1 一种晶圆热处理工艺以及晶圆双面电镀工艺
简介：本技术提供了一种晶圆热处理工艺以及晶圆双面电镀工艺，属于晶圆加工领域。一种晶圆热处理工艺，包括以下步骤：将所述晶圆一端面与玻璃载板键合在一起；研磨所述晶圆的另一端面，使得所述晶圆薄化；蚀刻所述晶圆中部，使得所述晶圆的形状呈中央薄、边缘厚；对所述晶圆的另一端面依次进行黄光与离子注入工艺；通过雷射或电阻加热或紫外光照射解键合所述玻璃载板，清洗去除键合剂；进行热处理工艺，形成合金的欧姆接触电阻。与现有技术相比，本申请的晶圆双面电镀与热处理工艺，能够有效避免晶圆在热处理工艺或双面电镀工艺中的弯曲变形。
2 一种晶圆快速热处理机台的监控方法
简介：本技术提供了一种晶圆快速热处理机台的监控方法，对光硅片进行离子注入，形成监控片，且离子注入的杂质在不被完全激活时，进行监控片的电阻值测试；在制作监控片时，对清洗后的光硅片进行处理没有时间限制，同时不需要保存于氮气柜中，简化了监控片制作步骤及技术要求，本技术在简化监控片制作步骤及技术要求的同时，兼顾监控金属前和金属后500~1000℃的温度范围，起到有效监控的目的；防止因机台温度的波动和漂移导致晶圆加工工艺异常及晶圆报废，具有良好的市场应用价值。
3 晶圆热处理装置及晶圆热处理方法
简介：本技术涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆热处理装置及晶圆热处理方法。所述晶圆热处理装置包括：加热腔室，具有加热器，用于容纳晶圆，并在所述晶圆的温度高于第一预设温度时，控制所述加热器对所述晶圆进行闭环加热，所述闭环加热是指根据所述晶圆的温度实时调整所述加热器的加热功率；预热组件，位于所述加热腔室外部，用于将所述晶圆的温度预热至第二预设温度后传输至所述加热腔室，所述第二预设温度高于所述第一预设温度。本技术减少甚至是避免了晶圆因在加热腔室内进行开环加热过程而导致膜层翘曲的问题，改善了晶圆热处理效果，提高了半导体产品的良率。
4 一种晶圆控片的快速热处理方法
简介：本技术提供了一种晶圆控片的快速热处理方法，涉及半导体器件制造技术领域。本方法至少包括以下步骤：提供第一晶圆控片；对所述第一晶圆控片进行第一次快速热处理；对经过第一次快速热处理后的所述第一晶圆控片进行第二次快速热处理，以取得第一电阻值趋势曲线；依据所述第一电阻值趋势曲线，取得所述预设电阻值趋势曲线；依据所述第一电阻值趋势曲线及预设电阻值趋势曲线，取得所述第一晶圆控片的标准快速热处理温度条件。本技术通过对晶圆控片进行两阶段的快速热处理，解决了现有技术所导致的晶圆控片表面边缘区域的电阻值再现性差、晶圆控片表面电阻值偏离目标值的问题。
5 一种晶圆热处理方法和晶圆
简介：本技术提供一种晶圆热处理方法和晶圆，晶圆热处理方法包括以下步骤：将晶圆置于惰性气氛中进行预保温处理；将预保温处理后的晶圆以第一升温速率升温至第一温度；再将晶圆置于第一氧化性气氛中，以第二升温速率从第一温度升温至第二温度，第二升温速率小于第一升温速率；将晶圆置于第二氧化性气氛中，以第三升温速率从第二温度升温至第三温度，第二升温速率小于第三升温速率；将晶圆置于惰性气氛中在第三温度下进行一次保温；一次保温结束后以不同的降温速率从第三温度降温至第四温度进行二次保温。通过上述方法，能够得到优良的DZ区域和高密度BMD区域，少子寿命长，间隙铁离子含量低，滑移偏差小的晶圆。
6 晶圆热处理腔室
