1、一种Ⅳ-Ⅵ族红外半导体薄膜及其配方技术
[简介]：本技术提供了一种IV?VI族红外半导体薄膜的配方技术，采用气相外延法进行制备，该方法以含IV?VI族元素的化合物为反应源，反应源还可包含VI族单质材料，以与IV?VI族红外半导体晶体晶格对称性匹配的晶体基片作为基底，以氩气为载气，VI族单质反应源温度为100?500℃，IV?VI族化合物反应源的温度范围为600?1000℃，基底温度范围为300?600℃，生长时间不少于6分钟。本技术还提供了上述方法制备的IV?VI族红外半导体薄膜，包括PbS、PbSe、PbTe、Pb1?xSnxS、Pb1?xSnxSe、Pb1?xSnxTe薄膜，其中x代表原子百分比，IV?VI族红外半导体薄膜的基底为与该种IV?VI族红外半导体晶体晶格对称性匹配的晶体基片。本技术配方技术成本低、简便易行且效率高，制备得到的IV?VI族红外半导体薄膜结晶质量高，缺陷密度低，表面均匀。
2、一种有机半导体薄膜及其配方技术
[简介]：本技术提供一种有机半导体薄膜及其配方技术，所述配方技术至少包括以下步骤：制备具有壳层结构的无机纳米晶；对具有壳层结构的无机纳米晶中的*离子及金属离子进行同步离子交换，获得具有壳层结构的结构相对稳定的改性无机纳米晶；将所述具有壳层结构的改性无机纳米晶与共轭有机小分子共同分散于有机溶剂中，获得分散液；通过所述分散液形成所述有机半导体薄膜。本技术通过独立调控有机半导体薄膜材料的光电性能和结晶形貌，获得同时具有优异光学性能和载流子输运性能的有机半导体薄膜材料。
3、一种反向气流法制备层状铋氧硒半导体薄膜的方法
[简介]：本技术提出了一种反向气流法制备层状铋氧硒半导体薄膜的方法，属于半导体材料技术领域，包括如下步骤：以铋氧硒固体粉末为生长原材料，将所述生长原材料置于管式炉内的一端，基底置于管式炉内的另一端；先向管式炉内通入反向气流并对管式炉内进行加热，达到沉积温度后，在所述沉积温度下保温；保温结束后，再转为向管式炉内通入正向气流以使所述生长原材料在所述基底上沉积生长，沉积完毕后，得到层状铋氧硒半导体薄膜。本技术提供了一种采用正反向气流可控制备大面积Bi2O2Se二维半导体的方法，该方法简单易操作，成本低廉，所得薄膜面积大质量高，在二维半导体领域具有广阔的应用前景。
4、一种制备多孔有机半导体薄膜的方法
[简介]：本技术提供了一种制备多孔有机半导体薄膜的方法，分别将有机半导体和有机铵盐溶于有机溶剂中，并按照一定的比例混合得混合液，将所述混合液旋涂于衬底上，随后退火，即可得到多孔有机半导体薄膜。由于有机溶剂挥发过程中有机铵盐会促进有机半导体结晶，有机半导体结晶时释放出的空间形成均匀的多孔。本技术制备工艺简单，所得多孔有机半导体薄膜孔径均匀，重复性良好，对设备要求较低，能够快速获得大面积的多孔有机薄膜。本技术所得的多孔有机薄膜可广泛用于新型光电器件和气相传感器等领域。
5、一种电化学刻蚀金刚石半导体薄膜的方法
[简介]：本技术属于半导体制造技术领域，具体提供了一种电化学刻蚀金刚石半导体薄膜的方法。本技术通过将金刚石半导体薄膜浸入电解液中作为电解池的*极，另采用惰性电极作为电化学电解池的阳极，在*阳两极间施加电压15～50V的直流电，在常温常压条件下电解金刚石半导体薄膜，对金刚石薄膜表面进行刻蚀，实现对金刚石半导体薄膜的减材加工。本技术从减材加工原理上创新，提出了一种只需采用简单的设备在常温常压下仅一步就可刻蚀金刚石半导体薄膜的新方法，具有较大的经济意义和推广价值。
6、一种Mn掺杂ZnO稀磁半导体薄膜的配方技术
[简介]：本技术涉及一种稀磁半导体制备技术领域，具体涉及一种Mn掺杂ZnO稀磁半导体薄膜的配方技术，包括以下步骤：1)称取适量的锌源和锰源粉末，球磨混合均匀；2)将混合粉末掺入有机粘合剂并调和均匀，压制成圆饼状复合物；3)将圆饼状复合物在400?1100℃的条件下进行煅烧6?8小时，冷却至室温得到Zn1?xMnxO靶材；4)清洗衬底；5)上衬底；6)调控直流磁控溅射装置，对衬底进行磁控溅射靶材进行镀膜，镀膜结束后，冷却至室温，得到Zn1?xMnxO稀磁半导体薄膜。本技术首次使用石墨烯片作为衬底材料，制备了Zn1?xMnxO稀磁半导体薄膜；采用直流磁控溅射技术，使靶材材料和衬底更加均匀，Zn1?xMnxO复合膜更加稳定；且其铁磁性和光致发光性能优异。
