1、集成高K金属栅极和氧化物多晶硅栅极的结构和配方技术
[简介]：本技术提供一种集成高K金属栅极和氧化物多晶硅栅极的结构和配方技术，位于衬底上的氧化物多晶硅栅极；包含高K介质层和位于其上的金属栅层；高K金属栅极不完全覆盖于氧化物多晶硅栅极一侧；氧化物多晶硅栅极及高K金属栅极外侧的衬底上设有金属硅化物层；氧化物多晶硅栅极中未被覆盖的表面设有金属硅化物层；栅极侧墙；层间介质层；衬底上的金属硅化物、氧化物多晶硅栅极表面的金属硅化物以及金属电极层的上表面设有贯穿于层间介电层中的导电接触件。本技术的集成高K金属栅极和氧化物多晶硅栅极的结构同时具有高K金属栅极和氧化物多晶硅栅极，互相兼容，在工作时互相独立，在多种栅极共存的半导体器件等特定领域得到实际应用。
2、金属栅的制造方法
[简介]：本技术提供了一种金属栅的制造方法，包括：步骤一、提供形成有多晶硅伪栅的半导体衬底，在多晶硅伪栅之间具有间隔区。步骤二、形成第一介质层将间隔区的底部区域填充。步骤三、形成第二介质层将间隔区的顶部区域填充，第二介质层采用具有压应力的材料并使多晶硅伪栅的顶部产生拉伸作用。步骤四、去除多晶硅伪栅形成栅极沟槽，在第二介质层的压应力作用下栅极沟槽的顶部关键尺寸增加。步骤五、在栅极沟槽中填充金属栅。本技术能对多晶硅伪栅的形貌进行自对准调整，能同时提高间隔区和栅极沟槽的填充工艺窗口，能同时避免在间隔区和栅极沟槽中产生孔洞，提高器件性能。
3、激光原位开膜的太阳电池金属栅极喷印成形方法及装置
[简介]：本技术提供一种激光原位开膜的太阳电池金属栅极喷印成形方法及装置，第一步，利用激光技术对SiNx膜进行原位开膜形成微凹槽；第二步，利用喷墨打印技术将金属墨水注入微凹槽；第三步，调节激光功率、离焦量、扫描频度以及扫描速度参量，进而确定与膜层微凹槽的定量关系，实现膜层微凹槽的优化与精确控制，保证金属墨水准确注入微凹槽内，加热形成太阳电池金属栅极。通过在喷墨打印前预先对基材进行激光原位开膜，保证了太阳电池栅线电极超细、大“高宽比”的要求，避免在待喷金属墨水中加入玻璃粉的复杂工艺，提高了打印质量，提升了打印效率，降低了打印成本。采用交叉打印方法，使打印出的栅极更加均匀，极大程度的提高了打印精度。
4、金属栅的制造方法
[简介]：本技术提供了一种金属栅的制造方法，包括：步骤一、在半导体衬底上形成多个多晶硅伪栅。步骤二、形成低介电常数侧墙，包括：步骤21、形成第一保护层；步骤22、形成第二低介电常数层；步骤23、形成第三保护层；步骤24、进行全面刻蚀在多晶硅伪栅侧面形成由第一保护层、第二低介电常数层和第三保护层叠加形成的低介电常数侧墙。步骤三、形成第零层层间膜。步骤四、进行栅极替换，包括：步骤41、去除多晶硅伪栅并形成栅极沟槽；步骤42、在栅极沟槽中形成金属栅。本技术既能实现低介电常数侧墙，又能防止低介电常数侧墙在工艺过程中被消耗，从而能防止栅极扩大并防止源漏接触孔和栅极之间产生短路。
5、集成高K金属栅极和氧化物多晶硅栅极的结构和配方技术
[简介]：本技术提供一种集成高K金属栅极和氧化物多晶硅栅极的结构和配方技术，位于衬底上的氧化物多晶硅栅极；包含高K介质层和位于其上的金属栅层；高K金属栅极不完全覆盖于氧化物多晶硅栅极一侧；氧化物多晶硅栅极及高K金属栅极外侧的衬底上设有金属硅化物层；氧化物多晶硅栅极中未被覆盖的表面设有金属硅化物层；栅极侧墙；层间介质层；衬底上的金属硅化物、氧化物多晶硅栅极表面的金属硅化物以及金属电极层的上表面设有贯穿于层间介电层中的导电接触件。本技术的集成高K金属栅极和氧化物多晶硅栅极的结构同时具有高K金属栅极和氧化物多晶硅栅极，互相兼容，在工作时互相独立，在多种栅极共存的半导体器件等特定领域得到实际应用。
6、一种金属栅器件的配方技术
[简介]：本技术提供一种金属栅器件的配方技术，通过第一开口的侧壁暴露出第二区的第一栅介质层的侧壁、第二区的第一阻挡层的侧壁以及第二区的第一伪栅层的侧壁；在所述第一开口的底部形成第二栅介质层；在所述第二栅介质层上形成覆盖所述第一开口侧壁的第二阻挡层；在所述第一开口内形成第一栅极结构；去除所述第二区的第一伪栅层形成第二开口，所述第二开口的侧壁暴露出位于所述第一开口侧壁的第二阻挡层；在所述第二开口内形成第二栅极结构。本技术通过在所述第一开口的底部形成第二栅介质层，所述第二栅介质层修复了在形成第一开口的过程中第一区的衬底表面的等离子损伤，具有显著的意义。
7、金属栅极调制器及其原位形成方法
[简介]：本提供涉及金属栅极调制器及其原位形成方法。一种方法，包括：在半导体区域上形成栅极电介质；在栅极电介质之上沉积功函数层；在功函数层之上沉积硅层；以及在硅层之上沉积胶层。功函数层、硅层和胶层是原位沉积的。该方法进一步包括在胶层之上沉积填充金属；以及执行平坦化工艺，其中，胶层、硅层和功函数层的剩余部分形成栅极电极的部分。
8、一种金属栅器件的配方技术
[简介]：本技术提供一种金属栅器件的配方技术，通过在栅介质层表面的形成具有掺杂浓度的牺牲层，且所述掺杂浓度自所述牺牲层表面向所述牺牲层底面递增或递减，从而在刻蚀所述牺牲层的过程中，所述刻蚀工艺的工艺菜单在刻蚀过程中保持不变。本技术通过刻蚀菜单固定的刻蚀工艺就可以实现从上至下刻蚀速率递增或递减，从而，提高了第一开口的片内均匀性，保障后续形成的第二开口的片内均匀性，具有显著的意义。
