1、一种大尺寸氮化铝陶瓷基板及其切割方法和应用
[简介]：本技术提供了一种大尺寸氮化铝陶瓷基板及其切割方法和应用，涉及氮化铝陶瓷基板技术领域。其中，方法包括：将氮化铝陶瓷固定在电镀金刚石线锯的载物台上，通过电镀金刚石线锯将氮化铝陶瓷切割为氮化铝陶瓷基板，其中，在切割过程中，不间断向电镀金刚石线锯的金刚石线与氮化铝陶瓷接触的位置喷洒冷却液，冷却液为极压乳化液及合成切削液中的至少一种，金刚石线上的金刚石的目数为200?300目。本技术中，选用极压乳化液或合成切削液作为冷却液，能够有效降低氮化铝陶瓷基板的翘曲度以及表面粗糙度。进一步地，金刚石线上的金刚石的目数为200?300目，能够具备较好的切割效率以及较低的磨损，同时还能够降低氮化铝陶瓷基板的表面粗糙度。
2、一种真空热压烧结法制备的高性能氮化铝陶瓷基板及配方技术
[简介]：本技术提供了一种真空热压烧结法制备的高性能氮化铝陶瓷基板及配方技术，涉及氮化铝陶瓷技术领域。其由以下重量份组分用真空热压烧结法制备得到：氮化铝90?100份，稀土氢化物0?10份；或者，氮化铝90?100份，稀土氢化物0?10份，稀土氟化物0?10份。本技术提供的真空热压烧结法制备的高性能氮化铝陶瓷基板，稀土氢化物、稀土氢化物与稀土氟化物作为烧结助剂，其加入有助于降低烧结的温度，促进烧结致密；选用的烧结助剂可与氧杂质反应，净化晶格，有效提高热导率。本技术提供的真空热烧结法进行制备的陶瓷基板，在炉体压力的作用下，以及流动氮气氛围下有利于氮化铝的生成，进一步促进烧结致密化，同时能有效减小晶粒的尺寸，从而提高陶瓷的抗弯强度。
3、一种基于磁控溅射氮化铝的氮化镓单结晶基板制造方法
[简介]：本技术提供了一种基于磁控溅射氮化铝的氮化镓单结晶基板制造方法，包括四氧化镁铝钪(ScAlMgO4)，其特征在于，包括以下步骤：S1、选取四氧化镁铝钪(ScAlMgO4)作为基板衬底；S2、采用磁控溅射法在所述四氧化镁铝钪(ScAlMgO4)基板衬底上形成氮化铝(AlN)薄膜层；S3、在S2步骤中形成的氮化铝(AlN)薄膜层上通过HVPE气相生长法在高温环境下外延生长氮化镓(GaN)单晶层；S4、将氮化镓(GaN)单晶层上的四氧化镁铝钪(ScAlMgO4)基板衬底和氮化铝(AlN)薄膜层去除，获得氮化镓(GaN)单结晶基板。本技术利用磁控溅射法和HVPE气相生长法进行二级生长，有效避免氮化镓(GaN)晶体生长时损伤四氧化镁铝钪衬底，实现无位错、无结晶缺陷的高品质氮化镓(GaN)结晶基板的制造。
4、一种采用石墨炉烧结的氮化铝陶瓷基板的配方技术
[简介]：本技术涉及陶瓷基板的制备领域，提供一种采用石墨炉烧结的氮化铝陶瓷基板的配方技术，解决现有技术的氮化铝基板热导率低、表面不平整及生产效率不高的缺陷，包括以下制备步骤：1)准备原材料：以氮化铝粉体为主原料，以Y2O3、CaF2为烧结助剂；2)球磨；3)脱泡；4)流延；5)冲片：送入冲片机进行冲片分切；6)等静压：将分切后的坯体送入等静压机进行等静压处理，所述等静压的压力为10－14MPa，温度为80－90℃；7)电动敷粉；8)调解挡板位置；9)排胶；10)石墨炉烧结；11)研磨、激光、清洗处理。
5、一种多层金属覆膜高导热氮化铝陶瓷基板及配方技术
[简介]：本申请提供了一种多层金属覆膜高导热氮化铝陶瓷基板及配方技术。所述配方技术分别选用金属镍或镍合金粉体，金属铜或铜合金粉体，通过大气等离子喷涂技术将金属或金属合金粉体在熔融状态下喷涂在覆盖有特定图案掩模版的氮化铝陶瓷基板表面，调整诸多工艺参数和等离子体喷XX结构制备出金属层与氮化铝陶瓷界面结合强度高、热导率高，电导率高的多层金属覆膜氮化铝陶瓷基板。本技术直接将金属或金属合金粉末喷涂在敷盖有电路图案的掩模的高导热氮化铝陶瓷基板上，得到不同图案且线宽精度高的多层金属覆膜电路陶瓷基板。
6、一种氮化铝陶瓷基板制造加工机械及制造加工方法
