1、半导体二极管
[简介]：本技术提供了一种半导体二极管，其技术方案要点是：包括芯片以及包覆在芯片外部的外壳，所述外壳两端均设有滑槽，所述滑槽底壁设有与芯片相连的静触点，所述滑槽内滑移连接有引脚，所述引脚能够与静触点抵接，所述滑槽内设有定位引脚的定位部件，在将引脚折弯焊接在电路板上之后，当二极管内的芯片发生损坏之后，只需要解除定位部件的锁定，即可沿着滑槽，将壳体与引脚分离，实现壳体的拆卸，随后再安装上新的芯片即可，通过定位部件即可实现引脚与壳体的固定，不需要将引脚拆卸下来也可以实现芯片的更换，十分方便的实现了损坏的二极管的更换。
2、半导体二极管
[简介]：本技术提供一种半导体二极管，包括：半导体基底，具有第一导电型的轻掺杂区；第一重掺杂区，位于所述轻掺杂区内，且具有与所述第一导电型相反的第二导电型；第二重掺杂区，位于所述轻掺杂区内且与所述第一重掺杂区直接接触，其具有所述第一导电型；第一金属硅化物层，位于所述半导体基底上，且与所述第一重掺杂区直接接触；第二金属硅化物层，位于所述半导体基底上，且与所述第二重掺杂区直接接触，其中所述第二金属硅化物层与所述第一金属硅化物层隔开。本技术所提出的半导体二极管可降低半导体二极管的重掺杂区的接触电阻，进而有效的减少半导体二极管的功率损失。
3、半导体二极管
[简介]：本技术提出了一种半导体二极管。半导体主体中的半导体二极管包括在第一导电类型的漂移区和第二、相反导电类型的第一电极区之间的注入效率控制区。该注入效率控制区包括超结结构，该超结结构包括沿横向方向连续地布置并且相互直接邻接的第一导电类型的阻挡区和第二导电类型的补偿区。该阻挡区的、沿该阻挡区的垂直延伸的平均净掺杂浓度是该漂移区的、沿与该阻挡区邻接的该漂移区的垂直延伸的20％的平均净掺杂浓度的至少三倍。
4、半导体二极管
[简介]：本技术提供一种可消除漏电流并降低寄生电阻的半导体二极管。此半导体 二极管包括一半导体基板，一半导体层设置于此半导体基板之上，其中此半导 体层包括一第一杂质及一具有肖特基区的第一阱；以及一多晶硅元件设置于此 半导体层上并邻接此具有肖特基区的第一阱。本技术另提供一种半导体二极管 阵列，包括多个半导体二极管。通过本技术的半导体二极管可改善肖特基势垒 界面，减少漏电流，并降低寄生电阻。
5、半导体二极管
[简介]：本技术涉及一种半导体二极管，有两个形成阴极（20）和阳极（10）的电极。该二极管的特征在于，至少有一个电极是弯曲的，另一个电极的表面面积最大为另一个电极的宽度与弯曲电极内边长度的乘积的20％。本技术还涉及一种电路，在其结构中包括一个半导体二极管，有两个形成阴极（20）和阳极（10）的电极，该二极管的特征在于，至少有一个电极是弯曲的，另一个电极的表面面积最大为另一个电极的宽度与弯曲电极内边长度的乘积的20％。
6、半导体二极管导线架
[简介]：一种半导体二极管导线架，由焊锡片、晶蕊片、导线架以及胶体所构成；其特征在于:导线架一端凹槽面底部挖设有一通孔；因此当焊锡片进入炉中加热至焊锡熔化时，导入部分焊锡片溶液流经通孔而进入凹槽中，经冷却凝固后，不但能有效强化拉力，使导线架与焊锡片的结合更加稳固，同时更增进防止焊锡片熔化后流入晶蕊片周边矽晶片而产生短路假焊现象，避免了不良率的增加，更有效提高产品使用寿命及应用。
7、一种半导体二极管芯片
[简介]：本技术提供了一种半导体二极管芯片，包括二极管芯片本 体，其特征在于：所述二极管芯片本体上依次设有氧化层与玻璃钝 化保护层。所述二极管芯片本体上设有台阶。所述台阶与台面之间 的高度为5～20um。所述二极管芯片台阶处PN结深大于台面处PN结 深，其结深比为1.1-2。本技术提供的二极管芯片，从结构上 为氧化层加玻璃层两层钝化保护，且增加一个台阶结构，台阶高度 优先选择5-20um。此结构设计在实际生产中可以很好的解决低压浅 结产品因钝化层玻璃包覆不好而造成的器件不稳定现象，提高器件 的产品良品率和产品可靠性，并使生产工艺更稳定且易于控制。同 时由于台阶处的PN结深大于台面处的PN结深，可大幅提升产品的 可靠性。
8、半导体发光二极管灯
[简介]：本技术是一种以半导体发光二极管为光源的新型灯具。其特点是光源为串联和/或并联在电路板上的LED、LED作为负载、与带光控开关GK的整流滤波电路和带恒流源LM317的电流调整电路连接。灯体可为直管形、环管形、球面、球体形等多种形状。本技术具有能低压工作以较小电流产生较高亮度、发光响应速度快仅10－7－10－8S、驱动显示电路简单、体积小、可靠性高、功耗低、耐振动、抗冲击等特点，寿命长达十万小时以上。较现有光源节电80％以上，是一种大有前途的绿色灯具。
9、半导体发光二极管路灯
[简介]：本技术是一种以半导体发光二极管为光源的路灯。其特点是路灯的光源为与由整流滤波电路和稳压二极管及恒流源LM317连接而成的恒流开关电源连接的发光二极管串灯，该路灯具有发光效率高，耗电量小，寿命长的优点，是绿色环保光源。
10、半导体发光二极管台灯
[简介]：本技术半导体发光二极管台灯，由灯座、灯罩和光源即灯泡构成。其光源为多粒串联的LED发光二极管，其驱动电路由整流滤波电路和稳压二极管及恒流源LM317连接而成。该台灯亮度适宜，功耗低，寿命长达10万小时以上，较现有光源节电80％以上，可谓绿色能源灯具。
11、半导体红外发光二极管
[简介]：本技术提供了一种半导体红外发光二极管，包括负电极和正电极，其特征在于，还包括金属玻璃管帽，金属玻璃管帽上设置一玻璃透光窗，金属玻璃管帽与金属玻璃管座密封焊接形成一空腔，负电极穿过金属玻璃管座，负电极一端位于空腔外，另一端位于空腔内并与空腔内的发光芯片连接，正电极穿过金属玻璃管座，正电极一端位于空腔内，另一端位于空腔外，正电极通过键合丝与发光芯片连接，所述的金属玻璃管座与负电极之间、负电极与正电极之间、正电极与金属玻璃管座之间设置有玻璃绝缘子。本技术的有益效果为：本技术采用金属玻璃管帽和管座，提高了发光二极管的可靠性，延长了其使用寿命。
12、半导体发光二极管器件
[简介]：本技术提供了一种半导体发光二极管器件，包括：有源层；P型半导体层和N型半导体层，分别位于所述有源层的两侧；与所述P型半导体层电性连接的正电极焊接层；与所述N型半导体层电性连接的负电极焊接层；所述正电极焊接层和/或负电极焊接层的材料为铝合金材料。本技术能够更好地满足LED器件对电极焊接层的需求，能够提高在大电流下的抗电迁移性，提升器件的热稳定性，与常规的铝材料相比提高器件使用寿命，并有利于产业化成本的控制。
13、一种高效半导体二极管
[简介]：本技术提供了一种高效半导体二极管，包括多层硅芯片、两铜引线、环氧塑封体，多层硅芯片位于两铜引线端面之间，通过焊料与铜引线焊接，聚酰亚胺涂层胶将两铜引线端面间的多层硅芯片以及焊料层包裹在其中，而整个高效半导体二极管除铜引线两端头外，其余部分均包裹在环氧树脂注塑成的塑封体内。本技术的有益效果是：在同类产品的多层硅芯片叠焊的结构上，将其中硅橡胶钝化层设计为聚酰亚胺涂层钝化，这样就可使产品的高温漏电流在150℃时降低至10uA以下，因此本技术不仅有耐压高的特点，而且具有恢复时间快、效率高、节能等特点。
14、一种半导体二极管芯片
[简介]：本技术涉及一种半导体二极管芯片，包括芯片壳体，所述芯片壳体的内部嵌有PCB板，所述PCB板的左右两侧固定有引脚；所述PCB板下侧边通过点焊固定连接有IC贴片、二极管和热敏电阻；所述IC贴片的下方的芯片壳体内壁上安装有微型散热扇，所述微型散热扇通过导线和PCB板通电连接；与现有的技术相比，本技术的有益效果是：本技术结构简单、设计合理，通过设置PCB板将各个元件通过点焊固定在PCB板上，提高芯片的散热面积，增加散热效果；通过在芯片壳体内部内置微型散热扇，进一步提高芯片的散热能力，提高二极管设备的使用寿命，简单实用。