9、改善替代金属栅极硅团聚的方法和晶圆传送装置
[简介]：本技术提供了一种改善替代金属栅极硅团聚的方法，包括在衬底上执行SSA制程，依次形成二氧化硅层、氧化铪层、氮化钛层和无定形硅层，执行热退火制程；以及，对热退火后晶圆进行氧化的步骤。本技术还提供了一种晶圆传送装置。本技术通过对热退火制程后晶圆传输过程中加入氧原子，使热退火后的晶圆依靠残留温度与氧原子发生氧化，在不增加生产成本，不影响生产效率的前提下能改善硅团聚现象，进而提高器件的性能。
10、替换性金属栅极晶体管
[简介]：本技术提供一种替换性金属栅极晶体管，包括沟槽以及层。沟槽，具有底部、第一侧壁以及第二侧壁。层设置于沟槽内，其中所述层具有设置于沟槽底部上的底部区域，以及设置于第一及第二侧壁上的侧壁区域，其中所述层的侧壁区域比所述层的底部区域更薄至少50％。于制作替换性金属栅极晶体管时，可减少沟槽的长宽比。
11、金属栅极及其形成方法
12、金属栅格自适应驱动系统及方法
13、一种场发射*极超薄难熔金属栅网及其配方技术
14、一种金属栅格加工装置
15、高介电金属栅极制造方法
16、一种金属栅器件的配方技术
17、高介电常数金属栅MOS晶体管的制造方法
18、场效应晶体管的金属栅极及方法
19、高介电常数金属栅的制造方法
20、图像传感器金属栅格版图的生成方法及金属栅格光罩图形
21、具有金属栅极切口和凹陷的电力轨的晶体管装置
22、场效应晶体管的金属栅极及方法
23、金属栅的制造方法
24、替代金属栅极集成
25、金属栅半导体器件及其制造方法
26、一种抑制金属栅极高度不对称的工艺方法
27、基于三维金属栅的过模双频段扩展互作用振荡器
28、具有多金属栅结构的HEMT器件及其配方技术
29、金属栅MOS晶体管
30、金属栅结构及其制造方法
31、金属栅的制造方法
32、高介电常数金属栅极器件及其制造方法
33、一种调节高K金属栅CMOS器件阈值的方法和CMOS器件
34、一种高K金属栅极结构及其制作方法
35、金属栅功函数的调节方法及MOSFET的配方技术
36、金属栅极的形成方法
37、一种金属栅温度测量方法
38、金属栅极形成方法及其形成结构
39、金属栅极及其制造方法
40、金属栅极结构及其制造方法
41、虚拟栅极及具有金属栅极的半导体器件结构的配方技术
42、包括具有低阈值电压的PMOS金属栅极的CMOS器件
43、高K金属栅极制程的金属-绝缘体-多晶硅电容器及制造方法
44、一种金属栅极的形成方法及半导体器件
45、在金属栅极线端中具有T形的器件和制造半导体器件的方法
46、一种基于金属栅格腔结构实现无线输能的方法及装置
47、用于在量子器件中形成金属栅的侧壁金属垫片
48、使用金属基前驱物的原子层沉积(ALD)工艺的N型金属氧化物半导体(NMOS)金属栅极材料的方法与设备
49、一种用于固定金属栅栏的装置
50、一种波导内填充金属栅格阵列型C波段虚*极振荡器
51、金属栅的制造方法
52、一种高K/金属栅结构的半浮栅晶体管及其配方技术
53、金属栅极及其制造方法
54、一种金属栅线的配方技术
55、一种改善高K金属栅极界面完整性的方法
56、一种基于非辐射式金属栅腔体无线输能的装置及方法
57、一种金属栅极的形成方法及半导体器件
58、金属栅格的形成方法、图像传感器及其形成方法
59、存储器晶体管到高K、金属栅极CMOS工艺流程中的集成
60、形成具取代金属栅极与接触的场效晶体管的方法及其结构
61、基于超材料的金属栅MOSFET栅极光栅化的探测器
62、一种金属栅极结构及其制造方法
63、金属栅的制造方法
64、液态金属栅控摩擦电子学晶体管、电子水平仪
65、用于垂直传输场效应晶体管的替换金属栅极工艺
66、基于周期性光栅化源极金属栅MOSFET太赫兹探测器
67、金属栅极的形成方法以及半导体器件
68、切割金属栅极的方法、半导体器件及其形成方法
69、一种带有钙钛矿发电电池的断路器金属栅片壳体
70、一种制备太阳能电池表面金属栅线的方法
71、具有多金属栅极的晶体管
72、基于周期性光栅化栅极金属栅MOSFET太赫兹探测器
73、基于非周期光栅化漏极金属栅MOSFET太赫兹探测器
74、具有高K金属栅极的嵌入式SONOS及其制造方法
75、金属栅极结构及其制造方法
76、具有倾斜侧壁的切割金属栅极
77、金属栅极的制造方法和半导体器件的制造方法
78、用于先进的集成电路结构制造的差异化电压阈值金属栅极结构
79、金属栅极结构切割工艺
80、基于非周期光栅化源极金属栅MOSFET太赫兹探测器
81、金属栅极结构的制造方法
82、金属栅极的制造方法
83、一种3D NAND存储器件及其金属栅极配方技术
84、一种带有钙钛矿发电电池的断路器金属栅片
85、基于周期性光栅化漏极金属栅MOSFET太赫兹探测器
86、用于高级集成电路结构制造的双金属栅极结构
87、使用金属栅第一方法来构建三维非易失性存储器器件
