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光刻胶剥离液配方工艺技术生产流程

发布时间:2020-05-28   作者:admin   浏览次数:125

1 一种光刻胶剥离系统及光刻胶剥离方法 
   简介:本技术提供了一种光刻胶剥离系统及光刻胶剥离方法,该光刻胶剥离系统依次包括相互连接的剥离腔室、清洗腔室和喷淋腔室。在剥离腔室完成光刻胶剥离后的基板进入清洗腔室,在清洗腔室先采用水刀清洗机构向基板上喷水形成均匀水膜覆盖在基板膜层表面,保证基板膜层表面残留光刻胶的流动性,并且在清洗腔室采用第二喷淋机构向形成有均匀水膜的基板喷水以清洗掉基板上残留的光刻胶和剥离液。因此本技术在剥离腔室之后采用的清洗腔室可以防止从剥离腔室出来后的残留光刻胶和残留剥离液在风干作用下固化,而重新附着在基板表面,造成显示时白点不良的问题。
2 一种光刻胶剥离液废液回收系统 
   简介:本技术涉及一种光刻胶剥离液废液回收系统,包括反应釜、预热器、第一再沸器、常压、负压精馏塔、第一冷凝器、第二冷凝器、第二泵体、加压精馏塔、第二再沸器和第一泵体,所述第一冷凝器和第二冷凝器上均设置有热量回收罩,所述热量回收罩通过热传递管与热量回收装置连接。该光刻胶剥离液废液回收系统,在冷凝器的外部增设有热量回收装置,在加快冷凝器散热速度的同时将冷凝器散发出的热量进行回收利用,大大降低了整个系统的能量散失,同时将反应釜设置成两层,在搅拌过滤形成初级再生液时,可以同时进行两个除杂工序,缩短了加工时间,增加了系统的加工效率。
3 环保型高稳定性面板用水系光刻胶剥离液及其配方技术 
   简介:本技术实施例提供了环保型高稳定性面板用水系光刻胶剥离液及其配方技术,制备所述环保型高稳定性面板用水系光刻胶剥离液的原料包括有机溶剂、有机胺、防腐剂、表面活性剂和去离子水,且各组分的重量份数分别为有机溶剂25~70份、有机胺10~50份、防腐剂0.1~5份、表面活性剂0.1~5份、去离子水10~35份。本技术实施例提供的环保型高稳定性面板用水系光刻胶剥离液利用有机溶剂、有机胺和去离子水将光刻胶溶解并将其去除,通过将苯并三氮唑、1‑羟基苯并三氮唑、肉桂基咪唑啉和苯并咪唑配合使用能够有效避免在去除光刻胶时可能造成的金属腐蚀问题。通过添加表面活性剂能够降低剥离液的表面张力,使得溶剂在遇到深孔剥离时能将其清洗干净。
4 一种选择性剥离光刻胶制备微纳结构的方法 
   简介:本技术揭示了一种选择性剥离光刻胶制备微纳结构的方法。本技术通过对衬底进行修饰以降低光刻胶与衬底的粘附力,然后在光刻胶上曝光出所需结构的轮廓,再利用黏贴层选择性的把轮廓以外的光刻胶撕走,留下的光刻胶结构便是正型结构,即代替了常规的负胶结构,从而实现正胶负用。
5 一种高效碱性光刻胶剥离液 
   简介:本技术属于化学制剂技术领域,涉及一种高效碱性光刻胶剥离液,配方包括10~20wt%二甲基亚砜,10~20wt%一乙醇胺,5~15wt%四甲基氢氧化铵,0.1~1wt%喹啉类缓蚀剂,0.1~2wt%AEO类表面活性剂和余量的去离子水。本高效碱性光刻胶剥离液具有较快的剥离速度,对金属的腐蚀率低,而且使用寿命长。
6 一种用于叠层晶圆的光刻胶剥离液 
   简介:本技术属于化学制剂技术领域,涉及一种用于叠层晶圆的光刻胶剥离液,配方包括10~20wt%二甲基亚砜,10~20wt%一乙醇胺,5~11wt%四甲基氢氧化铵,0.1~1wt%硫脲类缓蚀剂和0.1~2wt%聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂,5~15wt%N‑甲基吡咯烷酮和余量的去离子水。本用于叠层晶圆的光刻胶剥离液具有较快的剥离速度,对金属的腐蚀率低,而且使用寿命长。
7 光刻胶剥离方法 
