工艺集成量测图形以及光刻工艺量测方法
295 一种提高分辨率的光刻工艺
296 用于液晶显示器制造工艺的包含伯烷烃醇胺的光刻胶剥离组合物
297 用于液晶显示器制造工艺的包含伯烷烃醇胺的光刻胶剥离组合物
298 一种适用于光刻工艺的平坦化方法
299 确定光刻工艺窗口的方法
300 一种新型的利用曝光后烘烤的OPC模型检验光刻工艺的方法
301 一种光刻工艺验证方法和系统
302 提高光刻机工艺效率的方法
303 光刻散焦的检测方法、检测系统及光刻工艺的优化方法
304 确定光刻工艺的光源光照强度分布和掩膜版图形的方法
305 利用聚焦与曝光量矩阵确定最佳光刻工艺参数的方法
306 用于微光刻工艺的多相高硅光刻胶成像方法、多相高硅光刻胶及应用
307 一种光刻制版拼版工艺
308 一种高速精密晶硅激光刻蚀的装备和工艺方法
309 光刻胶显影工艺及其装置
310 提高锗硅工艺中光刻对准精度的方法
311 含巯基的低倍多聚硅氧烷化合物及其紫外光刻胶组合物以及压印工艺
312 光刻工艺中自动批量建立层间误差测量程式的方法
313 一种确定光刻工艺的光源光照强度分布的方法
314 光刻工艺的返工方法
315 一种去除半导体工艺中残留光刻胶的剥离液
316 正性光刻胶用显影液及光刻工艺中的显影方法
317 厚光刻胶背面斜入射光刻工艺的三维光强分布模拟方法
318 一种用于厚金属的光刻工艺
319 应用于外延工艺中的光刻套刻标记的配方技术
320 一种用于外延工艺的光刻对准方法
321 光刻工艺的显影方法
322 一种用于MEMS结构的悬架光刻胶平坦化工艺
323 厚胶介质补偿紫外光垂直光刻工艺三维光强分布模拟方法
324 硅凹槽光刻工艺及其适用的光掩膜
325 半导体光刻工艺
326 一种对地形进行平坦化光刻工艺的方法
327 一种光刻套准标记的保护装置及金属溅射工艺方法
328 基于激光刻蚀晶化光学薄膜层的非晶硅薄膜太阳能电池的制备工艺
329 使用阿尔法步进光刻机生产无图案衬底以保证效果的工艺
330 新型透光型非／微叠层硅基薄膜太阳电池激光刻划工艺
331 用于在双重图案化光刻工艺中提供抗蚀剂对准标记的设备和方法
332 基于光刻等微纳制造工艺的植入式生物电极及其配方技术
333 在半导体光刻工艺中进行的对准方法
334 深N阱工艺去除光刻胶的方法
335 扩大金属互连的光刻工艺窗口的方法
336 厚胶紫外光斜入射背面光刻工艺的光强分布模拟方法
337 改善对外部环境敏感的表面光刻工艺控制能力的方法
338 高掺杂注入光刻胶的剥离工艺
339 厚胶介质补偿紫外光斜入射光刻工艺的光强分布模拟方法
340 改善半导体工艺中光刻图案线条边缘粗糙度的方法
341 用于硅衬底湿法刻蚀的直接光刻胶掩膜的光刻工艺方法
342 针对深孔衬底上进行光刻工艺的方法
343 一种提高光刻工艺中焦深的方法
344 用于沟槽工艺改善光刻关键尺寸的方法
345 使用２Ｄ光子光刻和纳米压印来制造亚微米３Ｄ结构的３Ｄ模具及其工艺
346 设计用于校准光刻工艺的模拟模型的测试测规的方法
347 防止光刻工艺中喷嘴内胶液结晶的方法
348 应用光刻胶剥离工艺保护光刻对准标记的方法
349 整合式光刻机台及光刻工艺
350 用于形成微细尺寸结构的半导体光刻工艺方法
351 监测光刻工艺曝光机的能量偏移的方法
352 测量光刻工艺的关键尺寸摇摆曲线的方法
353 光刻工艺中精确对准的校正方法
354 半导体工艺中光刻机台的控制方法及装置
355 光刻刻蚀制作工艺
356 改善快闪存储器制作工艺中光刻胶涂布缺陷的方法
357 使用纳米线掩模的光刻工艺和使用该工艺制造的纳米级器件
358 双栅极氧化层制作工艺中光刻胶层的重做工艺
359 一种光刻工艺中移相掩模版的建模方法
360 光刻设备的对准基准板及其制造工艺方法
361 确定衬底中的缺陷的方法和光刻工艺中曝光衬底的设备
362 具有光刻胶掩模预处理的等离子体工艺
363 无需光刻胶或干蚀刻而形成图案化硬掩膜（ＲＦＰ）的工艺顺序
364 采用双金属镶嵌工艺和压印光刻形成三维存储器阵列中的存储器线和通路的方法和装置
365 在薄膜光伏电池板制造上的激光刻膜工艺方法
366 使用普通喷嘴实现降低阻胶消耗的光刻胶涂布工艺
367 光刻工艺窗口模拟的方法和系统
368 光刻工艺的监控方法及系统
369 光刻工艺中将磁头长形条连接起来的方法及磁头制造方法
370 可有效去除晶圆光刻工艺过程中显影缺陷的显影方法