88、用于减小晶体管间隔的切割金属栅极工艺
89、用于纳米片装置的取代金属栅极图案化
90、一种估计金属栅晶粒随机取向引起FinFET阈值统计分布的方法
91、用于垂直传输场效应晶体管的替换金属栅极工艺
92、一种高阻硅基双金属栅太赫兹偏振芯片及配方技术
93、一种带有钙钛矿发电电池的断路器金属栅片
94、具有金属栅极的半导体器件结构及其配方技术
95、基于非周期光栅化栅极金属栅MOSFET太赫兹探测器
96、液态金属栅控摩擦电子学晶体管、电子水平仪
97、基于非周期光栅化漏极金属栅MOSFET太赫兹探测器
98、金属栅极的制造方法
99、半导体器件以及半导体器件制造的方法
100、具有共形的金属栅极电极和栅极电介质界面的氮掺杂的非平面Ⅲ?Ⅴ族场效应晶体管
101、用于在取代金属栅极结构提供氮化物覆盖层的方法、设备及系统
102、一种金属栅极结构及其形成方法
103、一种高k金属栅的化学机械研磨工艺建模方法和装置
104、一种3D NAND存储器的金属栅极制造方法
105、一种3D NAND存储器件的金属栅极配方技术
106、金属栅极隔离结构及其形成方法
107、金属栅极、半导体器件及其制造方法
108、一种3D NAND存储器的金属栅极制造方法
109、半导体结构及其制造方法和高k金属栅鳍式场效应晶体管
110、金属栅偏光片及其制作方法、液晶面板及液晶显示器
111、金属栅极结构、半导体器件及其制造方法
112、一种3D NAND存储器件的金属栅极及其配方技术
113、一种3D NAND存储器的金属栅极配方技术
114、一种提高背面金属栅格分辨率的方法和半导体结构
115、金属栅极的配方技术
116、一种金属栅功函数变化导致栅电容统计分布的估计方法
117、一种用于3D NAND存储器的金属栅层结构及其形成方法
118、一种金属栅极结构及其形成方法
119、一种用于3D NAND存储器的金属栅层结构及其形成方法
120、一种调节高K金属栅CMOS器件阈值的方法和CMOS器件
121、金属栅偏光片及其制作方法、液晶显示器
122、通过形成顶部宽且底部窄的伪栅电极来减少金属栅极悬置
123、一种金属栅极制作方法
124、一种3D NAND存储器件的金属栅配方技术
125、金属栅偏光片及显示面板
126、功函数层、金属栅极、半导体器件及其制造方法
127、半导体器件及其金属栅极的形成方法
128、一种金属栅极结构及其形成方法
129、半导体结构及其制造方法和高k金属栅鳍式场效应晶体管
130、用于形成取代金属栅极的方法及相关装置
131、具有粗糙阻挡层的金属栅极的结构和方法
132、一种金属栅填充的改善方法
133、金属栅极、半导体器件及其制造方法
134、用于在金属栅极上选择性地形成氮化物帽体的方法和设备
135、一种埋藏型金属栅格生成方法及图像传感器制造方法
136、FINFET器件改进的金属栅极工艺、半导体器件及其制造方法
137、一种用于扫描条纹管的超薄金属栅网片的清洁方法
138、替代金属栅极的制造方法、finFET器件及finFET器件的制造方法
139、基于Ge衬底的铪基铝酸盐高K金属栅结构及配方技术
140、制造氮化钽隔离层的方法与金属栅极堆
141、FINFET器件改进的金属栅极工艺、半导体器件及其制造方法
142、基于Si衬底的La基介质材料高K金属栅结构及配方技术
143、金属栅极晶体管、集成电路、系统及其制造方法
144、一种金属栅的形成方法
145、具有集成的高K金属栅逻辑设备和不含金属的擦除栅的非易失性分离栅存储器单元及其制造方法
146、金属栅极的配方技术
147、基于Si衬底的La基介质材料高K金属栅结构及配方技术
148、多阈值电压晶体管结构以及形成、配置该结构的方法
149、切割金属栅极的方法
150、高K(HK)/金属栅极(MG)(HK/MG)多次可编程(MTP)切换器件以及相关系统和方法
151、形成金属栅极以缓解天线缺陷的方法
152、具有整合式高K金属栅的非易失性分离栅存储单元及其制作方法
153、一种双金属栅极的配方技术
154、具有金属栅极的分裂栅极非易失性闪存存储器单元及其制造方法
155、用金属栅和逻辑器件形成自对准分裂栅存储单元阵列的方法
156、形成金属栅极以缓解天线缺陷的方法
157、平板电容与闪速存储器和/或高k金属栅极CMOS的集成技术
158、用于金属栅极的制造工艺
159、切割金属栅极的方法
160、金属栅极结构及其配方技术
161、金属栅极及其配方技术
162、一种高k金属栅表面形貌仿真的方法及系统
163、用于金属栅极的制造技术
164、基于金属栅极工艺的低成本闪速存储器制造流程
165、金属栅极的配方技术
166、一种射频VDMOS晶体管的金属栅与场板结构及其配方技术
167、具有通过电镀制造的金属栅的太阳能电池
168、具有金属栅极的分裂栅极非易失性闪存存储器单元及其制造方法
169、金属栅极及半导体器件的制造方法
170、金属栅极的配方技术
171、基于Ge衬底的La基介质材料高K金属栅结构及配方技术
172、高K金属栅器件及其配方技术