   简介:本技术提供了一种光刻胶剥离方法,包括步骤:步骤一、在半导体衬底表面形成消耗层,消耗层的厚度满足后续去胶工艺中由去胶过处理对光刻胶底部的影响都位于消耗层中;步骤二、在消耗层表面涂布光刻胶;步骤三、对光刻胶进行曝光显影;步骤四、以光刻胶的图形结构为掩膜完全器件工艺;步骤五、进行去胶工艺,去胶工艺包括去胶过处理,去胶过处理对光刻胶底部的影响完全位于消耗层中,以消除所述去胶过处理对所述半导体衬底产生不利影响;步骤六、去除所述消耗层。本技术能消除去胶过处理对半导体衬底产生不利影响,提高器件工艺的均一性,在离子注入工艺中,能提高晶圆面内有源区膜质的均一性。
8 一种剥离光刻胶的方法 
   简介:本技术提供了一种剥离光刻胶的方法。在第一剥离阶段,通过向二甲基亚砜加入少量低沸点氯甲烷类物质,在50‑55℃下浸泡带有光刻胶的晶圆30‑120s,使光刻胶发生溶胀并与基底结合力变弱,低沸点的氯甲烷进入溶胀的光刻胶;紧接着进入第二阶段的剥离,利用强极性的二甲基亚砜和醇胺类的混合溶剂在65‑80℃下浸泡5‑30s,利用突变的较高温度,使第一阶段中进入光刻胶中的低沸点的氯甲烷推动并加速光刻胶与基底的分离进行,并彻底将光刻胶剥离掉;最后进入第三阶段,用同样温度的水清洗晶圆,消除温差产生的膨胀影响。本技术中使用三阶段连续剥离光刻胶的方法,可以较好的避免光刻胶的回粘、减少色差产生,提升半导体器件良率、并缩短下道工艺的准备时间。
9 一种彩色滤光片光刻胶剥离液组合物 
   简介:本技术提供了一种彩色滤光片光刻胶剥离液组合物,属于微电子材料技术领域,关键在于,按质量百分比计,所述的组合物包括以下组分:无机强碱性物质0.5‑45%、有机胺0.1‑50%、极性有机溶剂0.1‑55%、稳定剂0.1‑20%和水30‑99.2%。本技术的组合物具有剥离性能强、剥离时间短、操作温度低以及对玻璃基板腐蚀性小等优点,剥离之后玻璃基板可以重复使用。同时该组合物还具有无毒无腐蚀性、无低沸点有机挥发物、对环境无污染、低泡等特点。
10 一种正型光刻胶剥离液组合物 
   简介:一种正型光刻胶剥离液组合物,涉及功能型微电子材料领域,其按重量百分比计,包括非腐蚀性有机胺0.1‑25%、醇醚溶剂40‑99%、高纯水1‑40%。本技术光刻胶剥离液不含有腐蚀性的强碱,清洗后无光刻胶残留,可直接水洗,不会产生金属层腐蚀。
11 一种改进的环保水系光刻胶剥离液
12 一种光刻胶剥离试验一体机及光刻胶剥离方法
13 剥离晶圆上光刻胶的清洗装置
14 一种光刻胶废剥离液回收装置
15 一种用于显示面板和半导体领域的水基型光刻胶剥离液
16 光刻胶剥离工艺中改善器件均一性的方法
17 一种通用型光刻胶剥离液及其应用
18 光刻胶剥离设备及其剥离方法
19 一种晶圆光刻胶及金属剥离工艺中的防雾气外溢装置
20 一种碱性光刻胶剥离液
21 一种酸性光刻胶剥离液
22 一种剥离液再生工艺段的光刻胶去除方法
23 一种减少光刻胶剥离工艺对器件性能影响的方法
24 一种用于TFT‑LCD显示屏的光刻胶剥离剥离液
25 一种显示屏光刻胶剥离液
26 一种半导体上纳米级尺寸光刻胶的剥离方法
27 一种光刻胶用剥离液及其配方技术和应用
28 两次曝光的光刻胶沉积和金属剥离方法
29 一种光刻胶剥离液
30 用于去除含有背部晶圆金属化层的光刻胶剥离液
31 一种AMOLEED显示屏用光刻胶剥离液组合物
32 一种光刻胶剥离液
33 用于从半导体基板去除光刻胶的剥离组合物
34 光刻胶去除用剥离液组合物
35 一种高效光刻胶剥离液及其应用
36 降低离子注入层光刻胶剥离风险的方法
37 用于制造液晶显示的光刻胶剥离剂组合物
38 一种光刻胶剥离液
39 阶段性变压精馏塔回收光刻胶剥离液的方法
40 一种用于去除钛镍银表面蚀刻残留光刻胶的剥离液组合物
41 一种2英寸芯片光刻胶剥离用花篮
42 一种光刻胶剥离液及其应用
43 一种高效剥离光刻胶掩膜的光刻工艺方法
44 用于移除光刻胶的剥离剂组合物以及使用其剥离光刻胶的方法
45 回收废光刻胶剥离剂的方法
46 用于移除光刻胶的剥离剂组合物以及使用其剥离光刻胶的方法
47 一种有效去除LED芯片光刻胶的剥离液及其剥离方法
48 一种改善光刻胶剥离缺陷的方法
49 一种去除光刻胶的水系剥离液组合物
50 光刻胶剥离液配方技术