7、二氧化钛半导体薄膜及配方技术与其在光电催化中的应用
[简介]：本技术提供了二氧化钛半导体薄膜及配方技术与其在光电催化中的应用，其晶相结构为锐钛矿相结构，(131)晶面的透射电子显微镜高分辨率图谱中，相邻(101)晶面之间的距离均为其配方技术为：将金属钛反应溅射为沉积态二氧化钛薄膜，将沉积态二氧化钛薄膜退火处理为锐钛矿二氧化钛薄膜，获得的锐钛矿二氧化钛薄膜即为目标产物二氧化钛半导体薄膜。本技术提供的二氧化钛半导体薄膜具有更高的光电流密度，从而具有更好的光电催化效率。
8、超薄晶态连续有机半导体薄膜及其配方技术和应用
[简介]：本技术提供了一种超薄晶态连续有机半导体薄膜及其配方技术和应用，配方技术包括：将10～20μl半导体溶液滴加至第一基液中，静置，得到第二基液，将PTS修饰载体垂直插入第二基液中，再以5～10um/s的速度将PTS修饰载体向上垂直提拉，在PTS修饰载体的表面获得超薄晶态连续有机半导体薄膜，其中，半导体溶液为半导体和有机溶剂的混合物，半导体溶液中半导体的浓度为0.5～1mg/mL，第一基液为四丁基溴化铵和水的混合物，第一基液中四丁基溴化铵的浓度为8～10mg/mL，有机溶剂为甲苯或氯苯。本技术运用较少的有机半导体生成了大面积连续半导体薄膜，可以应用到大面积集成电路的制备。
9、多晶硅半导体薄膜衬底的配方技术
[简介]：本技术提供了一种多晶硅半导体薄膜衬底的配方技术，属于半导体制备技术领域，包括将硅基材料和掺杂材料在惰性气体保护的高温高压环境下进行烧结的烧结处理；对烧结产物进行腐蚀以清除杂质的腐蚀处理；对腐蚀产物进行二次退火处理；以及对退火产物进行化学机械抛光处理；上述硅基材料为碳化硅和硅粉，掺杂材料为碳粉、钛酸锶、钒酸钇和氧氯化锆。本技术的配方技术能修正并改善衬底翘曲度，降低衬底表面粗糙度，并控制粗糙度不高于0.6nm，增加衬底表面的光滑度进而增加多晶硅薄膜的平整度；能利用微缺陷点吸收多晶硅薄膜层与衬底间的应力，避免多晶硅薄膜开裂和位错形成，降低多晶硅薄膜的剥离损耗；所得衬底能反复循环使用，且生产成本低。
10、一种异质衬底半导体薄膜器件对准方法
[简介]：本技术提供了一种异质衬底半导体薄膜器件对准方法，步骤依次为：在目标衬底正面完成器件电路的制备，以及对准标记A阵列和对准标记B阵列的制备；将待转移半导体薄膜剥离转移到目标衬底晶圆正面；在转移至目标衬底上的半导体薄膜上，通过曝光暴露出至少两个对准标记A；通过掩膜版与对准标记A进行对准曝光，暴露出对准标记B阵列；利用对准标记B阵列，通过标准微电子加工工艺在转移后的半导体薄膜正面进行器件流片以及半导体薄膜与目标衬底器件结构的异质互联。本技术解决了异质衬底集成不透明半导体薄膜材料的高精度对准问题，为后续基于标准微电子工艺的异质集成技术奠定基础，有助于进一步提升异质集成密度。
11、一种基于超临界流体脉冲的半导体薄膜可控生长系统
12、一种以双（甲酸）二甲基锡N型半导体薄膜作为电子传输层的太阳能电池及其配方技术
13、一种具有室温铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜及其配方技术
14、硅衬底上生长氮极性Ⅲ族氮化物半导体薄膜的配方技术
15、一种VO2合金半导体薄膜及配方技术和应用
16、用于生长半导体薄膜的低温型衬底加热台及其制作方法
17、一种半导体薄膜气体传感器及其配方技术
18、一种异质半导体薄膜及其配方技术
19、一种IV-VI族半导体薄膜及其配方技术
20、一种基于二维半导体薄膜的多层堆叠电路及其配方技术