173、具有金属栅电极的肖特基二极管及其形成方法
174、基于Si衬底的铪基铝酸盐高K金属栅结构及配方技术
175、具有非晶态金属层的金属栅
176、用于3D FINFET金属栅极的结构和方法
177、金属栅配方技术
178、一种制备太阳能电池金属栅线中锡层的保护方法
179、金属栅极及其制造方法
180、一种金属栅栏的栏杆固定块
181、通过使用离子注入引入压缩金属栅极应力而在三栅极MOSFET中实现驱动电流增强
182、高K金属栅极结构、鳍式场效应晶体管及其制作方法
183、一种后金属栅极中功函数层调节方法
184、金属栅配方技术
185、具有金属栅极的半导体元件及其制作方法
186、使用具有金属类前驱物的CVD与ALD工艺的NMOS金属栅极材料、制造方法以及设备
187、利用冗余硅工艺降低高k金属栅器件阈值电压波动的方法
188、用于集成闪存器件和高k金属栅极逻辑器件的凹进的硅化物结构
189、用于金属栅极的方法和结构
190、金属栅的形成方法
191、具有作为功函数层和/或阻挡/润湿层的TiAlCN的金属栅极堆叠件
192、半导体装置的替代金属栅极中的功函数金属的选择性生长
193、具有金属栅极结构的半导体元件的功函数调整方法
194、金属栅极结构及其制造方法
195、具有硅侧壁间隔件的金属栅极
196、元件的金属栅极方案及形成所述金属栅极方案的方法
197、一种制备金属栅极的方法
198、一种超精密无极金属栅网自动贴网装置及方法
199、金属栅晶体管源漏区接触塞的制作方法
200、一种具有金属栅电极的半导体器件及其制造方法
201、具有TaAlCN层的金属栅极堆叠件
202、一种太阳能电池金属栅线制备过程中去除掩膜层的方法
203、高K金属栅极结构的制造方法
204、一种双金属栅极的形成方法
205、用于刻蚀高k金属栅层叠的方法
206、兼容高介电常数/金属栅极(HK/MG)的浮置栅极(FG)/铁电偶极子非易失性存储器和逻辑器件
207、兼容高介电常数/金属栅极(HK/MG)的浮置栅极(FG)/铁电偶极子非易失性存储器和逻辑器件
208、一种后金属栅极中功函数层调节方法
209、金属栅极器件形成方法
210、高K金属栅极结构的制造方法
211、金属栅极器件形成方法
212、用于集成闪存器件和高k金属栅极逻辑器件的凹进的硅化物结构
213、高纯度镧的制造方法、高纯度镧、包含高纯度镧的溅射靶和以高纯度镧为主要成分的金属栅膜
214、在金属栅极线端中具有T形的器件和制造半导体器件的方法
215、用于器件的金属栅极方案及其形成方法
216、用于金属栅极技术的P栅极到N栅极边界电阻的分路
217、一种金属栅结构的形成方法
218、一种降低高K金属栅器件阈值电压波动的方法
219、多种金属栅的集成方法
220、一种双金属栅极结构的配方技术
221、包括超晶格和替换金属栅极结构的半导体装置和相关方法
222、半导体晶体管金属栅的集成工艺方法
223、金属栅晶体管源漏区接触塞的制作方法
224、使用栅极优先方法集成非易失性存储器和高K及金属栅极
225、金属栅工艺中金属的填充方法及其设备
226、一种超精细无极金属栅网制造装置
227、非易失性存储器（NVM）单元、高压晶体管和高-k以及金属栅晶体管集成
228、具有金属栅极的半导体元件及其制作方法
229、具有金属栅极的半导体结构及其制造方法
230、具有氮化钛栅极的高K/金属栅极CMOS晶体管
231、金属栅极结构的制作方法
232、金属栅极结构及其制造方法
233、高K金属栅CMOS器件及其形成方法
234、一种超精细无极金属栅网制造装置
235、具有高K金属栅极堆叠件的FinFET器件
236、集成电路及制造具有金属栅极电极的集成电路的方法
237、具改善阈值电压表现的取代金属栅极的集成电路及其制法
238、金属栅极结构及其制造方法
239、非易失性存储器（NVM）单元、高压晶体管和高-k以及金属栅晶体管集成
240、形成高K金属栅极器件的后栅极工艺
241、嵌入式闪存器件的集成电路及制造嵌入式闪存器件的方法
242、替换性金属栅极晶体管
243、金属栅极功函数层的配方技术、半导体器件及配方技术
244、金属栅极结构与其制作方法
245、非对称替代金属栅场效应晶体管及其制造方法
246、存储器晶体管到高K、金属栅极CMOS工艺流程中的集成
247、栅极先制的高介电常数金属栅极方法所形成的全硅化栅极
248、高纯度镧、包含高纯度镧的溅射靶以及以高纯度镧为主成分的金属栅膜
249、高纯度镧、包含高纯度镧的溅射靶以及以高纯度镧为主成分的金属栅膜
250、一种金属栅极结构及其配方技术
251、金属栅极结构与其形成方法
252、金属栅极结构及其制造方法
253、金属栅极的形成方法
254、一种具有复合金属栅的氮化镓基高电子迁移率晶体管
255、用于高k和金属栅极堆叠件的器件和方法
256、金属栅极的形成方法
257、具有减小的栅极到源极与栅极到漏极重叠电容的金属栅极MOS晶体管
258、为使用全金属栅极的互补金属氧化物半导体集成多阈值电压器件的方法和系统
259、金属栅极结构及其制作方法