[简介]：本技术涉及一种氮化铝陶瓷基板制造加工机械及制造加工方法，包括底座、辅助装置、固定装置与烧结炉，底座上表面设置有辅助装置，辅助装置上均匀设置有若干个固定装置，辅助装置中间上方设置有烧结炉。本技术可以解决目前存在的问题：在对陶瓷基板烧结时，也并没有对陶瓷基板进行360°的翻转处理，这样容易导致陶瓷基板生坯受热不均匀出现裂纹问题，直接影响到陶瓷基板的使用价值；陶瓷基板与输送设备的接触面积过多，容易使得陶瓷基板生坯上留下印迹，造成陶瓷基板烧结成型后表面出现坑坑洼洼的现象，影响其使用价值，而且过多的接触面积同样会导致陶瓷基板受热不均匀问题的出现。
7、一种高强度氮化铝陶瓷基板及其配方技术
[简介]：本技术涉及陶瓷材料技术领域，提供一种高强度氮化铝陶瓷基板及其配方技术，包括以下重量份的各原料：改性氮化铝粉体78?85份、溶剂36?42份、分散剂1.2?2份、粘结剂8?11份和增塑剂2?4份；所述氮化铝陶瓷基板依次经过球磨、真空发泡、流延成型、等静压成型、排胶、一次烧结、二次烧结工序制得。制备的氮化铝陶瓷热导率在180W/(m·K)以上，抗弯强度在520MPa以上，解决了现有技术氮化铝陶瓷抗弯强度不高的问题。
8、一种包覆氮化铝粉体的配方技术及制得的氮化铝陶瓷基板
[简介]：本申请涉及基板材料领域，更具体地说，它涉及一种包覆氮化铝粉体的配方技术及制得的氮化铝陶瓷基板。该包覆氮化铝粉体的配方技术包括如下步骤：将改性剂加入至无水乙醇中，制得质量浓度为10?40%的改性剂溶液；取无水乙醇、磨球、聚丙烯酸铵类分散剂加入至研磨设备中，球磨，然后加入氮化铝粉体至研磨设备中，继续球磨，再加入改性剂溶液，再球磨分散，最后出料、烘干、煅烧、过筛得到经过表面包覆处理的包覆氮化铝粉体。本申请利用改性剂溶液均匀分散于氮化铝粉体表面，经过煅烧后，在氮化铝粉体表面形成稳定性的氧化物助烧层，降低了氮化铝的水解率，并可降低氮化铝陶瓷基板的烧结温度，并增加氮化铝陶瓷基板的烧结致密度。
9、一种氮化铝陶瓷基板表面处理方法
[简介]：本技术涉及一种氮化铝陶瓷基板表面处理方法，包括如下工序：1)前处理：去除基板表面的油污和杂质后，将其浸没于有机溶剂液中，处理后取出烘干；2)界面偶联剂处理：将经步骤1)处理后的氮化铝陶瓷基板浸没于界面偶联剂和无水乙醇的混合溶液中常温处理5～10min，而后取出烘干，界面偶联剂和无水乙醇的体积比为1:100～200。本技术中的方法针对陶瓷表面进行化学改性，可改善焊料的附着性，显著提高焊料层与陶瓷表面的化学结合力从而减少焊料结合层的空洞和空隙，提高覆铜板的抗热冲击性能且处理效率高、成本低。且该方法可在对陶瓷表面进行粗化的基础上使用，进一步提高活性金属焊料附着性。
10、氮化铝陶瓷基板上围坝的烧结焊接方法
[简介]：本技术提供了一种氮化铝陶瓷基板上围坝的烧结焊接方法，包括如下步骤：第一步，将氮化铝陶瓷基板通过厚膜印刷技术印刷出金属线路涂层，该金属线路涂层形状与需要焊接到氮化铝陶瓷基板上的围坝的形状适配；第二步，将所述氮化铝陶瓷基板和所述围坝放入到烧结焊接装置中；第三步，在所述氮化铝陶瓷基板的金属线路涂层上放置合金焊料，再将所述围坝隔着所述合金焊料印刷或放置到所述氮化铝陶瓷基板上，所述围坝与所述金属线路涂层的形状对应；第四步，启动所述烧结焊接装置进行焊接，且焊接的温度为150℃?1500℃；第五步，焊接完成。本技术针对氮化铝陶瓷的围坝焊接采用烧结焊接的方式进行焊接，相对于现有技术中采用磁控溅射，更加方便操作，成本更低。
11、一种基于氮化铝基板的高频负载片及其制作方法
12、一种氮化铝陶瓷粉体、其配方技术和封装基板
13、一种氮化铝陶瓷基板表面覆铜方法
14、一种水基流延成型高导热氮化铝陶瓷基板的配方技术
15、氮化铝单晶基板及其制造方法
16、氮化铝陶瓷基板上围坝的共晶焊接方法
17、氮化铝基板用研磨剂组合物及氮化铝基板的研磨方法
18、一种用于氮化铝基板烧结的高纯度氮化硼的配方技术
19、一种蚀刻液体系及一种氮化铝基板的刻蚀方法
20、一种氮化铝陶瓷基板及其配方技术
21、一种氮化铝陶瓷基板表面粗化方法
22、一种高性能氮化铝陶瓷基板的浆料和配方技术
23、具有氮化铝成核层的基板及其制造方法