51 用于剥离光刻胶的智能液体
52 一种用于光刻胶剥离的剥离液
53 光刻胶剥离方法
54 一种低温光刻胶重工剥离液及其应用
55 光刻胶剥离剂
56 一种金属低刻蚀光刻胶剥离液
57 一种光刻胶的剥离装置及剥离方法
58 采用光刻胶剥离制备斜坡状边缘金属膜的工艺方法
59 一种用于芯片的光刻胶剥离液、配方技术及去胶工艺
60 一种水性光刻胶剥离液
61 一种光刻胶剥离液
62 一种光刻胶剥离液及其应用
63 防止污渍的光刻胶剥离剂组合物及平板显示器基板的制法
64 防止污渍的光刻胶剥离剂组合物及平板显示器基板的制法
65 光刻胶剥离液组合物及光刻胶的剥离方法
66 一种金属低刻蚀的光刻胶剥离液及其应用
67 防腐剂混合物和负型光刻胶剥离剂组合物
68 防腐剂混合物和光刻胶剥离剂组合物
69 光刻胶剥离剂组合物
70 负型光刻胶剥离剂组合物
71 一种新型的光刻胶剥离液及其应用工艺
72 一种应用于金属剥离的单层正性光刻胶光刻方法
73 光刻胶剥离液废液的回收方法
74 光刻胶用剥离液组合物及其制备和应用
75 用于改善的器件集成的光刻胶剥离方法
76 一种Array板光刻胶的剥离方法
77 一种TFT液晶显示器返修制程中的光刻胶剥离方法
78 一种新型有机光刻胶剥离液及其制备工艺
79 一种光刻胶剥离方法
80 用于液晶显示器制造工艺的包含伯烷烃醇胺的光刻胶剥离组合物
81 用于液晶显示器制造工艺的包含伯烷烃醇胺的光刻胶剥离组合物
82 光刻胶剥离剂废液回收系统及其方法
83 一种去除半导体工艺中残留光刻胶的剥离液
84 一种光刻胶剥离液
85 光刻胶、离地剥离的方法和TFT阵列基板的制作方法
86 用于形成铜基配线的光刻胶剥离剂组合物
87 具有金属保护的光刻胶剥离液组合物
88 高温高压水辅助的超临界二氧化碳剥离光刻胶的装置及方法
89 一种利用超临界水剥离SU-8光刻胶的装置及方法
90 光刻胶剥离液组合物
91 高掺杂注入光刻胶的剥离工艺
92 光刻胶剥离剂用组合物及薄膜晶体管阵列基板的制造方法
93 应用光刻胶剥离工艺保护光刻对准标记的方法
94 液晶显示器的滤色器阵列制造中的光刻胶剥离剂组合物
95 用于去除彩色滤光片制程中不良基板上彩色光刻胶及保护层的剥离液
96 光刻胶剥离液
97 活动硬掩模的等离子体刻蚀过程中的原地光刻胶剥离
98 活动硬掩模的等离子体刻蚀过程中的原地光刻胶剥离
99 一种正性光刻胶剥离液及其配方技术
100 光刻胶剥离组合物和使用其剥离光刻胶膜的方法
101 光刻胶剥离剂组合物
102 光刻胶剥离剂组合物和用该光刻胶剥离剂组合物剥离光刻胶的方法
103 具有室去氟化和晶片去氟化中间步骤的等离子体蚀刻和光刻胶剥离工艺
104 用于半导体制造的光刻胶剥离剂组合物
105 用于晶片级包装中光刻胶剥离和残留物去除的组合物和方法
106 用于剥离光刻胶的组合物及薄膜晶体管阵列面板制造方法
107 从光刻胶和/或剥离液中回收有机化合物的方法
108 光刻胶剥离剂组合物
109 光刻胶剥离除去方法及装置
110 光刻胶剥离组合物
111 光刻胶用剥离液和使用该剥离液的光刻胶剥离方法
112 光刻胶用剥离液和使用该剥离液的光刻胶剥离方法
113 光刻胶用剥离液和使用该剥离液的光刻胶剥离方法
114 用于剥离光刻胶的组合物
115 光刻胶用剥离液组合物
116 有机硅酸盐玻璃的低K蚀刻应用中蚀刻后的光刻胶剥离
117 光刻胶剥离剂组合物
118 检测光刻胶剥离过程终点的方法和装置
119 具有改进的剥离能力和分辨率的光成像组合物及干膜光刻胶
120 具有改进柔韧性和剥离能力的光成像组合物、干膜光刻胶及其低聚物
121 光刻胶剥离液管理装置
122 光刻胶剥离液管理装置
 
  以上为本套技术的目录及部分简要介绍,完整内容都包括具体的配方配比和生产工艺制作过程。收费260元,购买或咨询更多相关技术内容可联系:微信/电话:13510921263



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