260、具有复合金属栅极结构的横向功率器件
261、金属栅极的形成方法
262、具有外延源区和漏区的金属栅晶体管
263、制造混合高k/金属栅堆叠件的方法
264、具有金属栅极应激源的FINFET
265、用于高k和金属栅极堆叠件的器件和方法
266、金属栅极CMP工艺及半导体器件的制造方法
267、用于中间隙半导体设备的金属栅极结构及其制造方法
268、用于增强型GaN半导体器件的复合高K金属栅极堆叠体
269、金属栅极晶体管的形成方法及半导体器件
270、用于金属栅极电极的原子层沉积方法
271、金属栅极的形成方法
272、金属栅电极等效功函数调节方法
273、制造金属栅极的方法
274、一种高k/金属栅极结构及其制作方法
275、高介电常数绝缘层金属栅半导体器件制造方法
276、高K金属栅结构的配方技术
277、一种高k金属栅器件金属电阻结构及其制作方法
278、一种高K金属栅工艺中TiN表面界面层的去除工艺
279、用于增强型GaN半导体器件的复合高K金属栅极堆叠体
280、界面层的形成方法及金属栅极晶体管的形成方法
281、金属栅阻挡层针孔的检测方法
282、制作高k金属栅晶体管的接触孔的方法
283、具有器件收益和生产率改进的金属栅极结构
284、栅极第一高介电常数金属栅极堆栈上无氧的快速热退火
285、NMOS金属栅极晶体管的形成方法
286、双镶嵌式金属栅极
287、一种金属栅格型透明导电薄膜及其配方技术
288、具有降低的层间电介质层蚀刻速率的替代金属栅极处理
289、一种石墨烯调制的高K金属栅Ge基MOS器件的制作方法
290、金属栅极晶体管的形成方法
291、金属栅极的形成方法
292、用于鳍状场效应晶体管的金属栅极和栅极接触件结构
293、金属栅极的形成方法
294、在鳍形有源区上制备高K金属栅的方法
295、半导体器件的金属栅电极
296、金属栅极制作方法
297、高介电常数金属栅极制造方法
298、金属栅极形成方法
299、金属栅极、其形成方法及CMOS晶体管
300、置换金属栅极工艺流程中具有低电阻源极区和漏极区的方法和结构
301、具有TiAlN阻挡/润湿层的金属栅叠层
302、用于高-k金属栅极技术的增强栅极替换工艺
303、用于具有高K和金属栅极结构的MOSFET的结构和方法
304、金属栅极、MOS晶体管及CMOS结构分别的形成方法
305、金属栅极的形成方法
306、金属栅极形成方法
307、CMOS全硅化物金属栅配方技术
308、金属栅极半导体的清洗方法
309、高k金属栅极结构及其制造方法
310、具有金属栅极的半导体结构及其制作方法
311、具有金属栅极的CMOS器件及其形成方法
312、铝金属栅极的形成方法
313、一种用于高k金属栅极NMOS晶体管的测试装置和测试方法
314、用于高-k金属栅极器件的自对准绝缘膜
315、具有金属栅电极的肖特基二极管及其形成方法
316、NMOS金属栅电极的制作方法
317、高K金属栅极器件的接触件
318、全硅化物金属栅的形成方法
319、半导体管芯的金属栅极部件
320、用于高k和金属栅极堆叠件的器件和方法
321、形成CMOS全硅化物金属栅的方法
322、半导体器件的金属栅极结构
323、具有高k栅电介质和金属栅电极的半导体器件
324、一种低功函数金属栅形成方法
325、金属栅极半导体器件
326、具有低温除氧的金属栅极器件
327、场效应晶体管的金属栅电极
328、N/P边界效应减小的金属栅极晶体管
329、高介电层金属栅器件的制造方法
330、用于具有高k金属栅极的NFET的结构和方法
331、确定铝金属栅芯片表面形貌的方法和系统
332、半导体器件的金属栅极结构
333、具有金属栅电极的半导体器件及其制造方法
334、通过覆盖STI区域的高介电常数金属栅极超整合
335、一种太阳能电池金属栅线电极及其配方技术
336、具有高K电介质和金属栅的非易失性存储器单元
337、一种采用高K金属栅的半导体器件的制造方法
338、提供具有多阻挡层的金属栅极器件的技术
339、后形成鳍的置换型金属栅极FINFET
340、一种形成高k金属栅极的方法
341、一种高介电金属栅极制造方法
342、金属栅极finFET器件及其制造方法
343、一种金属栅半导体器件的制造方法
344、一种大马士革金属栅极制作方法
345、双金属栅极CMOS器件及其制造方法
346、铝金属栅化学机械研磨去除率的确定方法和系统
347、一种金属栅半导体器件的制造方法
348、CMOS半导体器件的金属栅极结构
349、一种金属栅半导体器件的制造方法
350、金属栅极的形成方法
351、用于高k/金属栅工艺流程的自对准接触
352、一种制作金属栅极的方法
353、形成高K金属栅极器件的方法
354、一种制造金属栅半导体器件的方法
355、一种金属栅电极的制造方法
356、一种大马士革金属栅极制作方法
357、高K金属栅极P-型MOSFET的低阈值电压和反转氧化物厚度按比例缩小
358、背照式图像传感器芯片的金属栅格及其形成方法
359、金属栅极半导体器件及其制造方法