21、一种二维材料半导体薄膜的大规模制备及图案化方法及二维材料半导体薄膜
22、一种室温铁磁硅锗锰半导体薄膜的配方技术及其应用
23、一种柔性衬底高迁移率氧化物半导体薄膜室温生长与后处理方法
24、一种超临界二氧化碳脉冲可控生长二维半导体薄膜的方法
25、氮化铝半导体薄膜的制作方法及其结构
26、p型透明导电SnO2半导体薄膜及其配方技术和应用
27、一种非晶铟铝锡氧化物半导体薄膜的配方技术
28、半导体薄膜结构以及包括其的电子器件
29、一种退火后的氧化物半导体薄膜和改善氧化物半导体薄膜结晶质量的两步退火法
30、一种Fe掺杂γ-Ga2O3磁性半导体薄膜及其配方技术和应用
31、半导体薄膜的形成方法
32、一种三元化合物半导体薄膜的配方技术
33、一种半导体薄膜剥离及转移衬底的方法
34、一种半导体薄膜及其配方技术
35、一种半导体薄膜平坦度改善的方法
36、一种柔性无机半导体薄膜及其配方技术
37、一种聚合物半导体薄膜配方技术及应用
38、一种锌黄锡矿结构半导体薄膜的配方技术
39、一种平面电极半导体薄膜PN结贝塔辐射伏特电池
40、相变温度可调的RuxV1-xO2合金半导体薄膜材料、配方技术及其在智能窗中的应用
41、一种基于金属氧化物半导体薄膜材料的H2S气体传感器及其配方技术
42、一种稳定、高效的钙钛矿半导体薄膜太阳能电池及其配方技术
43、一种基于有机半导体薄膜的柔性直流发电机
44、一种钝化剂及其钝化方法和制备半导体薄膜的方法
45、一种硒半导体薄膜的配方技术
46、单层有机半导体薄膜的配方技术
47、一种半导体薄膜层的转移方法及复合晶圆的配方技术
48、梯度自掺杂多元金属氧化物半导体薄膜的喷雾热解配方技术
49、一种Cu掺杂SnSe半导体薄膜及其电化学配方技术
50、一种制备Cu掺杂稀磁半导体薄膜的方法
51、半导体薄膜制造中的变频微波（VFM）工艺及应用
52、一种基于半导体薄膜的智能温控毛毯
53、一种用于n型透明半导体薄膜的纳米锡酸锌材料的合成方法
54、一种TaN半导体薄膜电极的配方技术
55、一种室温下制备碘化亚铜P型透明半导体薄膜材料的方法
56、一种多孔有机半导体薄膜的配方技术
57、一种氧化锡光子晶体负载氧化钨和硫化镉半导体薄膜及其配方技术和应用
58、一种利用深紫外激光对氧化物半导体薄膜进行退火的方法
59、在二维平面和三维曲面制备连续半导体薄膜的方法和应用
60、一种化合物半导体薄膜太阳能电池配方技术
61、一种三氧化钨半导体薄膜及其配方技术和应用
62、溅射靶、氧化物半导体薄膜及它们的制造方法
63、一种半导体薄膜器件及其配方技术与应用
64、一种硒化钼半导体薄膜及其配方技术和应用
65、氧化物半导体薄膜
66、一种半导体薄膜平坦度改善的方法
67、一种光电性能优异的多元非晶金属氧化物半导体薄膜的配方技术
68、一种稀磁半导体薄膜的配方技术
69、一种可变带隙的AlCoCrFeNi高熵合金氧化物半导体薄膜及其配方技术
70、一种镓锡氧化物半导体薄膜及其配方技术和应用
71、一种基于二维半导体薄膜/绝缘层/半导体结构的电荷耦合器件
72、一种基于纳米晶体的有机/无机杂化p型半导体薄膜材料
73、一种基于纳米晶体的有机/无机杂化n型半导体薄膜材料
74、一种中红外透明P型半导体薄膜的配方技术
75、一种制备Cu掺杂AlN稀磁半导体薄膜的方法
76、溅射靶、氧化物半导体薄膜及它们的制造方法
77、掩膜版组合和使用掩膜版组合将半导体薄膜图形化的方法
78、一种AgBiS2半导体薄膜的配方技术
79、一种半导体薄膜及其配方技术
80、一种离子注入制备Cu掺杂AlN稀磁半导体薄膜的方法
81、氧化物半导体薄膜的制作方法及应用
82、一种碳银碳半导体薄膜材料的配方技术
83、一种碳银碳半导体薄膜材料的配方技术
84、一种二硫化钼半导体薄膜材料的配方技术
85、一种脉冲直流溅射波形调控半导体薄膜成分的方法
86、一种高迁移率硒氧化铋半导体薄膜的化学刻蚀方法
