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晶体硅片加工工艺技术生产处理方法

发布时间:2021-09-03   作者:admin   浏览次数:176

1 一种晶体硅片的制绒方法及硅片 
   简介:本技术提供了一种晶体硅片的制绒方法,其包括:提供硅片,在硅片背面形成保护层,去除硅片正面的机械损伤层,制绒,酸洗去除保护层。其中,保护液中含有白炭黑,碱性溶液和制绒液不腐蚀保护层。相应的,本技术还提供了一种硅片,其采用上述的晶体硅片的制绒方法制绒后得到。实施本技术,可有效降低硅片破损率,提升太阳能电池的光电转换效率。
2 晶体硅片腐蚀速率测试方法 
   简介:本技术提供了一种晶体硅片腐蚀速率测试方法,属于硅片测试技术领域,包括将待腐蚀的硅片称重,记录硅片腐蚀前的重量W1;将硅片放到清洗槽内的滚动输送装置上,对硅片进行清洗和腐蚀;取出经腐蚀后的硅片称重,记录硅片腐蚀后的重量W2;计算硅片腐蚀的深度;计算每次测试的硅片腐蚀速率,计算硅片腐蚀速率的平均值。本技术提供的晶体硅片腐蚀速率测试方法,操作简单,方便可靠,不仅提高了测试数据的精确性,也提高了测试的工作效率。
3 一种制绒辅助装置及晶体硅片处理方法 
   简介:本技术提供一种制绒辅助装置及晶体硅片处理方法,制绒辅助装置包括:承载结构,用于承载晶体硅片;激光装置,用于向所述承载结构投射激光;板体,所述板体位于所述承载结构与所述激光装置之间,所述板体上形成有多个镂空,所述激光装置投射的激光能够穿过所述镂空投射在所述承载结构上的晶体硅片上。根据本技术的制绒辅助装置,通过在板体上形成有多个镂空,激光装置投射的激光穿过镂空投射在承载结构上的晶体硅片上,对晶体硅片的表面进行损伤,降低了对激光的精度要求,能够快速高效地在晶体硅片表面形成多个损伤点,易于制绒时实现较好的绒面效果。
4 一种N型晶体硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法 
   简介:本技术涉及太阳能电池技术领域,具体提供一种N型晶体硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法。所述硼扩散方法包括以下步骤:将硼扩散前硅片预氧化处理,以在硅片表面形成氧化层保护层;将预氧化处理后的硅片放入扩散炉内进行硼沉积。本技术提供的硼扩散方法,能有效去除硅片背表面的水印,提升电池的成品合格率和转换效率,转换率约提升0.1%,合格率约提升12%。
5 晶体硅片表面金字塔绒面配方技术 
   简介:本技术提供了一种晶体硅片表面金字塔绒面配方技术,属于新材料领域。本技术可以在晶体硅表面制备大面积微纳米尺度金字塔阵列绒面结构,所制备的微纳米正金字塔密度大、表面光滑,可以显著增加硅片表面对光的吸收。本技术制备金字塔绒面工艺简单,成本低廉,可大规模用于太阳能电池等应用。
6 抛光处理晶体硅片表面技术在太阳电池制备中的应用 
   简介:抛光处理晶体硅片表面技术在太阳电池制备中的应用,其特征是在单晶硅或多晶硅太阳电池制备过程中,将清洗制绒工序中的制绒步骤改用抛光。本技术可减少硅片表面的复合损耗、载流子在发射极层或TCO层等中的传输损耗和阻碍,提高太阳电池的开路电压、短路电流、填充因子和转换效率;大大减少化学试剂的用量,降低工艺控制的难度并提高产品的均匀性和一致性。可减少微观裂纹,降低生产中的破片率和组件生产的隐裂;并且由于抛光的刻蚀量小于制绒的刻蚀量,所以可采用更薄的硅片,硅片厚度可减少10微米,可节省硅片部分成本10‑15%;可减少组件中焊带等所导致的系统串联电阻的影响以及系统连接用导线中的传输损耗。
7 背钝化晶体硅片的返工处理方法、太阳能电池及配方技术 