360、包括多晶硅电阻器和金属栅极电阻器的半导体器件及其制造方法
361、金属栅极制造方法和CMOS制造方法
362、N/P边界效应减小的金属栅极晶体管
363、一种形成高介电常数金属栅的方法
364、一种制造金属栅半导体器件的方法
365、具有金属栅电极层的半导体结构形成方法
366、高纯度镧的制造方法、高纯度镧、包含高纯度镧的溅射靶及以高纯度镧为主要成分的金属栅极膜
367、金属栅极的形成方法
368、用于超薄界面介电层的多层清除金属栅极堆叠件
369、形成高介电层金属栅器件接触孔的方法
370、具有双功函数金属栅的互补场效应晶体管及其制造方法
371、制造金属栅极半导体器件的方法
372、高介电层金属栅器件的制造方法
373、金属栅极晶体管的制作方法
374、金属栅极形成方法
375、PMOS晶体管金属栅极的制造方法
376、具有金属栅极的半导体元件的制作方法
377、金属栅极结构及其形成方法
378、具有金属栅的半导体器件及其制造方法
379、金属栅极的形成方法
380、在高介电常数金属栅工艺中避免损伤浅沟槽隔离的方法
381、高介电系数金属栅极电极结构
382、金属栅极场效应晶体管及其制作方法
383、用于背照式图像传感器金属栅格的侧壁及其制造方法
384、一种印刷金属栅线的方法
385、金属栅CMP后的制程监控方法
386、具有金属栅电极的半导体器件的制造方法
387、一种高K和金属栅极的制作方法
388、具有金属栅极的半导体元件及其制作方法
389、具有金属栅电极的半导体器件的制造方法
390、堆栈金属栅极的刻蚀方法
391、具有金属栅极叠层的半导体器件的制作方法
392、金属栅极的制作方法
393、金属栅极的形成方法
394、金属栅极的形成方法
395、金属栅极的形成方法
396、具有通过电镀制造的金属栅的太阳能电池
397、高压金属栅互补金属氧化物半导体的制作方法和系统
398、具有金属栅极的半导体元件的制作方法
399、金属栅极结构
400、金属栅极形成方法
401、在替换金属栅极制造工艺中形成电熔断器的方法
402、用于具有高介电常数/金属栅极MOSFET的Vt调整和短沟道控制的结构和方法
403、一种双高K栅介质/金属栅结构的制作方法
404、具有双金属栅的CMOS器件及其制造方法
405、使用具有金属类前驱物的CVD与ALD工艺的NMOS金属栅极材料、制造方法以及设备
406、高K金属栅电极的制作方法及其高K金属栅结构
407、金属栅极的形成方法
408、金属栅极和MOS晶体管的形成方法
409、一种制作金属栅极的方法
410、具有无边界接触的取代金属栅极
411、一种金属栅极及MOS晶体管的形成方法
412、金属栅电极层的形成方法
413、制作金属栅极的金属塞方法
414、CMOS器件金属栅极的制造方法
415、金属栅电极层的形成方法
416、具有金属栅极的半导体元件与其制造方法
417、使用硅化的金属栅极电极以及其形成方法
418、金属栅极及MOS晶体管的形成方法
419、在高介电常数金属栅工艺中避免损伤浅沟槽隔离的方法
420、栅控行波管金属栅网模态试验方法
421、具有无边界接触的取代金属栅极
422、一种形成高阶电常数K和T型金属栅极的形成方法
423、高纯度镧的制造方法、高纯度镧、包含高纯度镧的溅射靶和以高纯度镧作为主要成分的金属栅膜
424、互补型金属氧化物半导体管金属栅电极的制作方法
425、半导体器件的金属栅结构
426、金属栅堆叠结构的制作方法
427、具有带氧阻障层的金属栅极堆叠的场效应晶体管器件
428、CMOS晶体管金属栅极的制作方法
429、利用自对准技术制备具有高K金属栅的鳍形场效应晶体管的方法
430、一种金属栅极的形成方法
431、金属栅极结构及其制作方法
432、金属栅极形成方法
433、一种金属栅的制作方法
434、一种形成高介电常数K和T型金属栅极的形成方法
435、一种低压金属栅互补金属氧化物半导体及其配方技术
436、一种全硅化金属栅体硅多栅鳍型场效应晶体管的配方技术
437、一种双高K栅介质/金属栅结构的制作方法
438、在制作金属栅极过程中制作金属塞的方法
439、高介电金属栅MOS及其制造方法
440、双金属栅极晶体管的制造方法
441、具有金属栅极的半导体元件的制作方法
442、金属栅极和MOS晶体管的形成方法
443、金属栅极的形成方法
444、高K金属栅MOS晶体管的制造方法
445、调整栅极功函数的方法与具有金属栅极的晶体管
446、制造置换型金属栅极器件的方法
447、高介电常数金属栅极制造方法
448、一种高K和金属栅极的制作方法
449、高介电系数金属栅极电极结构
450、高介电常数金属栅极半导体器件制造方法
451、一种金属栅极及MOS晶体管的形成方法
452、高K金属栅极半导体晶体管的结构
453、金属栅极结构及其工艺
454、具有金属栅极的半导体元件及其制作方法
455、高k金属栅极叠层
456、具有金属栅极的半导体元件的制作方法
457、用于集成替换金属栅极结构的方法
458、铝金属栅极的形成方法
459、n型场效应晶体管、其金属栅极及其制造方法