87、一种脉冲式快速热处理半导体薄膜表面的方法
88、一种铜锌锡硫硒半导体薄膜的配方技术及其应用
89、一种半导体薄膜材料
90、一种半导体薄膜四象限光照传感器及其配方技术
91、禁带宽度可调的CdTexSe1-x半导体薄膜及其配方技术和应用
92、一种在FTO衬底上制备二硒化钨半导体薄膜的方法及其应用
93、一种高温下纳米结构可控的金属氧化物半导体薄膜电极材料的配方技术
94、一种在CuFeO/CuInS复合半导体薄膜电极上将CO还原为甲醇的方法
95、一种硼酸锌单晶作为半导体薄膜衬底的新用途
96、一种铁磁半导体薄膜材料的配方技术
97、一种C轴对称结晶氧化物半导体薄膜的配方技术和应用
98、一种氧化物半导体薄膜的配方技术
99、一种半导体薄膜电解质型燃料电池及其制作方法
100、一种用于AMOLED显示屏半导体薄膜配方技术
101、一种氧化物半导体薄膜及其制备工艺
102、一种铁磁半导体薄膜的转移方法及应用
103、一种用于化合物半导体薄膜及太阳电池的脉冲电沉积制备高质量铟薄膜的方法
104、一种高迁移率层状硒氧化铋半导体薄膜及其配方技术
105、一种纯相In2S3半导体薄膜的硫化辅助电沉积配方技术
106、一种Cu2ZnSnS4/石墨烯复合半导体薄膜的配方技术及其应用
107、一种制备铟钛氧透明半导体薄膜的低温溶液方法
108、一种氧化物半导体薄膜及其低温溶液配方技术
109、一种以绝缘基片为衬底的碳-铝-碳半导体薄膜材料及其配方技术
110、一种p型CuMInO非晶氧化物半导体薄膜及其配方技术
111、适用于转印的无机半导体薄膜功能单元的配方技术
112、一种制备铜基硫硒化物半导体薄膜方法
113、一种低温制备锌锡氧透明半导体薄膜的溶液方法
114、一种p型CuNiSnO非晶氧化物半导体薄膜及其配方技术
115、氧化亚铜半导体薄膜材料的配方技术
116、一种低温制备铟镓锌氧透明半导体薄膜的液相方法
117、一种柔性半导体薄膜电子器件的封装结构及封装方法
118、一种制备铟铝氧透明半导体薄膜的低温液相方法
119、一种窄带隙的Sb2S3半导体薄膜的水热配方技术
120、一种p型CuNSnO非晶氧化物半导体薄膜及其配方技术
121、一种p型CrMCuO非晶氧化物半导体薄膜及其配方技术
122、一种合成碘化铜锌三元宽带隙化合物半导体薄膜材料的化学方法
123、一种氧化铜半导体薄膜的配方技术
124、一种p型NiMSnO非晶氧化物半导体薄膜及其配方技术
125、一种提高CuZnSnS半导体薄膜载流子迁移率的方法
126、一种热处理过程中调控半导体薄膜中元素吸附或逃逸的方法
127、一种p型CrMCuO非晶氧化物半导体薄膜及其配方技术
128、化合物半导体薄膜及其配方技术
129、一种溶液法制备多孔有机半导体薄膜的方法及应用
130、一种p型ZnMSnO非晶氧化物半导体薄膜及其配方技术
131、一种钴掺杂氧化镓稀磁半导体薄膜及其配方技术
132、一种p型CaMSnO非晶氧化物半导体薄膜及其配方技术
133、一种硫化铋半导体薄膜的配方技术
134、一种氧化铟透明半导体薄膜的低温溶液配方技术
135、氮化物半导体薄膜及配方技术
136、一种半导体薄膜型器件的配方技术
137、一种基于非对称结构的有机半导体薄膜取向配方技术和表征方法
138、一种半导体薄膜的配方技术
139、一种p型ZnRhMO非晶氧化物半导体薄膜及其配方技术
140、一种MoS2/Ag/MoS2半导体薄膜材料及其配方技术
141、一种p型CuMSnO非晶氧化物半导体薄膜及其配方技术
142、一种p型ZnAlSnO非晶氧化物半导体薄膜及其配方技术
143、一种铟锌氧透明半导体薄膜的低温溶液配方技术
144、一种p型ZnGeSnO非晶氧化物半导体薄膜及其配方技术
145、一种具有纳米结构的非晶氧化物半导体薄膜及其配方技术
146、P型氧化物半导体薄膜的原子层沉积
147、氧化物烧结体、溅射用靶以及用其得到的氧化物半导体薄膜