15、一种半导体二极管芯片
[简介]：一种半导体二极管芯片，属于半导体生产技术领域，第一导电层设置于第一半导体层上，第一导电层与第一半导体层欧姆接触；第一绝缘层覆盖由第二半导体层、半导体发光层、第一半导体层和第一导电层组成的半导体层侧壁，第一绝缘层还延伸覆盖部分透明载体，本技术的以上两种技术方案都是通过第一金属焊盘对半导体有源区的全覆盖，更好地改善对半导体芯片热传导，不同平台的第一和第二金属焊盘设计也利于正负电极焊接时的不同处理来提高焊接的合格率。
16、一种稳压半导体二极管
[简介]：本技术提供了一种稳压半导体二极管，包括半导体二极管，该半导体二极管包括阳极导杆和阴极导杆，该半导体二极管内设置有连接阳极导杆的第一重掺杂区以及连接阴极导杆的第二重掺杂区，该半导体二极管端面上还设置有由氮化硅构成的保护膜，该保护膜设置于阳极导杆和阴极导杆之间，该第一重掺杂区包括氮化物半导体和金属层，氮化物半导体和金属层之间欧姆接触，在半导体二极管外端面上还可以连接稳压电路芯片，该稳压电路芯片并联在半导体二极管上。得到的一种稳压半导体二极管，能够使得在设置了保护膜时的反向泄漏电流非常小，能够实现降低了正向启动电压而减少了导通损耗的二极管，确保其电流和电压在正常范围，使得发光二极管的使用寿命长。
17、一种半导体二极管结构
[简介]：本技术涉及一种半导体二极管结构，包括第一、二引线、二极管芯片和塑封体，第一、二引线分别具有与其互为一体的贴片基岛和引脚，二极管芯片的两面分别与第一、二贴片基岛焊接，第一、二贴片基岛和二极管芯片均被封装在塑封体内，第一贴片基岛与第一引脚之间的第一衔接段有第一沟槽和第一通孔，且第一引脚的两侧面分别有呈鞘翅式的第一凸起，第一凸起位于塑封体内；第二贴片基岛与第二引脚之间的第二衔接段有第二沟槽和第二通孔，且第二引脚的两侧面分别有呈鞘翅式的第二凸起，第二凸起位于塑封体内，第二贴片基岛有凸台，二极管芯片的一面与凸台相焊接。本技术具有能够有效防止二极管芯片与塑封体之间发生分层现象，而且可靠性高等优点。
18、一种半导体二极管结构
[简介]：本技术一种半导体二极管结构，其二极管芯片设在导电散热底板和导电散热连接座之间，导电散热底板和导电散热连接座之间采用螺栓绝缘连接，即连接螺栓与导电散热连接座绝缘连接，其结构简单，具强度高，导电能力强，耐高温和工作安全可靠的特点。
19、新型半导体二极管结构
[简介]：本技术提供了一种新型半导体二极管结构，包括散热底板、导电散热连接座和固定导电散热连接座的两组双层绝缘支撑板，半导体二极管芯片通过焊膏焊接在散热底板的顶面上，第一绝缘支撑板与第二绝缘支撑板的结合面中部设有贯通第一绝缘支撑板的宽度方向的凹槽，导电散热连接座的下端两个相对的外侧面上分别凸设有固定板，固定板夹紧在凹槽内。本技术，导电散热连接座将其下端两个固定板插入两组双层绝缘支撑板中部的凹槽内，双层绝缘支撑板之间通过焊膏焊接，在使用过程中，导电散热连接座上受到的力能够通过固定板有效地传递给散热底板，可以防止在安装或者工作时二极管芯片因受力而损坏，有效地保护了二极管芯片。
20、一种半导体二极管结构
[简介]：本技术提供了一种半导体二极管结构，属于二极管技术领域。其包括二极管本体以及两端的引线，引线靠近二极管本体一端为螺旋状引线，螺旋状引线长度为引线总长的五分之一，螺旋状引线外套有一塑料防护套，防护套内径大于螺旋状引线的螺旋外径。本技术在二极管引线的端部进行改进设计，预留焊接固定用的引线变量，并在其外包防护套，在不影响其本身的封装前提下，极大的提高了印刷电路用二极管的质量和使用寿命，降低了产品报废率，提高了生产效率。
21、半导体发光二极管结构
[简介]：本技术提供了半导体发光二极管结构，包括一外延基底，包含有一主表面和一外露表面；一外延结构，设于外延基底的主表面上，至少包含有一第一导电型半导体层、一活性发光层和一第二导电型半导体层，其中第一导电型半导体层具有一第一侧壁，而且第一侧壁包含有至少一第一蚀刻面以及一第二蚀刻面，而第一蚀刻面与外露表面间具有一第一夹角α，第二蚀刻面与外露表面间具有一第二夹角β，且第一蚀刻面和第二蚀刻面彼此相邻；及一电极结构，设置于外延结构上。
22、半导体激光二极管
[简介]：提出一种具有下述特征的半导体激光二极管：半导体层序列（2），所述半导体层序列具有带有有源层（23）的彼此竖直叠加施加的半导体层（21，22，23，25，26），所述有源层具有宽度大于或等于30μm的有源区域（24），所述有源区域在运行时经由辐射耦合输出面（11）放射激光辐射，其中辐射耦合输出面（11）通过半导体层序列（2）的侧面形成并且与相对置的后侧面（12）一起在纵向方向上形成具有侧向的增益导引的共振器，并且其中半导体层序列（2）通过在热影响区域（29）中工作而变热；金属化层（3），所述金属化层与半导体层序列（2）的上侧（20）直接接触，其中上侧（20）通过半导体覆盖层（25）形成；和导出热量的结构化的层（4）；所述导出热量的结构化的层位于半导体层序列（2）的上侧（20）上，其中导出热量的结构化的层（4）至少具有金属化层（3），其中金属化层（3）具有累加宽度（B1）并且累加宽度（B1）与热影响区域（29）的宽度（B2）的比值与距辐射耦合输出面（11）的间距相关地变化，其中导出热量的结构化的层（4）能够实现从有源区域（24）中的热量导出，所述热量导出沿着纵向方向和/或侧向方向变化。
23、半导体激光二极管
[简介]：本技术提供了一种半导体激光二极管（1），半导体激光二极管（1）包括具有有源层（5）的半导体衬底（2），在有源层（5）的两端上具有一对彼此相对的腔面（6a、6b）；以及顺序堆叠在一个腔面（6a）上的氧化物的第一介电膜（3）和氮氧化物的第二介电膜（4），其具有足够的初始特性，和具有出色热辐射能力的膜结构，用于允许长时间的稳定的高输出激光发射，而不减小发射端上的灾变光学损伤水平。
24、半导体发光二极管
[简介]：本技术提供了一种半导体发光二极管，包括绝缘载体，在所述绝缘载体的表面开设有凹杯，所述凹杯底部设置有多组发光芯片，每组发光芯片包括一个红色发光芯片、一个绿色发光芯片与一个蓝色发光芯片，所述凹杯内壁嵌设有用于控制所述发光芯片发射光线传输方向的反射杯，所述发光芯片具有穿设所述绝缘载体的阳极引脚与阴极引脚。本技术可以有效减少使用的发光芯片的数量，并且可以缩减LED灯体积，可以有效满足背光模块光源在小型化与薄形化方面的要求。
25、半导体发光二极管
[简介]：本技术提供一种半导体发光二极管，包括，生长衬底、半导体外延层、电流扩展层、绝缘层、电极；其中，电极包括金属电极和打线焊盘，金属电极和打线焊盘电连接；半导体外延层形成在生长衬底上，电流扩展层形成在半导体外延层上；在电流扩展层的预定部分上，形成微结构，绝缘层形成在该微结构上，打线焊盘形成在绝缘层上，金属电极形成在电流扩展层上。绝缘层的形状和尺寸与打线焊盘基本上相同。绝缘层的表面具有微结构，打线焊盘形成在该微结构上。在电流扩展层的预定部分上，形成微结构，金属电极形成在电流扩展层的具有微结构的部分上。在半导体外延层的预定位置上，形成微结构，一电流阻挡层形成在该微结构上。电流阻挡层的表面上，形成微结构。
26、半导体发光二极管组件