460、用于制造具有高K栅极电介质层和金属栅电极的半导体器件的方法
461、一种金属栅极的制作方法
462、后栅工艺中金属栅的制作方法
463、一种先栅工艺中叠层金属栅结构的配方技术
464、金属栅极及MOS晶体管的形成方法
465、通过从MOS器件的高K/金属栅极去除界面层缩小EOT
466、一种金属栅极的形成方法
467、一种插入式TiN金属栅叠层结构的制备和刻蚀方法
468、高k金属栅极晶体管的阈值电压控制和驱动电流改善的方法和结构
469、一种适用于NMOS器件的金属栅功函数的调节方法
470、制造具有减少的栅极氧化物泄漏的取代金属栅极晶体管的方法
471、减少金属栅电极和接触孔之间寄生电容的方法
472、一种用于CMOS器件的双金属栅双高介质的集成方法
473、化学机械平坦化方法和后金属栅的制作方法
474、一种金属栅极的制作方法
475、具有金属栅极的半导体元件及其制作方法
476、金属栅层/高K栅介质层的叠层结构刻蚀后的清洗方法
477、金属栅网及场发射装置和场发射显示器
478、高介电常数介电层和/或金属栅极元件的制造方法
479、半导体元件金属栅极堆叠的制造方法
480、一种调节TiN金属栅功函数的方法
481、金属栅极的形成方法
482、以氮化铝为势垒层的Mo基金属栅叠层结构的刻蚀方法
483、具有金属栅极的晶体管的制作方法
484、一种金属栅极及MOS晶体管的形成方法
485、金属栅极结构及其制造方法
486、一种金属栅极的形成方法
487、用于制造具有高K栅极电介质层和金属栅电极的半导体器件的方法
488、一种全硅化金属栅MOSFET器件的配方技术
489、n型场效应晶体管、其金属栅极及其制造方法
490、“T”形金属栅电极的制作方法
491、包含金属栅极与形成于绝缘结构上的含硅电阻器的半导体装置
492、高K栅介质/金属栅叠层栅结构刻蚀后聚合物去除方法
493、一种高介电常数介质-金属栅极的制造方法
494、金属栅网及场发射装置和场发射显示器
495、金属栅层/高K栅介质层的叠层结构刻蚀后的清洗方法
496、一种适用于NMOS器件的金属栅功函数的调节方法
497、具有高K金属栅极的金属氧化物半导体的形成方法
498、金属栅层/高K栅介质层的叠层结构的刻蚀方法
499、金属栅极的形成方法
500、一种金属栅极的制作方法
501、形成具有金属栅极的半导体器件的方法
502、一种金属栅极的形成方法
503、通过等离子体刻蚀法形成金属栅极的方法
504、具有金属栅极的晶体管的制作方法
505、金属栅极的形成方法
506、高k金属栅极晶体管的阈值电压控制和驱动电流改善的方法和结构
507、一种金属栅极及MOS晶体管的形成方法
508、金属栅极的形成方法
509、高纯度铒的制造方法、高纯度铒、包含高纯度铒的溅射靶以及以高纯度铒为主要成分的金属栅膜
510、金属栅极的形成方法
511、金属栅MOS器件的接触孔刻蚀方法
512、一种Mo基/TaN金属栅叠层结构的刻蚀方法
513、一种太阳能电池金属化过程中金属栅线对准方法
514、通过使用离子注入引入压缩金属栅极应力而在三栅极MOSFET中实现驱动电流增强
515、具有双金属栅极的半导体器件以及制造方法
516、金属栅极的形成方法
517、金属栅极晶体管、集成电路以及其制造方法
518、使用字线过度驱动和高k金属栅极提升磁性隧道结的编程电流
519、适用于PMOS器件全硅化金属栅功函数的调节方法
520、将多层/多输入/多输出(MLMIMO)模型用于金属栅结构
521、金属栅电极形成方法
522、用于高K金属栅极Vt调制的N/P金属晶体定向结构及制造方法
523、金属栅电极形成方法
524、金属栅极电极及其制作方法
525、一种高K金属栅结构的刻蚀方法
526、一种克服钼基金属栅叠层结构制备中钼与硅反应的方法
527、构图金属栅极的方法
528、CMOS器件金属栅极及其形成方法
529、金属栅极堆叠的形成方法及具有金属栅极堆叠的集成电路
530、金属栅结构及其制造方法
531、半导体元件及其金属栅极堆叠的形成方法
532、集成电路金属栅极结构及其制造方法
533、金属栅制作方法
534、在鳍式场效应晶体管器件中提高迁移率的金属栅应力膜
535、一种钽铝氮金属栅的配方技术
536、具有金属栅极堆叠的集成电路与其形成方法
537、具有金属栅极堆叠的半导体装置及其制造方法
538、调节高k栅介质和金属栅结构pMOSFET器件阈值电压的方法
539、抑制高k栅介质/金属栅结构界面层生长的方法
540、一种全硅化金属栅的配方技术
541、形成双金属栅极结构的方法
542、半导体装置的金属栅极堆叠的形成方法
543、以部分金属栅作为高介电常数栅介质刻蚀阻挡层的结构及集成方法
544、包括缩减高度的金属栅极堆栈的半导体器件及形成该半导体器件的方法
545、金属栅结构及其制造方法
546、一种调节金属栅的栅功函数的方法
547、一种用于PMOS器件的金属栅功函数的调节方法
548、形成半导体元件及其金属栅极堆叠的方法
549、用于MOS器件的金属栅极结构及其制作方法