简介：本提供提供了一种晶圆热处理腔室，属于半导体技术领域。该腔室包括：壳体；载物台，设于所述壳体内；加热装置，至少部分设于所述壳体内，用于对所述载物台上的物体加热；测温装置，至少部分设于所述壳体内；阻隔板，设于所述载物台与所述测温装置之间。本提供可以降低热处理过程中晶圆残留物质挥发的气体对于热处理腔室控温精度的影响，改善晶圆热处理效果。
7 一种集成电路12寸晶圆全自动传输热处理炉管
简介：本技术提供了一种集成电路12寸晶圆全自动传输热处理炉管，包括上壳体，所述上壳体底部设有下壳体，所述上壳体内部设有热处理炉管，所述热处理炉管内部设有承载板，所述承载板底部设有温度传感器，所述热处理炉管两侧均设有进气管，所述热处理炉管一侧面设有加料口以及另一侧面设有测氧管，所述加料口侧面设有电子门，所述测氧管端部设有氧气含量检测仪。本技术通过将进气管倾斜设置，以便于使得热处理炉管内部的氮气呈螺旋状上升，从而利用氮气对晶圆进行搅拌，保证排胶效果及排胶过程中的温度均匀性，同时由于氮气的搅拌效果，使得热处理炉管内气氛更为均匀，缩短氮气置换时间，有效提高加工效率，使得本技术具有更高的实用性。
8 硅晶圆的热处理方法
简介：快速升降温热处理装置的处理温度TS为1250℃～1350℃，且从上述处理温度开始的降温速度Rd在20℃/秒～150℃/秒的范围内，在热处理气氛气体中的氧分压P的上限P＝0.00207TS·Rd－2.52Rd+13.3(式(A))、P的下限P＝0.000548TS·Rd－0.605Rd－0.511(式(B))的范围内调节处理温度TS、降温速度Rd而进行热处理。
9 半导体晶圆的热处理方法
简介：本技术是一种半导体晶圆的热处理方法，其在单片式的热处理炉内配设有能够载置半导体晶圆的基座，并对载置于该基座的半导体晶圆进行热处理，其特征在于，在所述热处理前，在所述热处理炉内，进行以比所述热处理的温度低的规定温度保持规定时间的预备加热，在该预备加热中，使所述半导体晶圆从所述基座分离并进行保持。由此，提供一种半导体晶圆的热处理方法，该方法即使在高温热处理时也不会大幅降低生产性，并能够抑制半导体晶圆的滑移。
10 一种应用于热处理设备晶圆传输调度的装置及方法
简介：本技术提供了一种应用于热处理设备晶圆传输调度的方法，其包括：生成工艺过程所需的晶圆序列映射；根据热处理设备各模块的状态，在优先保证本次任务调度的及时响应的前提下，生成模块优先使用的次序序列；根据所述的模块优先使用的次序序列，仓储机械手模块执行将所述晶圆承载器从缓冲仓储模块传输到内部装载台模块，并且，根据晶圆序列映射，进行晶圆从源晶圆承载器至晶舟晶圆载体模块的装载；晶圆完成工艺后，晶圆机械手模块将晶圆返回至源晶圆承载器。因此，本技术采用了实时软件系统开发控制软件，保证信号传输的实时调度处理并提高了设备控制系统的可靠性。
11 晶圆热处理的方法
12 晶圆热处理的方法
13 一种热处理设备及其处理晶圆的方法
14 单晶硅晶圆的热处理法
15 晶圆承载器、热处理装置及热处理方法
16 单晶硅晶圆的热处理方法
17 单晶硅晶圆的热处理方法
18 硅晶圆的热处理方法
19 提升晶圆快速热处理产能的设备与操作方法
20 热处理腔中的晶圆支架的温度测量和控制
21 用于热处理硅晶圆的低温测温方法和装置
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,完整内容都包括具体的配方配比和生产工艺制作过程。收费200元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263