[简介]：本技术揭露一半导体发光二极管组件，包含一第一发光区域、一第二发光区域、一第三发光区域、一第一荧光转换层以及一第二荧光转换层。所述第一、第二荧光转换层分别设置在第一、第二发光区域上，并且荧光转换层可以将发光区域所发出的光线转换成不同波长的光线，使得该发光二极管组件可产生多波长的光线。所述荧光转换层系直接形成于发光二极管组件表面，如此不仅混光效果佳且占用体积小。
27、半导体异质结构二极管
[简介]：平面肖特基二极管，其半导体材料包括异质结构，其至少在一个半导体层中产生2DEG。金属阳极接触位于上半导体层的顶部上，并且与该半导体层形成肖特基接触。金属阴极接触连接到2DEG，与包含2DEG的层形成欧姆接触。
28、半导体二极管组合件
[简介]：具有平面的p-n结的TSV装置具有优越的击穿及电流处置性能。与现有技术中的结隔离二极管组合件相比，形成于封闭沟槽中的结二极管组合件占用较少芯片面积。运用在结形成之后形成的沟槽制造的二极管组合件减小制造成本，且掩模步骤增加制程灵活性且允许实现非对称TSV及单向TSV功能。
29、半导体发光二极管
[简介]：根据一个实施例，半导体发光器件包括半导体层（15）、p侧电极（16）、n侧电极（17）、无机绝缘膜（14）、p侧互连部分（21）、n侧互连部分（22）和有机绝缘膜（20）。有机绝缘膜设置在无机绝缘膜上，至少在p侧互连部分和n侧互连部分之间的部分上。p侧互连部分的在n侧互连部分一侧的端部（216）和n侧互连部分的在p侧互连部分一侧的端部（226）重叠在有机绝缘膜上。
30、半导体发光二极管结构
[简介]：本技术提供了半导体发光二极管结构，包括一外延基底，包含有一主表面和一外露表面；一外延结构，设于外延基底的主表面上，至少包含有一第一导电型半导体层、一活性发光层和一第二导电型半导体层，其中第一导电型半导体层具有一第一侧壁，而且第一侧壁包含有至少一第一蚀刻面以及一第二蚀刻面，而第一蚀刻面与外露表面间具有一第一夹角α，第二蚀刻面与外露表面间具有一第二夹角β，且第一蚀刻面和第二蚀刻面彼此相邻；及一电极结构，设置于外延结构上。
31、半导体发光二极管
[简介]：本技术提供了一种半导体LED。该半导体LED包括：发光结构，其可以由N型半导体层、有源层以及P型半导体层按所述顺序迭加而组成；透明电极，形成在发光结构的上表面上；以及P型电极，形成在所述透明电极的上表面上。用于阻挡电流的绝缘体可以形成在发光结构中与P型电极的位置相对应的位置处。本技术的某些实施例可以用于防止出光被P型电极的下表面反射，并从而提高发光效率。
32、半导体激光二极管
[简介]：说明一种半导体激光二极管，具有以下特征：－衬底（1），－在衬底（1）上带有至少一个被设立用于生成激光光线（30）的有源层（3）的半导体层序列（2），所述激光光线（30）在运行中沿着辐射方向（50）被辐射，和－至少一个滤波层（9），所述滤波层具有主延伸平面，该主延伸平面平行于有源层（3）的主延伸平面并且被设立用于散射和/或吸收除了激光光线（30）以外也在半导体层序列（2）和/或衬底（1）中传播的光。
33、一种半导体二极管芯片
[简介]：一种半导体二极管芯片，属于半导体生产技术领域，第一导电层设置于第一半导体层上，第一导电层与第一半导体层欧姆接触；第一绝缘层覆盖由第二半导体层、半导体发光层、第一半导体层和第一导电层组成的半导体层侧壁，第一绝缘层还延伸覆盖部分透明载体，本技术的以上两种技术方案都是通过第一金属焊盘对半导体有源区的全覆盖，更好地改善对半导体芯片热传导，不同平台的第一和第二金属焊盘设计也利于正负电极焊接时的不同处理来提高焊接的合格率。
34、一种半导体整流二极管
[简介]：本技术提供了一种半导体整流二极管，包括：芯片、N区电极、N区引线、P区电极和P区引线，所述芯片包括：N区半导体层、P区半导体层，以及N区半导体层与P区半导体层之间形成的PN结，N区半导体层包括轻掺杂N区半导体层与重掺杂N区半导体层，重掺杂N区半导体层与P区半导体层在轻掺杂N区半导体层同侧掺杂扩散形成。本技术整流二极管N区电极以及P区电极在芯片的同侧，芯片厚度减小，利于器件的小型化，同时简化二极管电路制备工艺过程。
35、鳍状半导体二极管结构
[简介]：一种鳍状半导体二极管结构，其包括一半导体基材、一垂直半导体鳍状体、一第一导电件和一第二导电件。该半导体鳍状体位于该半导体基材上方，该半导体鳍状体具有掺杂有第一掺杂物的第一重掺杂区域和掺杂有第二掺杂物的第二重掺杂区域，第一重掺杂区域和第二重掺杂区域分别位于半导体鳍状体的两侧，第一导电件接触该第一重掺杂区域，第二导电件接触该第二重掺杂区域。该第一重掺杂区域和第二重掺杂区域之间还可包括一轻掺杂区域。
36、半导体发光二极管
[简介]：半导体发光二极管（10）被形成在n型GaAs基片上并包含:AlGaInP基双异质结结构，其中激活层（16）被夹在镀层（14，18）之间；上P型接触层20；环形上电极（22）有孔（28），光是通过上p型接触层（20）和上电极（22）的孔（28）发射。上p型接触层（20）是由含有0.5或更高Al含量的AlGaAs或AlGaAsP构成的半导体层，并且在5×1018cm－3或更高载流子浓度掺杂杂质。该半导体发光二极管以要求的发射图形和较高强度发射光并能以相对简单工艺制造。
37、半导体发光二极管
[简介]：本技术提供一种可通过对发光层均匀地注入电流并提高光的取出效率来获得高发光效率的半导体发光二极管。其包括：相对于发光波长透明的导电性基板；在基板上形成的、包含发光层的半导体层；在半导体层上形成的表面电极；以及在基板的背面形成的、具有开口的背面电极，当设开口的宽度为L、背面电极和发光层的距离为t时，L≤2t，背面电极的面积相对于基板的背面面积的比例为40％以下。
38、半导体激光二极管
[简介]：本技术提供一种半导体激光二极管。该半导体激光二极管包括衬底、衬底上的下包层、下包层上的有源层、以及在有源层上且具有在竖直方向凸出的脊的上包层。在上包层中，通过在脊的两侧扩散杂质形成杂质层从而抑制高阶横模的激光。杂质为Ga离子**空穴或Zn离子。
39、半导体二极管及其方法
[简介]：在一个实施方案中，二极管被制作成在半导体衬底二个表面上具有阳极。
40、半导体激光二极管
[简介]：本技术提供一种半导体激光二极管，包括：一有源层；一形成于该有源层之上的上包覆层；一形成于该有源层之下的第一下包覆层；一形成于该第一下包覆层下面的第二下包覆层；以及一形成于该第二下包覆层下面的衬底，其中，第一下包覆层的折射率与上包覆层的折射率相同，并且低于第二下包覆层的折射率。由于上和下包覆层具有以有源层为中心的不对称折射率，因此通过分散近场而使远场垂直光束发散角得以减小。
41、一种半导体发光二极管
[简介]：本技术提供了一种半导体发光二极管。在常规的半导体发光二极管上，增加半导体光致发光体，以取得多光谱色发光特性。此技术将提高全色光源设计的灵活性，有利于取得高色还原度和发光效率。
42、半导体发光二极管
[简介]：一种发光二极管，包括:半导体基底；分层结构，该分层结构由AlGaInP型化合物半导体材料制成并设在该半导体基底上。分层结构包括:发光结构，包含一对覆层和该两覆层之间的发光的活性层；与该发光结构晶格失配的电流扩散层，由下式确定的电流扩散层相对于该发光结构晶格失配度Δa/a为1％或更小：Δa/a＝（ad-ae）/ae，ad是电流扩散层晶格常数，ae是发光结构晶格常数。它具有高亮度低阻抗，对于发光结构的
43、发光二极管-半导体元件