148、氧化物烧结体、溅射用靶以及用其得到的氧化物半导体薄膜
149、氧化物烧结体、溅射用靶、以及使用其得到的氧化物半导体薄膜
150、氧化物烧结体、溅射靶以及使用该溅射靶而得到的氧化物半导体薄膜
151、一种高分辨质谱成像系统图像采集半导体薄膜、配方技术及应用
152、一种在FTO衬底上制备铜锌锡硫半导体薄膜的方法及应用
153、氧化物烧结体、溅射用靶及使用该靶得到的氧化物半导体薄膜
154、一种半导体材料、半导体薄膜及其配方技术
155、氧化物烧结体、溅射靶以及使用该溅射靶而获得的氧化物半导体薄膜
156、氧化物烧结体、溅射靶以及使用该溅射靶而得到的氧化物半导体薄膜
157、掺杂有钴的铅钯氧半导体薄膜及其磁学特性的调控方法
158、氧化物烧结体、溅射用靶及使用该靶得到的氧化物半导体薄膜
159、制造氧化物半导体薄膜电晶体的方法
160、化合物半导体薄膜结构
161、一种SiC基稀磁半导体薄膜及其配方技术
162、一种电线电缆用铁氟龙半导体薄膜及其配方技术
163、有机半导体薄膜的形成方法、以及使用该方法的有机半导体器件及其制造方法
164、一种氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜的配方技术
165、于半导体薄膜的应变松弛的异质外延中用于缺陷的有效深宽比捕捉的具倾角的沟槽的使用
166、一种增强ZnO基稀磁半导体薄膜室温铁磁性的方法
167、一种Cu2ZnSnS4半导体薄膜及其电化学配方技术
168、一种铟镓锌氧化物半导体薄膜和铟镓锌氧化物TFT配方技术
169、一种干净无损转移有机半导体薄膜的新方法
170、一种柔性铜基硫属半导体薄膜太阳电池窗口层结构
171、一种基于重金属诱导有机半导体薄膜结晶取向的喷墨打印方法
172、半导体薄膜反应腔辅助温度校准方法
173、一种制备GaN:Gd稀磁半导体薄膜材料的方法
174、一种低漏电流半导体薄膜异质结及其配方技术
175、一种非晶半导体薄膜及其配方技术和应用
176、用于锡氧化物半导体的组合物以及形成锡氧化物半导体薄膜的方法
177、一种制备GaMnN稀磁半导体薄膜材料的方法
178、p型氮化镓为主的三族氮化物半导体薄膜的薄膜溅镀过程
179、有机半导体薄膜的制造方法
180、薄膜太阳能电池、半导体薄膜、及半导体形成用涂布液
181、一种柔性半导体薄膜电子器件的封装方法
182、一种半导体薄膜型的热电器件及其配方技术
183、n型有机半导体薄膜的制造方法
184、半导体薄膜制造中的变频微波（VFM）工艺及应用
185、一种硫化镉半导体薄膜的简单高效配方技术
186、氧化锌基稀磁半导体薄膜的配方技术及其电荷浓度的原位调控方法
187、半导体薄膜太阳能电池前后表面的混合陷光结构配方技术
188、一种用于生长半导体薄膜的图形化衬底的配方技术
189、氧氮化物半导体薄膜
190、一种高质量铜锌锡硫半导体薄膜的配方技术
191、一种Cu2ZnSnS4半导体薄膜的配方技术及其应用
192、一种采用纳米钛酸锶半导体薄膜的量子点敏化太阳能电池
193、半导体薄膜太阳能电池前后表面的陷光结构配方技术
194、一种化合物半导体薄膜材料的配方技术
195、有机半导体薄膜制造方法
196、一种硫化锌半导体薄膜的简单高效配方技术
197、一种非晶氧化物半导体薄膜及其配方技术和应用
198、一种超饱和掺杂半导体薄膜的配方技术
199、一种掺杂铁酸铋半导体薄膜材料及其配方技术
200、调节氧化锌和氧化钛复合半导体薄膜ZnO-TiO光学带隙的方法
201、基于氧化镍阳极界面层的有机半导体薄膜太阳能电池的配方技术
202、一种电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的方法
203、硫化物半导体形成用涂布液、硫化物半导体薄膜和薄膜太阳能电池
204、调节氧化锡和氧化钛复合半导体薄膜TiO-SnO发光强度的方法