24、一种氮化铝陶瓷基板用抛光液及其配方技术和抛光方法
25、一种氮化铝陶瓷基板及其配方技术
26、散热氮化铝基板及其配方技术、应用
27、氮化铝基板及III族氮化物层叠体
28、用于氮化铝陶瓷封装基板的表面金属化方法及其封装基板
29、一种高强度高导热氮化铝陶瓷基板及其配方技术
30、一种氮化铝基板用包封浆料及其配方技术和应用
31、一种颗粒弥散增韧氮化铝陶瓷基板及其配方技术
32、一种氮化铝陶瓷金属化基板及其配方技术
33、氮化铝陶瓷基板的烧结方法
34、纳米复合缓冲镀层MCOB封装氮化铝基板及其配方技术
35、一种氮化铝陶瓷覆铜基板的配方技术
36、一种轨道交通芯片封装用氮化铝陶瓷基板的黑边清洗方法
37、一种嵌氮化铝PCB基板及其制作方法
38、一种氮化铝陶瓷基板的配方技术及封装材料
39、一种高集成模块级封装用多层氮化铝基板及其制造方法
40、一种石墨炉烧结氮化铝陶瓷基板的方法
41、一种氮化铝陶瓷覆铜基板及其配方技术
42、一种覆铜氮化铝陶瓷基板的制造方法
43、多晶氮化铝基板的抛光方法及多晶氮化铝基板的成品
44、一种氮化铝陶瓷覆铜基板及其配方技术
45、大尺寸氮化铝陶瓷基板的配方技术
46、一种氮化铝陶瓷基板线路刻蚀方法
47、一种氮化铝陶瓷基板线路刻蚀方法
48、氮化铝单晶基板的制造方法
49、一种利用丝网印刷技术制备厚膜型氮化铝覆铜基板的方法
50、一种氮化铝陶瓷基板及其配方技术
51、一种用于陶瓷基板的高纯度氮化铝粉末材料及其配方技术
52、一种利用薄膜技术制备氮化铝覆铜基板的方法
53、一种大功率微电子器件用高导热氮化铝陶瓷基板的配方技术
54、一种碳化硅晶须增韧的大功率LED用高导热氮化铝陶瓷基板
55、一种低温烧结高致密度的大功率LED散热氮化铝陶瓷基板
56、一种掺硼改性的大功率LED用氮化铝陶瓷基板
57、一种氮化铝陶瓷基板的配方技术
58、一种DPC工艺用镜面氮化铝陶瓷基板的高活性预处理方法
59、一种氮化铝陶瓷基板用氮化铝粉体及其配方技术
60、一种纳米氧化锆?纳米铜增韧的大功率LED散热氮化铝陶瓷基板
61、一种高光洁度的大功率LED散热氮化铝陶瓷基板
62、一种大功率氮化铝陶瓷基板100瓦衰减片及其生产方法
63、一种氮化铝生坯的排胶方法及氮化铝陶瓷基板的配方技术
64、一种不易变形的大尺寸氮化铝陶瓷基板的配方技术
65、一种LED用高导热率氮化硅-氮化铝复相陶瓷基板及其配方技术
66、一种含纳米碳纤维增韧的大功率LED散热氮化铝陶瓷基板
67、一种含纳米石墨的大功率LED散热氮化铝陶瓷基板
68、一种耐磨损大功率LED散热氮化铝陶瓷基板
69、一种集成电路封装用的高热导率氮化铝陶瓷基板配方技术
70、一种氮化铝陶瓷基板分装装置
71、一种掺杂氮化硼纳米管的大功率LED散热用氮化铝陶瓷基板
72、一种低裂纹抗折高导热氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其配方技术
73、一种纳米金刚石增强的氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其配方技术
74、一种自润滑的高导热氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其配方技术
75、一种纳米硼纤维增强的高弹氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其配方技术
76、一种含白炭黑的经济高效强韧氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其配方技术
77、一种微波功率管用氮化铝基板及其制造方法
78、一种LED用氮化铝钛陶瓷基板
79、氮化铝单结晶基板的洗净方法及层叠体
80、一种纳米羟基磷灰石改性的氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其配方技术
81、氮化铝陶瓷流延浆料、陶瓷基板及其配方技术和应用