[简介]：一种发光二极管-半导体元件，其具有n型掺杂的衬底层、n型掺杂的第一外套层、主动层、p型掺杂的第二外套层、p型掺杂的电流扩张层、p型掺杂的接触层，其中，所述外套层设置在所述衬底层上，其中，所述主动层包括发光层并且设置在所述第一外套层上，其中，所述第二外套层设置在所述主动层上，其中，所述电流扩张层设置在所述第二外套层上，其中，所述p型掺杂的接触层设置在所述电流扩张层上，其中，所述p型掺杂的接触层由含铝层组成并且具有碳作为掺杂物。
44、半导体二极管和用于制造半导体二极管的方法
[简介]：一种半导体二极管具有第一导电类型的第一半导体层（102）和带有掺杂的第二导电类型的第二半导体层。第二半导体层具有与第一半导体层连接的竖直的电穿通接触区域（106），在所述电穿通接触区域中改变掺杂，使得电穿通接触区域（106）具有第一导电类型。描述了一种用于制造这种半导体二极管的方法。
45、半导体器件、二极管以及半导体结构
[简介]：本技术涉及半导体器件、二极管以及半导体结构。一种二极管包括上部和下部电极以及连接至下部电极的第一和第二N型掺杂的半导体衬底部分。第一竖直晶体管和第二晶体管形成在第一部分中并且串联连接在电极之间。第一晶体管的栅极被N型掺杂并且耦合至上部电极。第二晶体管具有P沟道并且具有P型掺杂的栅极。第二传导类型的第一和第二掺杂区域位于第二部分中并且通过上覆有另一N型掺杂的栅极的衬底部分分离。第一掺杂区域耦合至第二晶体管的栅极。第二掺杂区域和另一栅极耦合至上部电极。
46、半导体器件和半导体二极管结构
[简介]：本提供涉及半导体器件和半导体二极管结构。根据一个实施例，提供了一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有第一导电性类型；第一掺杂区域，具有与所述第一导电性类型相反的第二导电性类型，位于所述半导体衬底上；第二掺杂区域，具有所述第一导电性类型，邻近所述第一掺杂区域；阴极区域，具有所述第二导电性类型，位于所述第二掺杂区域内；阳极区域，具有所述第一导电性类型，位于所述阴极区域内；第一电极，电耦合到所述阳极区域；以及第二电极，电耦合到所述阴极区域和所述第二掺杂区域，其中第一掺杂区域被配置为浮动区域。本提供的一个实施例解决的一个问题是提供一种二极管结构，其使得能够相对于体衬底的电势正向偏置和负向偏置，以便增加设计灵活性并且增强不利的操作条件下的器件性能。根据本提供的一个实施例的一个用途是提供一种二极管结构，其使得能够相对于体衬底的电势正向偏置和负向偏置，以便增加设计灵活性并且增强不利的操作条件下的器件性能。
47、半导体激光二极管，用于制造半导体激光二极管的方法和半导体激光二极管装置
[简介]：提出一种半导体激光二极管，其具有：半导体层序列（1），所述半导体层序列具有竖直地上下重叠地施加的半导体层，所述半导体层具有有源层（11），所述有源层在运行中经由辐射耦合输出面放射激光辐射，其中辐射耦合输出面由半导体层序列（1）的侧面形成；和横向地彼此相邻地在半导体层序列（1）的主表面（12）上的隔热层（2）和金属的接触层（5），其中隔热层（2）由电绝缘的多孔材料（9）形成。由此，在运行中产生的热量经由p型电极（5）引向热沉（20）并且避免构成二维的温度梯度。因此，反作用于在边缘发射器中的热透镜。此外，提出一种用于制造半导体激光二极管和半导体激光二极管装置的方法。
48、激光二极管和其他半导体二极管的非线性补偿
[简介]：提供了一种高线性度的光源，它包含一个第一半导体二极管（例如，一个光源半导体二极管如激光二极管或者发光二极管，或者一个光接收二极管如光测器）和一个具有第二补偿半导体二极管的非线性补偿电路。第一和第二二极管以及A.C.信号源（用以发光）或者负载（用以接收光）连接成反并联结构，并且第一和第二二极管各自有相隔离的直流偏置分路。
49、发光二极管半导体本体和发光二极管半导体本体的应用
[简介]：本技术描述了一种发光二极管半导体本体（1），包括至少一个产生 射线的第一有源层（31）和至少一个产生射线的第二有源层（32），其 中该发光二极管半导体本体（1）具有光子晶体（6）。此外，本技术描 述了这种发光二极管半导体本体（1）的应用。
50、半导体发光二极管和用于制造半导体发光二极管的方法
[简介]：提出了一种半导体发光二极管（10），其具有：至少一个p掺杂的发光二极管层（4）、n掺杂的发光二极管层（2）以及在p掺杂的发光二极管层（4）和n掺杂的发光二极管层（2）之间的光学有源区（3）；由透明导电氧化物构成的氧化物层（8）；以及至少一个镜层（9），其中氧化物层（8）设置在发光二极管层（2，4）和所述至少一个镜层（9）之间并且具有朝着发光二极管层（2，4）的第一界面（8a）和朝着所述至少一个镜层（9）的第二界面（8b），并且其中氧化物层（8）的第二界面（8b）具有比氧化物层（8）的第一界面（8a）更小的粗糙度（R2）。
51、半导体二极管以及用于形成半导体二极管的方法
52、用于制造半导体激光二极管的方法和半导体激光二极管
53、半导体激光二极管及包含其的半导体激光二极管组件
54、半导体、二极管的封装结构
55、改进的半导体二极管导线架
56、弯折式半导体发光二极管装饰灯
57、大功率半导体发光二极管路灯
58、简易封装型半导体发光二极管
59、用半导体发光二极管组装的发光装置
60、用半导体发光二极管组装的发光灯
61、鳍状的半导体二极管结构
62、一种半导体激光二极管散热装置
63、光电二极管组件及半导体装置
64、生产半导体激光二极管专用夹具
65、n－pin结构半导体发光二极管
66、高功率半导体发光二极管反射罩
67、一种半导体发光二极管照明装置
68、半导体发光二极管照明灯
69、发多色光的半导体二极管芯片
70、半导体二极管电极新引线
71、粗化表面的半导体发光二极管封装
72、微小型半导体二极管、三极管封装结构
73、一种负离子半导体发光二极管支架
74、半导体二极管泵浦10W级355nm紫外激光器
75、半导体发光二极管防爆节能灯
76、高提取效率的半导体发光二极管结构
77、鼻用半导体发光二极管治疗头
78、一种半导体发光二极管灯泡
79、P沟道大功率半导体恒电流二极管
80、N沟道大功率半导体恒电流二极管
81、半导体发光二极管智能变色灯条
82、交流垂直结构半导体发光二极管
83、表面贴装半导体二极管装置
84、半导体二极管单端泵浦355nm紫外激光器
85、一种半导体发光二极管二次封装件
86、半导体整流器件的二极管模块
87、一种半导体发光二极管封装件
88、一种半导体发光二极管二次封装件
89、用于半导体二极管的酸洗槽
90、半导体发光二极管组件构造
91、半导体二极管导线架改良结构
92、半导体激光二极管自动耦合装置
93、一种半导体发光二极管封装件
94、一种绿色激光半导体二极管控制电路
95、一种半导体二极管封装结构
96、一种快恢复半导体二极管
97、一种大功率半导体二极管
98、一种半导体有机发光二极管显示装置
99、发光二极管的半导体结构
100、一种半导体发光二极管灯壳
101、一种半导体二极管的新型结构
102、一种半导体发光二极管灯的散热外壳
103、集成续流二极管的功率半导体器件
104、一种半导体发光二极管芯片
105、集成续流二极管的功率半导体器件
106、一种半导体二极管框架快速装配工具
107、半导体激光二极管及其制造方法
108、一种半导体二极管框架快速装配工具
109、III族氮化物半导体激光二极管
110、大功率半导体微腔发光二极管
111、基于氮化物的半导体发光二极管
112、大功率半导体激光二极管