205、室温原位控制合成氧化银半导体薄膜材料的方法
206、化合物半导体薄膜的制作方法及具备该化合物半导体薄膜的太阳能电池
207、溅射靶、氧化物半导体薄膜及它们的制造方法
208、溅射靶、氧化物半导体薄膜及它们的制造方法
209、ZnO基稀磁半导体薄膜及其配方技术
210、溅射靶、氧化物半导体薄膜及它们的制造方法
211、磁控溅射法制备TiCoSb半导体薄膜
212、二氧化锡半导体薄膜的配方技术及其缺陷湮灭方法
213、一种Mg掺杂AlN基稀磁半导体薄膜的配方技术
214、半导体薄膜、半导体薄膜的配方技术和半导体元件
215、具有氧化物半导体薄膜层的层叠结构的制造方法
216、无掺杂室温铁磁性自旋零禁带半导体薄膜及配方技术
217、一种低漏电流半导体薄膜异质结及配方技术
218、一种有机半导体薄膜的配方技术
219、一种半导体薄膜高温变形传感器
220、一种溶胶凝胶法制氧化铟镓锌半导体薄膜的方法
221、悬空半导体薄膜结构及传感器单元的制造方法
222、能够调节发光强度的氧化锌和氧化钛复合半导体薄膜的配方技术
223、ZnS纳米晶半导体前驱薄膜或半导体薄膜的电化学配方技术
224、染料敏化太阳能电池的叠层纳米半导体薄膜电极
225、一种制造半导体薄膜的方法及其半导体薄膜
226、一种金属氧化物半导体薄膜及其配方技术与应用
227、一种金属及半导体薄膜材料光学常数的标定方法
228、一种化合物半导体薄膜的自组装生长方法
229、散射层由渐进TiO2颗粒构成的半导体薄膜配方技术
230、一种制造镁掺杂半导体薄膜的方法及其半导体薄膜
231、具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜及其配方技术
232、氧化亚铜半导体薄膜材料的配方技术
233、化合物半导体薄膜形成用油墨及其制造方法
234、一种二硫化亚铁半导体薄膜的配方技术
235、一种可调带隙铜锌锡硫半导体薄膜及其配方技术
236、不同层面孔径渐进的半导体薄膜及配方技术
237、在碳化硅半导体薄膜双注入区形成短沟道的方法
238、使用半导体薄膜做敏化剂的太阳电池光阳极及其制备
239、一种ZnS1-xSex半导体薄膜的配方技术
240、In-Ga-O系氧化物烧结体、靶、氧化物半导体薄膜以及它们的制造方法
241、氧化物烧结体、由其形成的靶和氧化物半导体薄膜
242、一种II-VI族稀释氧化物半导体薄膜太阳电池
243、电沉积磷酸银光催化半导体薄膜的电化学配方技术
244、一种具有内禀铁磁性ZnO基稀磁半导体薄膜及其配方技术
245、一种在低温下制备纳米金属氧化物半导体薄膜电极的方法
246、一种具有内禀铁磁性ZnO基稀磁半导体薄膜及其配方技术
247、半导体薄膜的制备
248、用天然硫铁矿制备的半导体薄膜原料浆体
249、基于N型硅片的碲化镉半导体薄膜异质结太阳电池
250、一种CdSe纳米晶半导体薄膜的配方技术
251、一种在水相碱性条件下电化学制备碲化镉半导体薄膜的方法
252、一种气敏层采用弱外延有机半导体薄膜气体传感器
253、有机半导体薄膜以及有机半导体单晶薄膜的制造方法
254、化合物半导体薄膜制作用油墨、使用该油墨获得的化合物半导体薄膜、具备该化合物半导体薄膜的太阳能电池及该太阳能电池的制造方法
255、用于制备太阳电池的半导体薄膜的含Sb溶液体系及配方技术
256、一种硒化铅半导体薄膜的配方技术
257、有机半导体材料，有机半导体薄膜和有机半导体器件
258、微晶半导体薄膜制造方法
259、化合物半导体薄膜太阳能电池及其制造方法
260、一种Si掺杂AlN稀磁半导体薄膜的配方技术
261、一种电沉积碘化银半导体薄膜的电化学配方技术
262、MgZnO半导体薄膜的配方技术
263、一种高选择性半导体薄膜的制作方法
264、一种Ni掺杂AlN基稀磁半导体薄膜材料的配方技术
265、一种双参数、高灵敏度的有机小分子半导体薄膜磁性传感器