550、半导体装置及制作具有金属栅极堆叠的半导体装置的方法
551、金属栅电极和金属栅电极的制作方法
552、半导体装置及制造具有金属栅极堆叠的半导体装置的方法
553、一种选择性去除TaN金属栅电极层的方法
554、一种有效调制TiNx金属栅功函数的方法
555、一种双金属栅功函数的调节方法
556、具有双金属栅极的互补金属氧化物半导体元件的制作方法
557、采用大马士革工艺制备金属栅极中接触孔的方法
558、一种嵌入式金属栅极薄膜晶体管
559、用于形成双金属栅极结构的方法
560、高纯度镧、包含高纯度镧的溅射靶以及以高纯度镧为主成分的金属栅膜
561、大马士革工艺制备金属栅极和接触孔的方法
562、采用大马士革工艺制备金属栅极中接触孔的方法
563、使用无源金属栅条加载的渐变槽线天线
564、用于形成双金属栅极结构的方法
565、高K电介质金属栅器件结构及其形成方法
566、用于形成双金属栅极结构的方法
567、形成MOS器件的金属栅的混合方法
568、具有双金属栅极的互补式金属氧化物半导体元件的制作方法
569、一种半导体结构及其制造方法
570、金属栅极形成方法
571、T型金属栅极的MOS晶体管制作工艺方法
572、采用大马士革工艺制备金属栅极和接触孔的方法
573、具有金属栅极和高K电介质的电路结构
574、一种栅介质/金属栅集成结构的配方技术
575、一种纳米尺度W/TiN复合难熔金属栅配方技术
576、一种制备金属栅电极的方法
577、形成具有低电阻的钨多金属栅极的方法
578、具有Y型金属栅极的金属氧化物半导体晶体管及其工艺
579、一种调节全硅化金属栅的栅功函数的方法
580、一种调制NiSi全硅化物金属栅功函数的方法
581、控制金属栅极叠层中平带/阈值电压的方法及其结构
582、半导体元件之电容器与金属栅极之制造方法
583、高k/金属栅极晶体管的接触部中的硅化物层
584、制造具有不同金属栅极的半导体器件的方法
585、具有在退火的高-k栅介电层上形成的金属栅电极的半导体器件
586、采用抬高的源极漏极和替代金属栅极的互补型金属氧化物半导体集成电路
587、金属栅/高K栅介质制备工艺及双金属栅CMOS的配方技术
588、具有减少的栅极氧化物泄漏的取代金属栅极晶体管
589、制造具有不同金属栅极的半导体器件的方法
590、具有金属栅电极和硅化物触点的FET栅极结构
591、形成具有替代金属栅电极的集成电路
592、CMOS硅化物金属栅集成
593、形成突变的源漏金属栅晶体管
594、用于金属栅极集成的栅极堆叠及栅极堆叠蚀刻顺序
595、双功函数金属栅极结构及其制造方法
596、具有高k栅电介质和金属栅电极的半导体器件
597、用于CMOS工艺的金属栅极晶体管及其制造方法
598、一种包括金属栅电极的集成电路及制备金属栅电极的方法
599、制造具有高K栅极介电层和金属栅电极的半导体器件的方法
600、使半导体结构平坦化以形成替代金属栅
601、具有可选金属栅极材料的非易失性半导体存储器件
602、具有高k栅电介质和金属栅电极的半导体器件的制造方法
603、用于制造具有高K栅极电介质层和金属栅电极的半导体器件的方法
604、包括金属栅电极的半导体器件的制造方法
605、半导体结构和形成金属氧化物半导体结构的方法
606、用于制作具有高k栅介电层和金属栅电极的半导体器件的方法
607、半导体结构和形成金属氧化物半导体结构的方法
608、制造具有高K栅极介电层和金属栅电极的半导体器件的方法
609、形成突变的源漏金属栅晶体管
610、用于集成替换金属栅极结构的方法
611、用于制造具有金属栅电极的半导体器件的方法
612、具有电镀金属栅极的场效应晶体管以及金属栅极的制造方法
613、形成通过加入硅来调整功函数的金属栅极结构的方法
614、一种用于制造具有金属栅电极的半导体器件的方法
615、制备双金属栅器件的方法
616、金属栅极场效应晶体管的栅极结构的制作方法
617、硅化金属栅极晶体管的结构和方法
618、半导体装置及其金属栅极的形成方法
619、多晶硅化金属栅极结构及其制造方法
620、采用多晶硅栅和金属栅器件的半导体芯片
621、集成N型和P型金属栅晶体管
622、集成的金属-绝缘体-金属电容器和金属栅晶体管及方法
623、采用多晶硅栅和金属栅器件的半导体芯片
624、使用硅化的金属栅极电极以及其形成方法
625、最小化非平面性效应的晶体管金属栅结构及制作方法
626、双金属栅极互补金属氧化物半导体器件及其加工方法
627、具有金属栅极电极的半导体装置及其制程
628、单侧镀铂的耐火金属板以及延展的金属栅极的配方技术
629、注入有金属物质的蚀刻阻挡层的金属栅极叠层构造及其制造方法
630、金属栅极形成方法
631、单侧镀铂的耐火金属板以及延展的金属栅极的配方技术
632、半导体器件中形成金属栅的方法
633、道路养护件
634、形成CMOS器件的双金属栅结构的方法
635、使用氮化工艺的多晶硅化金属栅极制程
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