113、具有肖特基二极管的高压半导体元件
114、金属-半导体-金属（MSM）异质结二极管
115、氮化镓系化合物半导体发光二极管
116、波长转换半导体发光二极管
117、包括半导体二极管的晶体管单元阵列
118、一种GaN基紫外半导体发光二极管
119、萧特基二极管及半导体装置
120、氮化物半导体发光二极管元件
121、一种半导体二极管封装结构
122、化合物半导体发光二极管
123、具有脊的半导体激光二极管
124、鼻用半导体发光二极管治疗头
125、采用半导体二极管的投影系统
126、表面贴装型半导体二极管装置
127、脊形波导半导体激光二极管
128、无支架的半导体发光二极管
129、基于氮化物的半导体发光二极管
130、基于氮化物的半导体发光二极管
131、基于氮化物的半导体发光二极管
132、一种半导体发光二极管照明装置
133、pn结型化合物半导体发光二极管
134、氮化物基半导体发光二极管
135、氮化物基半导体发光二极管
136、半导体发光二极管上的反射层的制造
137、III族氮化物半导体发光二极管
138、一种高效GaN基半导体发光二极管
139、半导体发光二极管及其制造方法
140、半导体发光二极管及其制造方法
141、具有横向二极管的半导体装置
142、半导体发光二极管及其制造方法
143、包括二极管的半导体器件
144、氮化物半导体发光二极管元件
145、半导体器件、变容二极管及其形成方法
146、半导体激光二极管发光单元及器件
147、氮化镓半导体元件和发光二极管
148、半导体发光二极管及其制造方法
149、半导体发光二极管及其制造方法
150、金属氧化物半导体P-N结二极管结构
151、化合物半导体发光二极管
152、氮化镓类半导体激光二极管
153、Ⅲ族氮化物半导体激光二极管
154、氮化物半导体发光二极管
155、一种新型半导体发光二极管
156、浅槽金属氧化物半导体二极管
157、半导体激光二极管、打印头和成像装置
158、基于氮化物的半导体发光二极管
159、具有板状半导体元件的二极管
160、IGBT及制造功率半导体二极管的方法
161、半导体器件、PIN二极管和IGBT的制作方法
162、半导体装置的制造方法以及PIN二极管
163、一种新型二极管半导体专用清洗液
164、半导体发光器件和发光二极管模块
165、包括二极管的半导体器件
166、半导体发光二极管及其制造方法
167、半导体结构及发光二极管
168、半导体光电二极管及其制造方法
169、氮化镓半导体元件和发光二极管
170、具有感光二极管层的半导体结构
171、一种半导体发光二极管芯片
172、氮化物半导体模板及发光二极管
173、功率半导体二极管、IGBT 及其制造方法
174、一种浅槽金属氧化物半导体二极管
175、表面发光的半导体发光二极管
176、发光二极管驱动装置以及半导体装置
177、一种二极管半导体专用清洗液
178、半导体激光二极管及其封装方法
179、仅电子有机半导体二极管器件
180、制造半导体装置的天线二极管电路
181、一种半导体发光二极管及其制作方法
182、仅电子有机半导体二极管器件
183、半导体激光二极管肋片式散热装置
184、一种半导体发光二极管芯片
185、仅空穴有机半导体二极管器件
186、使用半导体发光二极管的显示设备
187、一种半导体二极管组装用粘结剂
188、包括半导体发光二极管的照明设备
189、半导体二极管封装结构及其制造方法
190、具有IGBT区和二极管区的半导体装置
191、半导体激光器二极管封装夹具
192、半导体发光二极管器件及其形成方法
193、间接带隙半导体发光二极管
194、栅控二极管半导体器件配方生产工艺
195、半导体发光二极管表面处理方法
196、半导体二极管单端泵浦355nm紫外激光器
197、氮化物半导体激光二极管
198、半导体发光二极管及其制造方法
199、垂直结型场效应半导体二极管
200、垂直金属氧化物半导体场效应二极管
201、产生辐射的半导体芯片和发光二极管
202、具有二极管和IGBT的半导体器件
203、半导体激光二极管及其制造方法
204、具有多项式伏－安特性的半导体二极管
205、半导体激光二极管的制造方法
206、具有电子施主的半导体二极管
207、半导体激光二极管及其制造方法
208、半导体二极管激光器及其制造方法
209、陶瓷片型半导体二极管及其制造方法
210、半导体二极管激光器及其制造方法
211、发光二极管及半导体激光
212、半导体材料和有机整流二极管
213、高电压垂直结构半导体发光二极管
214、半导体发光二极管及其制造方法
215、半导体发光二极管照明灯
216、P-I-N半导体二极管及其形成方法
217、具有IGBT和二极管的半导体器件
218、基于氮化物的半导体发光二极管
219、具有IGBT和二极管的半导体器件
220、三族氮化合物半导体发光二极管
221、产生辐射的半导体芯片和发光二极管
222、带有保护二极管的发光半导体器件
223、半导体激光二极管及其制造方法
224、倒装芯片氮化物半导体发光二极管
225、半导体二极管激光光谱仪设备及方法
226、半导体发光二极管及其制备方法
227、大功率半导体激光二极管
228、分离半导体激光二极管的方法
229、斜切底材上的半导体发光二极管
230、第3～5族化合物半导体和发光二极管
231、减少漏损的半导体二极管
232、一种半导体发光二极管结构
233、n－pin结构半导体发光二极管
234、发光二极管及半导体发光器件
235、半导体发光二极管及其制造方法
236、半导体激光二极管的MBE生长
237、半导体双向触发导通二极管
238、半导体发光二极管及其制造方法
239、半导体二极管芯片及其制作方法
240、半导体二极管电极的制造方法
241、氮化物半导体模板和发光二极管
242、发光二极管驱动装置以及半导体装置
243、一种新型二极管半导体专用清洗液
244、一种半导体光电二极管封装结构
245、包含有机半导体层的有机发光二极管
246、包含有机半导体层的有机发光二极管
247、一种半导体二极管器件的封装结构
248、一种半导体二极管器件封装结构
249、一种半导体二极管器件的封装结构
250、二极管激光器、集成二极管激光器以及集成半导体光放大器
251、保护二极管以及具备该保护二极管的半导体装置
252、PIN二极管及用于制造PIN二极管和形成半导体鳍结构的方法
253、发光二极管驱动用半导体电路及具有它的发光二极管驱动装置
254、适于形成半导体结型二极管器件的半导体晶片及其形成方法
255、化合物半导体器件、化合物半导体器件的制造方法以及二极管
256、具备具有二极管区和IGBT区的半导体基板的半导体装置
257、具备具有二极管区和IGBT区的半导体基板的半导体装置
258、半导体及半导体的形成方法与覆晶式发光二极管封装结构
259、包含二极管结构的半导体结构及半导体装置及其形成方法
260、包括二极管的半导体装置和制造半导体装置的方法
261、半导体发光元件及其制造方法和化合物半导体发光二极管
262、半导体衬底、半导体器件、发光二极管及其制造方法
263、有金属氧化物半导体变容二极管的半导体器件及制造方法
264、半导体器件、制造半导体器件的方法、光电二极管阵列以及成像设备
265、集合基板、半导体元件搭载部件、半导体装置及摄像装置、发光二极管构成部件、发光二极管
266、具有内置二极管IGBT的半导体器件和具有内置二极管DMOS的半导体器件