266、钨掺杂的纳米晶二氧化钛半导体薄膜及其配方技术和应用
267、具有防雾功能的复合半导体薄膜及其配方技术
268、一种柔性衬底上沉积半导体薄膜的方法
269、溅射靶、化合物半导体薄膜、具有化合物半导体薄膜的太阳能电池以及化合物半导体薄膜的制造方法
270、半导体薄膜太阳能电池的制造系统和方法
271、一种制作高选择性半导体薄膜方法
272、一种制作复合半导体薄膜材料的方法
273、纳米结构柔性化合物半导体薄膜太阳电池
274、一种均匀致密碘化亚铜半导体薄膜的电化学配方技术
275、一种球状CdS半导体薄膜的配方技术
276、一种制作半导体薄膜的方法
277、一种电化学沉积铜锌锡硒半导体薄膜材料的方法
278、一种用于声表面波传感器的半导体薄膜的成膜方法
279、一种制作半导体薄膜材料的方法
280、一种电沉积碘化银半导体薄膜的电化学配方技术
281、一种制作高选择性半导体薄膜材料的方法
282、基于N型硅片的黄铜矿类半导体薄膜异质结太阳电池
283、新型有机半导体化合物、其制造方法、以及含有其的有机半导体组合物、有机半导体薄膜和元件
284、用于加工半导体薄膜晶片的晶片支撑粘合膜
285、一种CuInS2纳米晶半导体薄膜的配方技术
286、一种可改善硫族半导体薄膜性能的水热处理方法
287、黄铜矿类铜铟镓的硒化物或硫化物半导体薄膜材料的配方技术
288、一种Cr掺杂ZnO基稀磁半导体薄膜材料的配方技术
289、一种常温制备AlxGa1-xN三元合金半导体薄膜的方法
290、一种化合物半导体薄膜的配方技术
291、Co-Ga共掺的ZnO基稀磁半导体薄膜及其配方技术
292、包含镁掺杂半导体薄膜的光伏器件
293、制造半导体薄膜的堆叠的方法
294、一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体薄膜的退火炉结构
295、基于P型硅片的黄铜矿类半导体薄膜异质结太阳电池
296、半导体薄膜的纳区横向外延生长方法
297、多晶半导体薄膜的制造方法
298、磁性增强的H掺杂MnxGe1-x磁性半导体薄膜
299、铜锌锡硫化合物半导体薄膜太阳能电池及配方技术
300、形成半导体薄膜的方法和制造薄膜半导体器件的方法
301、柔性衬底生长n型ZnMgO掺Ga半导体薄膜的方法
302、N2O掺杂p型Zn1-xCoxO稀磁半导体薄膜及其配方技术
303、染料敏化太阳电池用有上转换功能的纳米多孔半导体薄膜
304、一种高取向溴化亚铜半导体薄膜的电化学配方技术
305、GaMnN稀释磁性半导体薄膜材料的配方技术及其应用
306、铌酸锂/Ⅲ族氮化物异质结铁电半导体薄膜配方技术及应用
307、铜锌锡硫化合物半导体薄膜太阳能电池及配方技术
308、制造结晶半导体薄膜的方法
309、半导体薄膜、半导体薄膜的配方技术和半导体元件
310、一种铜铟镓硒半导体薄膜的配方技术
311、一种脉冲电沉积铜铟镓硒半导体薄膜材料的方法
312、半导体薄膜的选择性外延形成
313、结晶半导体薄膜的方法
314、一种制备稀磁半导体薄膜的方法
315、CuInSe2半导体薄膜太阳电池光吸收层的制备工艺
316、一种制备Cu2ZnSnS4半导体薄膜太阳能电池吸收层的工艺
317、一种制备具有室温铁磁性氧化锌基稀磁半导体薄膜的方法
318、超声喷雾热分解化合物半导体薄膜制备系统
319、包括由氧化锌构成的氧化物半导体薄膜层的半导体器件及其制造方法
320、半导体薄膜结晶及半导体器件制造方法
321、形成半导体薄膜的方法
322、电热半导体薄膜发热元件及其制作方法
323、结晶半导体薄膜的方法
324、有机化合物及使用了它的半导体薄膜电极、光电转换元件、光电化学太阳能电池
325、电输运性质可调控的氧化物磁性半导体薄膜及其配方技术
326、晶体半导体薄膜,半导体器件及其制造方法
327、有机半导体器件和有机半导体薄膜
328、金属氧化物半导体薄膜、结构和方法