371 工艺窗发觉检测以及掩模层处光刻印刷问题的校正
372 移除晶圆后侧聚合物和移除晶圆前侧光刻胶的工艺
373 监控光刻工艺的方法与监控标记
374 进行光刻工艺的方法
375 光刻工艺的进行方法
376 晶片背面平坦化的方法及提高光刻工艺线宽一致性的方法
377 衬底支撑件和光刻工艺
378 制作光刻胶图案的工艺
379 光刻工艺的显影方法
380 用于光刻胶剥除和后金属蚀刻钝化的高室温工艺和室设计
381 用于大马士革工艺的光刻掩膜板
382 双重曝光光刻工艺
383 光刻胶的去除方法及光刻工艺的返工方法
384 具有室去氟化和晶片去氟化中间步骤的等离子体蚀刻和光刻胶剥离工艺
385 光刻工艺监测标记用光掩模图案及其应用
386 使用浸没式光刻工艺制造半导体器件的方法
387 一种增强光刻工艺中图形黏附力的方法
388 恢复光刻工艺中横磁波对比度的方法和系统
389 设计掩模版图的方法、系统及传递光刻工艺设计参数的方法
390 一种在光刻工艺中将磁头长形条连接起来的方法
391 在光刻工艺中将磁头长形条连接起来的方法
392 使用浸没光刻工艺制造半导体器件的方法
393 采用旋胶和光刻工艺封装发光二极管的方法
394 用于形成光刻工艺的焦点曝光模型的系统和方法
395 光刻工艺中的光学临近效应补偿方法
396 选择栅格模型以修正工艺配方的方法及其光刻组件
397 使用测试特征检测光刻工艺中的焦点变化的系统和方法
398 用于制造半导体器件的光刻工艺的方法
399 湿浸式光刻工艺的控制方法及其操作系统
400 TFT阵列半曝光光刻工艺
401 堆栈式对准标记与光刻工艺对准方法
402 用于浸渍光刻技术的组合物和工艺
403 用于浸渍光刻技术的组合物和工艺
404 检验相移光掩模的相移角的方法、光刻工艺与相移光掩模
405 用于形成液浸曝光工艺用光刻胶保护膜的材料、以及使用该保护膜的光刻胶图案形成方法
406 应用在湿浸式光刻工艺中的湿浸介质
407 光刻工艺产品的识别方法
408 用于光刻工艺窗口最优化的方法和系统
409 曝光系统及评价光刻工艺的方法
410 用光刻和镀铝膜法制作的三极平板显示器及其制作工艺
411 光刻评价方法和光刻工艺
412 用于深紫外的光刻胶组合物及其工艺
413 计算机模拟光刻工艺的参数拟合方法
414 光刻化学工艺的自适应性热控制
415 校正光刻工艺的方法以及叠合记号的形成方法
416 用于评估光刻中的多次曝光工艺的结果的方法
417 双镶嵌工艺中两阶段去除介层洞光刻胶的方法
418 光刻工艺、压模、该压模的使用以及光学数据存储介质
419 沉浸式光刻装置及使用光刻工艺制造微器件的方法
420 确定最佳工艺窗口的最佳工艺设定的方法,该最佳工艺窗口优化了确定光刻工艺最佳工艺窗?
421 集成电路制造技术中可消除光刻中光刻胶毒化的工艺
422 一种电子束化学增幅正性抗蚀剂及其配方技术和光刻工艺
423 光刻工艺余量的评价方法及测定条件的设定方法
424 光刻胶图案增厚材料，光刻胶图案形成工艺和半导体器件制造工艺
425 在半导体工艺中形成亚光刻开口的方法
426 在半导体工艺中形成亚光刻开口的方法
427 光刻胶图案增厚材料、光刻胶图案及其形成工艺，半导体器件及其制造工艺
428 液晶显示面板前段阵列制造工艺中第一道光刻腐蚀方法
429 应用于掩模式只读存储器编码布植的光刻工艺
430 应用多层光致抗蚀剂层结构的光刻工艺
431 应用于掩模式只读存储器编码注入的光刻工艺
432 用于控制光刻工艺的方法及装置
433 晶片光刻法中显影工艺的改进方法
434 利用普通紫外光深刻层光刻的分离曝光工艺方法
435 减少光刻工艺中光学近接效应偏差的方法
436 多重剂量分区曝光光刻工艺方法
437 高温热流光刻制造方法和提供其工艺裕度的方法
438 半导体工艺中顶层光刻成像的改善
439 采用正负性互用的化学增幅光致抗蚀剂的光刻工艺方法
440 碱性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺
441 酸性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺
442 光刻胶的显影工艺
443 用于光刻工艺的模拟方法
444 真空微电子器件制造中的无版光刻工艺
445 机床刻度环光刻工艺方法
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