267、III族氮化物半导体激光二极管及III族氮化物半导体激光二极管的制作方法
268、半导体二极管泵浦的自聚焦透镜激光谐振腔
269、一种装有半导体发光二极管的贝雕羽毛画
270、半导体发光二极管太阳能路灯控制电路
271、以半导体激光二极管为光源的光电传感器
272、半导体二极管泵浦的组合晶体式的激光器结构
273、一种可制备大功率发光二极管的半导体芯片
274、带有强力散热机构的半导体发光二极管
275、一种带散热器的半导体发光二极管照明灯
276、一种纳米结构出光面半导体发光二极管
277、一种用半导体发光二极管作光源的道路照明灯
278、一种半导体激光二极管端面泵浦固体激光器
279、偏振式半导体光二极管自相关测量装置
280、半导体PN结二极管器件的温升和热阻测量装置
281、大功率发光二极管灯用半导体冷却装置
282、多沟道电流扩展型半导体恒电流二极管
283、交流表面贴片式垂直结构半导体发光二极管
284、具有高空穴浓度的半导体结构及发光二极管
285、一种半导体二极管双端泵浦高功率绿光激光器
286、一种半导体二极管元件超声波震荡清洗用篮筐
287、一种集成保护二极管的大功率半导体激光芯片
288、一种用于大功率半导体发光二极管路灯散热器
289、半导体激光二极管自动耦合且自动焊接的装置
290、一种多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管
291、一种用于SOT23半导体的双二极管封装结构
292、半导体二极管端面泵浦模块和具有其的激光器
293、一种半导体激光二极管肋片式散热装置
294、包括高电压二极管的半导体装置及其制造方法
295、具有粘接的半导体波长转换器的发光二极管
296、三族氮化合物半导体紫外光发光二极管
297、激光二极管组件和半导体光学放大器组件
298、半导体器件的肖特基二极管及其制造方法
299、三族氮化合物半导体发光二极管和其制造方法
300、用于短波半导体的发光二极管及荧光粉
301、氮化镓基半导体发光二极管及其制造方法
302、具有开关元件和两个二极管的半导体装置
303、化合物半导体发光二极管及其制造方法
304、肖特基二极管半导体器件及其制备方法
305、具有色散补偿外腔的锁模半导体激光二极管
306、金属氧化半导体P-N 接面二极管及其制作方法
307、半导体发光装置、发光二极管阵列及其制造方法
308、氮化镓基半导体发光二极管及其制造方法
309、具有横向MOS晶体管和齐纳二极管的半导体器件
310、化合物半导体晶片、发光二极管及其制备方法
311、一种透明半导体薄膜二极管及其制备方法
312、由应力补偿化合物半导体层构成的隧道二极管
313、半导体装置及形成发光二极管元件的方法
314、一种栅控二极管半导体存储器器件的制造方法
315、氮化物类半导体发光二极管及其制造方法
316、光盘装置、半导体集成电路和激光二极管驱动器
317、发光二极管器件、其制造方法及半导体器件
318、一种半导体结型二极管器件及其制造方法
319、半导体发光器件以及制备发光二极管的方法
320、一种低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管
321、半导体条形激光二极管与单模光纤的耦合装置
322、一种半导体二极管双端泵浦高功率绿光激光器
323、高电压半导体器件中的集成肖特基二极管
324、交流表面贴片式垂直结构半导体发光二极管
325、接合有半导体波长转换器的发光二极管
326、肖特基二极管、半导体存储器及其制造工艺
327、具有结势垒肖特基二极管的碳化硅半导体装置
328、用于制造半导体发光二极管的蚀刻处理室
329、半导体发光装置、超辐射发光二极管以及投影仪
330、具有肖特基二极管的半导体装置及其制造方法
331、半导体发光二极管芯片、发光器件及其制造方法
332、氮化物半导体发光二极管元件及其制造方法
333、用于外腔二极管激光器的半导体光学放大器
334、一种半导体二极管阵列侧面泵浦2μm激光模块
335、多沟道电流扩展型半导体恒电流二极管
336、用于半导体激光二极管阵列泵浦的整形装置
337、一种生产半导体发光二极管用的引线支架
338、三族氮化合物半导体发光二极管及其制造方法
339、一种集成保护二极管的大功率半导体激光芯片
340、发光二极管装置的制造方法及发光半导体结构
341、包括绝缘栅双极晶体管和二极管的半导体设备
342、氮化物半导体材料发光二极管及其制备方法
343、高压交流半导体发光二极管芯片的制造方法
344、半导体发光二极管的外延片及其制造方法
345、边缘发射的半导体激光二极管及其制造方法
346、一种半导体发光二极管芯片及其制作方法
347、一种多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管
348、边缘发射的半导体激光二极管及其制造方法
349、半导体引线框架封装及发光二极管封装
350、氮化嫁基紫外半导体发光二极管及其制作方法
351、边缘发射的半导体激光二极管及其制造方法
352、一种脊形波导半导体激光二极管及其制备方法
353、一种氮化物半导体发光二极管及其制作方法
354、一种N型碳化硅半导体肖特基二极管结构
355、半导体集成电路及其寄生二极管的提取方法
356、一种氮化物半导体发光二极管及其制作方法
357、一种半导体发光二极管的结构及其制作方法
358、一种半导体发光二极管光源及背光模组
359、一种深紫外半导体发光二极管及其制备方法
360、一种多积累层的金属氧化物半导体二极管
361、具有沟槽型MOS势垒肖特基二极管的半导体装置
362、一种具有积累层的金属氧化物半导体二极管
363、氧化物半导体基板及肖特基势垒二极管
364、氧化物半导体基板及肖特基势垒二极管元件
365、一种P型GaAs基半导体发光二极管的制造方法
366、一种N型GaAs基半导体发光二极管的制造方法
367、一种分体式半导体激光二极管能量合束装置
368、一种栅控二极管半导体存储器器件的制造方法
369、一种栅控二极管半导体器件的制造方法
370、半导体激光二极管自动耦合装置及其实现方法
371、一种半导体量子点发光二极管及其制备方法
372、一种栅控二极管半导体器件的制造方法
373、栅控二极管半导体存储器器件配方生产工艺
374、半导体激光二极管的辅助装配座及其制造方法
375、具有准确乘方伏－安特性的半导体二极管
376、以片状材料层叠结构的半导体二极管制造方法
377、使半导体元件免受静电损坏的保护二极管
378、脊形波导半导体激光二极管及其制作方法
379、半导体发光器件双异质结构及发光二极管
380、水流驱动半导体发光二极管照明装置及方法
381、具有改进的窗口结构的半导体激光二极管
382、新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管
383、高功率半导体激光二极管及其制造方法
384、氮化物半导体激光二极管及其制作方法
385、一种提高半导体发光二极管外量子效率的方法
386、半导体PN结二极管器件的温升测量方法及装置
387、新型大功率半导体发光二极管封装基座
388、基于氮化物的半导体发光二极管及其制造方法
389、一种具有侧向光限制的半导体激光二极管
390、级联连接多个二极管构成的半导体器件
391、半导体二极管泵浦的自聚焦透镜激光谐振腔
392、新型金属半导体接触制作肖特基二极管