   简介:本技术涉及一种背钝化晶体硅片的返工处理方法、太阳能电池及配方技术。包括如下步骤:判断背钝化晶体硅片表面上的钝化膜的材质类型以及是否为异常膜,然后针对钝化膜的材质类型,有针对性的选择不同的酸洗液,再将酸洗后的所述背钝化晶体硅片用纯水清洗。上述返工处理方法适用于背钝化晶体硅片的返工,经此返工处理方法最终制备得到的背钝化晶体硅太阳能电池可以达到背钝化晶体硅电池的合格标准,实现了返工处理的目的。此外,该返工处理方法简单且具有针对性,进而达到钝化膜清洗彻底,避免造成清洗液的无谓浪费。
8 一种太阳能电池片的连接方法及脉冲激光切割晶体硅片的方法 
   简介:本技术提供了一种太阳能电池片的连接方法及脉冲激光切割晶体硅片的方法,用于将由太阳能电池片分割而得的电池小片电连接起来,最终用于构建太阳能电池组件,本技术创造性的将丝网印刷工艺引进到太阳能电池小片的正面主栅线和背面主栅线的导电胶涂布作业上,通过选择丝网的厚度来精确控制导电胶的涂布厚度,且导电胶整个涂布区域形状规整、厚度一致,克服了点胶机在涂布区域边缘胶液外溢、厚度不均的问题。
9 一种脉冲激光切割晶体硅片的装置及方法 
   简介:本技术提供了一种脉冲激光切割晶体硅片的装置及方法,创造性的将脉冲激光束横截面由圆形调整为椭圆形,且使其长轴方向与切割方向一致或基本一致,就可以有效的减小切割缝边沿热影响区域的尺寸,因为在长轴方向更大的热扩散范围反而对切割做出了贡献,而对切割后的产品没有影响。
10 一种在晶体硅片表面选择性制备绒面的方法 
   简介:本技术提供了一种在晶体硅片表面实施化学溶液腐蚀制备绒面的方法。本技术所提供的在晶体硅片表面实施化学溶液腐蚀制备绒面的方法是,与目前普遍采用的把制绒添加剂直接加入到化学腐蚀制绒溶液中不同,而是在对晶体硅片实施化学溶液腐蚀制备绒面步骤之前,把制绒添加剂涂布在需要被制绒的晶体硅片表面上。在晶体硅片表面上所涂布的制绒添加剂不与晶体硅片发生反应,然后使化学腐蚀溶液润湿被制绒添加剂涂布的晶体硅片表面,对该晶体硅片的表面实施化学腐蚀制备绒面的步骤。
11 用于晶体硅片去毛刺的装置
12 一种太阳能电池晶体硅片磷扩散方法
13 一种金刚线切割的晶体硅片的清洗方法
14 金刚线切割的晶体硅片的脱胶方法及使用的超声水槽
15 一种晶体硅片的刻蚀方法
16 一种晶体硅片高方阻扩散方法
17 晶体硅片纳米绒面结构及其配方技术
18 一种双面玻璃晶体硅片加工切割装置
19 一种适用于RIE制绒后晶体硅片的表面微腐蚀清洗方法
20 一种太阳能电池用减反射镀层晶体硅片及配方技术
21 一种太阳能电池板及其晶体硅片
22 一种晶体硅片位错检测方法
23 一种晶体硅片的制绒设备及制绒工艺方法
24 一种晶体硅片的清洗工艺方法
25 一种晶体硅片的磷扩散方法
26 一种去除晶体硅片金属离子污染的清洗液及其清洗工艺
27 一种晶体硅片湿法刻蚀用抛光液
28 一种晶体硅片表面处理的方法
29 一种晶体硅片的磷扩散方法
30 一种晶体硅片及其扩散方法
31 一种用于太阳能电池的晶体硅片的清洗方法
32 一种制备反射膜的方法、太阳能电池板及其晶体硅片
33 用于晶体硅片的纹理蚀刻溶液组合物和纹理蚀刻方法
34 用于晶体硅片的纹理蚀刻溶液组合物以及纹理蚀刻方法
35 一种晶体硅片高温干法双面氧化工艺
36 一种晶体硅片预清洗液及其预清洗工艺
37 太阳能晶体硅片、电池片及太阳能发电装置
38 改进的晶体硅片、电池片及太阳能发电装置
39 油污晶体硅片的处理方法及制绒方法
40 用于易碎晶体硅片的双面连续串联焊接系统及其焊接方法
41 处理薄晶体硅片和晶体硅太阳能电池的方法
 
  以上为本套技术的目录及部分简要介绍,完整内容都包括具体的配方配比和生产工艺制作过程。收费260元,购买或咨询更多相关技术内容可联系:13510921263



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