329、提高硫化锡半导体薄膜电导率的方法
330、半导体薄膜结晶及半导体元件制造的方法
331、芳香烯二炔衍生物、有机半导体薄膜、生产方法和电子器件
332、半导体器件
333、电磁场约束电感耦合溅射制备ZnO基稀磁半导体薄膜的方法
334、引用半导体薄膜后制造方法以改善高频传输的封装结构
335、有机半导体材料,有机半导体薄膜和有机半导体器件
336、具有室温铁磁性的氧化物基稀磁半导体薄膜及其配方技术
337、半导体薄膜及其制造方法
338、Zn1-xCoxO稀磁半导体薄膜及其制备技术
339、飞秒脉冲激光制备β-FeSi2半导体薄膜的方法
340、一种用于光伏电池的Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜的配方技术
341、一种获取均匀宽带隙半导体薄膜的同轴进气方法
342、高质量氮化物半导体薄膜及其制作方法
343、在硅衬底上制备高质量发光半导体薄膜的方法
344、多并苯化合物及有机半导体薄膜
345、有氮化物半导体薄膜的基底及该薄膜的生长方法
346、非晶态高掺杂COxTi1-xO2铁磁性半导体薄膜的配方技术
347、太阳能电池以及形成该太阳能电池的光吸收层的方法
348、半导体薄膜的改性方法
349、低缺陷氮化物半导体薄膜及其生长方法
350、半导体薄膜内包层放大光纤及其制造方法
351、光伏半导体薄膜渡液及光伏半导体薄膜的配方技术
352、ⅠB-ⅢA-ⅥA族四元或更多元合金半导体薄膜的配方技术
353、I-III-VI族四元或更多元合金半导体薄膜
354、半导体薄膜的制造方法
355、半导体薄膜及其制造方法以及半导体器件及其制造方法
356、应变调制掺杂法制备P型氧化锌半导体薄膜材料的方法
357、氧化锌基纳米棒和半导体薄膜的P-N异质结结构、其制备和包括其的纳米器件
358、半导体薄膜后处理系统及样品架
359、铜铟镓的硒或硫化物半导体薄膜材料的配方技术
360、包括具有不同结晶度的半导体薄膜的半导体器件及其基片和制作方法、以及液晶显示器及其制造方法
361、掺锰硅基磁性半导体薄膜材料及制法
362、在异质衬底上制作晶体半导体薄膜的方法
363、等离子体滤波器氮化铟半导体薄膜
364、结晶半导体薄膜叠层的形成方法以及滤色器
365、半导体薄膜及其制造方法以及半导体器件及其制造方法
366、一种广义的绝缘体上半导体薄膜材料及配方技术
367、薄膜、半导体薄膜、半导体器件的生产方法
368、半导体薄膜的制造方法
369、用激光结晶化法加工衬底上半导体薄膜区域的方法和掩模投影系统
370、多晶半导体薄膜衬底及其制造方法、半导体器件和电子器件
371、半导体薄膜光电极的配方技术及其应用
372、稀土掺杂的半导体薄膜
373、生产半导体薄膜的方法和使用该薄膜的太阳电池的生产方法
374、半导体衬底、半导体薄膜以及多层结构的制造工艺
375、结晶性硅系列半导体薄膜的制造方法
376、半导体薄膜及其制造方法以及使用该薄膜的太阳能电池
377、半导体薄膜以及薄膜器件
378、制备CuInSe2半导体薄膜的溶胶-凝胶-Se化工艺
379、批量生产的半导体薄膜压力传感器及其制造方法
380、处理半导体薄膜的方法及利用此方法所制造的半导体器件
381、半导体薄膜、半导体器件及其制造方法和电子设备
382、半导体薄膜以及半导体器件
383、半导体薄膜及其制造方法以及半导体器件及其制造方法
384、一种半导体薄膜电热元件及其制法
385、溶液生长半导体薄膜的方法
386、半导体薄膜制造方法以及磁电变换元件的制造方法
387、半导体薄膜及使用这种薄膜的半导体器件的制造方法
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,内容都包括具体的配方配比生产制作过程，收费300元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263