393、具有高阶模式吸收层的半导体激光二极管
394、光电二极管和其制造方法及半导体装置
395、半导体化合物发光二极管组件及其制造方法
396、垂直腔面发射半导体激光二极管的外延结构
397、一种可制备大功率发光二极管的半导体芯片
398、一种GaN基半导体发光二极管的制造方法
399、一种GaN基半导体发光二极管及其制造方法
400、多色发光二极管、半导体显示单元及其制造方法
401、具有齐纳二极管的半导体元件及其制造方法
402、具有集成加热区域的半导体激光二极管
403、氮化物半导体发光二极管芯片及其制造方法
404、半导体元件用外延基板、半导体元件、PN接合二极管元件以及半导体元件用外延基板的制造方法
405、激光二极管驱动电路及其控制方法和用于驱动激光二极管的半导体集成电路
406、具有高电子迁移率晶体管和单片集成半导体二极管的高压级联二极管
407、环向复合菲乃尔透镜半导体发光二极管信号灯具
408、一种基于半导体紫外发光二极管的便携式水消毒装置
409、一种通过镀银键合铜丝连接的半导体发光二极管封装件
410、通过镀钯键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件
411、一种通过镀钯键合铜丝连接的半导体发光二极管封装件
412、通过镀镍键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件
413、一种通过镀镍键合铜丝连接的半导体发光二极管封装件
414、通过镀银键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件
415、一种通过镀金键合铜丝连接的半导体发光二极管封装件
416、通过镀金键合铜丝连接的半导体发光二极管二次封装件
417、一种通过键合银丝连接的半导体发光二极管二次封装件
418、一种安装在电子冰箱芯片电路中的半导体二极管
419、一种使用高功率二极管泵浦半导体激光器的激光毛化系统
420、具有保护二极管结构的薄膜半导体器件和用于制造薄膜半导体器件的方法
421、固化性树脂组合物、固化性树脂组合物片状物、成形体、半导体的封装、半导体部件及发光二极管
422、固化性树脂组合物、固化性树脂组合物片、成型体、半导体封装材料、半导体部件及发光二极管
423、在本征半导体和欧姆接触之间具有P掺杂半导体的有机肖特基二极管
424、用于形成半导体器件的方法以及具有集成多晶二极管的半导体器件
425、金属配合物作为p-掺杂剂用于有机半导体基质材料、有机半导体材料和有机发光二极管的用途
426、具备具有二极管区和绝缘栅双极性晶体管区的半导体基板的半导体装置
427、氮化物半导体；使用该半导体的发光器件，发光二极管，激光器件和灯；及其制造方法
428、利用含镓的P型氧化物半导体的有机发光二极管及其制造方法
429、包括二极管的半导体装置以及静电放电保护装置
430、一种蓝光半导体发光二极管用氟化物红色荧光粉制备方法
431、用于半导体二极管的纳米颗粒梯度折射率密封剂
432、一种半导体二极管框架快速装配工艺及其辅助工具
433、一种开启电压可调的平面型金属氧化物半导体二极管
434、半导体发光二极管芯片和具有该芯片的发光装置
435、具有反射结构的半导体发光二极管及其制造方法
436、具有无机半导体连接层的堆叠式电光活性有机二极管
437、宽光谱大功率的半导体超辐射发光二极管及其制作方法
438、单晶锗锰磁性半导体/锗磁性异质结二极管及其制备方法
439、具有IGBT单元和二极管单元的半导体器件及其设计方法
440、遮光用树脂及形成方法、发光二极管用管壳及半导体装置
441、设有光电二极管的半导体装置及其制造方法和光盘装置
442、包括绝缘栅极双极晶体管和二极管的半导体器件
443、用于半导体处理的具有二极管平面加热器区域的加热板
444、半导体二极管侧面泵浦腔内倍频紫外激光器及其方法
445、直立式金属氧化物半导体整流二极管及其制作方法
446、内嵌肖特基二极管的双载子接面晶体管半导体结构
447、单片式金属氧化半导体场效应晶体管-萧特基二极管元件
448、P型、n型半导体出光垂直传导发光二极管的制造方法
449、半导体发光二极管芯片、其制造方法及其质量控制方法
450、一种宽光谱半导体超辐射发光二极管的制作方法
451、有凹进箝位二极管的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管
452、包括半导体光放大器和光电二极管的集成光电器件
453、高提取效率的半导体发光二极管结构及其制备方法
454、一种以半导体红外二极管激光器阵列作为激发源的显示平板
455、制造Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的方法、二极管及其制作方法
456、低温下制造的包括半导体二极管的高密度非易失性存储器阵列
457、半导体发光器件，其制造工艺及使用其的发光二极管（LED）照明装置
458、一种提高半导体二极管多量子阱发光效率的方法
459、具有肖特基二极管的沟槽式功率半导体结构及其制造方法
460、具有肖特基二极管的功率半导体结构及其制造方法
461、具有开关元件和续流二极管的半导体装置及其控制方法
462、金属氧化物半导体P-N 结面二极管结构及其制作方法
463、具有肖特基势垒二极管的碳化硅半导体装置及其制造方法
464、制造包括齐纳二极管的金属氧化物半导体集成电路的方法
465、低栅容金属氧化物半导体P-N结二极管结构及其制作方法
466、宽带隙半导体二极管作为选通管相变存储器及方法
467、隔离的晶体管和二极管、用于半导体管芯的隔离和终端结构
468、半导体层及其制造方法以及激光器二极管及其制造方法
469、一种低波纹系数半导体超辐射发光二极管配方生产工艺
470、高功率单模输出的微型半导体激光二极管及其制造方法
471、一种检测半导体发光二极管封装结构有效散热性的方法
472、基于金属氮化物半导体的氮极性面发光二极管及制备方法
473、一种半导体有机发光二极管显示装置及其制造方法
474、具有场电极结构、栅极结构和辅助二极管结构的半导体器件
475、非晶硅光电二极管基板的制造方法、基板及半导体装置
476、具有开关元件和续流二极管的半导体装置及其控制方法
477、具有开关元件和续流二极管的半导体装置及其控制方法
478、发光二极管的具有堆栈型散射层的半导体层及其制作方法
479、发光二极管的具有介电材料层的半导体层及其制作方法
480、包括具有重叠掺杂区的肖特基二极管的半导体器件及其制造方法
481、实现半导体超辐射发光二极管无制冷封装耦合的方法
482、一种铁电氧化物/半导体复合薄膜二极管阻变存储器
483、提高金属-氧化物半导体变容二极管的品质因子的方法
484、金属氧化物半导体P-N结二极管结构及其制作方法
485、金属氧化物半导体P-N结萧基二极管结构及其制作方法
486、半导体二极管端面泵浦模块、及其制造方法和具有其的激光器
487、一种集成续流二极管的半导体装置及其制备方法
488、集成续流二极管的功率半导体器件及其形成方法
489、用于发光二极管、光电子显示器等中的半导体纳米粒子基材料
490、集成续流二极管的功率半导体器件及其形成方法
491、半导体二极管的雪崩耐量测试装置及其测试方法与应用
492、制作柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二极管的方法
493、具有裂纹耐受阻挡结构的半导体发光二极管及其制造方法
494、具有包含InGaN的有源区的发光二极管半导体结构体
495、形成在氮化物半导体基板上的肖特基势垒二极管
496、一种双极性有机半导体及其有机发光二极管应用
497、一种有机半导体主体材料及其有机发光二极管应用
498、一种可交联有机半导体主体材料及其有机发光二极管应用
499、半导体晶圆的加工方法、应用及肖特基二极管配方生产工艺
500、可交联平衡电荷注入有机半导体及其有机发光二极管应用
501、半导体二极管的雪崩耐量测试装置及其测试方法与应用
502、制作柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二极管的方法
503、具有裂纹耐受阻挡结构的半导体发光二极管及其制造方法
504、具有包含InGaN的有源区的发光二极管半导体结构体
505、形成在氮化物半导体基板上的肖特基势垒二极管
506、一种双极性有机半导体及其有机发光二极管应用
507、一种有机半导体主体材料及其有机发光二极管应用
508、一种可交联有机半导体主体材料及其有机发光二极管应用
509、半导体晶圆的加工方法、应用及肖特基二极管配方生产工艺
510、可交联平衡电荷注入有机半导体及其有机发光二极管应用
511、半导体二极管的雪崩耐量测试装置及其测试方法与应用
512、制作柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二极管的方法
513、具有裂纹耐受阻挡结构的半导体发光二极管及其制造方法
514、具有包含InGaN的有源区的发光二极管半导体结构体
515、形成在氮化物半导体基板上的肖特基势垒二极管
516、一种双极性有机半导体及其有机发光二极管应用
517、一种有机半导体主体材料及其有机发光二极管应用
518、一种可交联有机半导体主体材料及其有机发光二极管应用
519、半导体晶圆的加工方法、应用及肖特基二极管配方生产工艺
520、可交联平衡电荷注入有机半导体及其有机发光二极管应用
521、半导体二极管的雪崩耐量测试装置及其测试方法与应用
522、制作柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二极管的方法
523、具有裂纹耐受阻挡结构的半导体发光二极管及其制造方法
524、具有包含InGaN的有源区的发光二极管半导体结构体
525、形成在氮化物半导体基板上的肖特基势垒二极管
526、一种双极性有机半导体及其有机发光二极管应用
527、一种有机半导体主体材料及其有机发光二极管应用
528、一种可交联有机半导体主体材料及其有机发光二极管应用
529、半导体晶圆的加工方法、应用及肖特基二极管配方生产工艺
530、可交联平衡电荷注入有机半导体及其有机发光二极管应用
531、半导体二极管的雪崩耐量测试装置及其测试方法与应用
532、制作柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二极管的方法
533、具有裂纹耐受阻挡结构的半导体发光二极管及其制造方法
534、具有包含InGaN的有源区的发光二极管半导体结构体
535、形成在氮化物半导体基板上的肖特基势垒二极管
536、一种双极性有机半导体及其有机发光二极管应用
537、一种有机半导体主体材料及其有机发光二极管应用
538、一种可交联有机半导体主体材料及其有机发光二极管应用
539、半导体晶圆的加工方法、应用及肖特基二极管配方生产工艺
540、可交联平衡电荷注入有机半导体及其有机发光二极管应用
541、半导体二极管的雪崩耐量测试装置及其测试方法与应用
542、制作柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二极管的方法
543、具有裂纹耐受阻挡结构的半导体发光二极管及其制造方法
544、具有包含InGaN的有源区的发光二极管半导体结构体
545、形成在氮化物半导体基板上的肖特基势垒二极管
546、一种双极性有机半导体及其有机发光二极管应用
547、一种有机半导体主体材料及其有机发光二极管应用
548、一种可交联有机半导体主体材料及其有机发光二极管应用
549、半导体晶圆的加工方法、应用及肖特基二极管配方生产工艺
550、可交联平衡电荷注入有机半导体及其有机发光二极管应用
551、半导体二极管的雪崩耐量测试装置及其测试方法与应用
552、制作柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二极管的方法
553、具有裂纹耐受阻挡结构的半导体发光二极管及其制造方法
554、具有包含InGaN的有源区的发光二极管半导体结构体
555、形成在氮化物半导体基板上的肖特基势垒二极管
556、一种双极性有机半导体及其有机发光二极管应用
557、一种有机半导体主体材料及其有机发光二极管应用
558、一种可交联有机半导体主体材料及其有机发光二极管应用
559、半导体晶圆的加工方法、应用及肖特基二极管配方生产工艺
560、可交联平衡电荷注入有机半导体及其有机发光二极管应用
561、半导体二极管的雪崩耐量测试装置及其测试方法与应用
562、制作柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二极管的方法
563、具有裂纹耐受阻挡结构的半导体发光二极管及其制造方法
564、具有包含InGaN的有源区的发光二极管半导体结构体
565、形成在氮化物半导体基板上的肖特基势垒二极管
566、一种双极性有机半导体及其有机发光二极管应用
567、一种有机半导体主体材料及其有机发光二极管应用
568、一种可交联有机半导体主体材料及其有机发光二极管应用
569、半导体晶圆的加工方法、应用及肖特基二极管配方生产工艺
570、可交联平衡电荷注入有机半导体及其有机发光二极管应用
571、半导体二极管的雪崩耐量测试装置及其测试方法与应用
572、制作柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二极管的方法
573、具有裂纹耐受阻挡结构的半导体发光二极管及其制造方法
574、具有包含InGaN的有源区的发光二极管半导体结构体
575、形成在氮化物半导体基板上的肖特基势垒二极管
576、一种双极性有机半导体及其有机发光二极管应用
577、一种有机半导体主体材料及其有机发光二极管应用
578、一种可交联有机半导体主体材料及其有机发光二极管应用
579、半导体晶圆的加工方法、应用及肖特基二极管配方生产工艺
580、可交联平衡电荷注入有机半导体及其有机发光二极管应用
581、半导体二极管的雪崩耐量测试装置及其测试方法与应用
582、制作柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二极管的方法
583、具有裂纹耐受阻挡结构的半导体发光二极管及其制造方法
584、具有包含InGaN的有源区的发光二极管半导体结构体
585、形成在氮化物半导体基板上的肖特基势垒二极管
586、一种双极性有机半导体及其有机发光二极管应用
587、一种有机半导体主体材料及其有机发光二极管应用
588、一种可交联有机半导体主体材料及其有机发光二极管应用
589、半导体晶圆的加工方法、应用及肖特基二极管配方生产工艺
590、可交联平衡电荷注入有机半导体及其有机发光二极管应用