82、一种致密高稳定性的氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其配方技术
83、一种含纳米碳球的高导热氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其配方技术
84、一种氮化铝陶瓷基板的镀膜方法
85、一种纳米二氧化钛增韧的高致密度氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其配方技术
86、一种高韧低膨胀系数的氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其配方技术
87、n型氮化铝单晶基板
88、一种低气孔率低烧结温度的高硬度氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其配方技术
89、一种光滑抗弯的高导热氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其配方技术
90、一种防腐蚀高致密度纳米氮化钛增强的氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其配方技术
91、一种高致密度抗裂的氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其配方技术
92、一种纳米氮化硼增强的高导热氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其配方技术
93、一种氮化铝基板的配方技术
94、一种大尺寸氮化铝陶瓷基板的配方技术
95、一种硫酸钙晶须弥散增强的高导热氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其配方技术
96、一种含微晶陶瓷粉的高致密高导热氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其配方技术
97、满足第四代通讯要求的氮化铝陶瓷基板100瓦3dB衰减片
98、氮化铝陶瓷基板100瓦6dB的衰减片
99、氮化铝陶瓷基板100瓦26dB衰减片
100、大功率氮化铝陶瓷基板100W-27dB衰减片
101、一种铜/氮化铝陶瓷复合导热基板的制作方法
102、新型优化版氮化铝陶瓷基板150瓦负载片
103、高功率氮化铝陶瓷基板100瓦11dB衰减片
104、氮化铝覆铜陶瓷基板的配方技术
105、氮化铝陶瓷基板20瓦贴片式负载片
106、高效稳定氮化铝陶瓷基板100瓦5dB衰减片
107、氮化铝陶瓷基板100瓦29dB衰减片
108、覆铜用氮化铝基板的预处理方法
109、一种基于氮化铝基板的限频功率模块
110、大功率氮化铝陶瓷基板100瓦25dB衰减片
111、n型氮化铝单晶基板以及垂直型氮化物半导体器件
112、高频高稳定性氮化铝陶瓷基板10瓦20dB衰减片
113、小尺寸氮化铝陶瓷基板20瓦负载片
114、一种氮化铝陶瓷基板烧结工艺
115、氮化铝基板及III族氮化物层叠体
116、一种颗粒弥散增韧氮化铝陶瓷基板及其配方技术
117、氮化铝陶瓷基板30瓦14dB衰减片
118、阻抗为50Ω小尺寸氮化铝陶瓷基板250瓦负载片
119、氮化铝陶瓷基板30瓦25dB衰减片
120、氮化铝陶瓷基板30瓦7dB衰减片
121、氮化铝陶瓷基板30瓦26dB衰减片
122、氮化铝陶瓷基板30瓦8dB衰减片
123、氮化铝陶瓷基板30瓦11dB衰减片
124、氮化铝陶瓷基板30瓦15dB衰减片
125、一种氮化铝复合材料的配方技术及其制备的基板
126、氮化铝陶瓷基板30瓦4dB衰减片
127、氮化铝陶瓷基板30瓦27dB衰减片
128、氮化铝陶瓷基板30瓦18dB衰减片
129、氮化铝陶瓷基板30瓦19dB衰减片
130、氮化铝陶瓷基板30瓦30dB衰减片
131、氮化铝陶瓷基板30瓦24dB衰减片
132、氮化铝陶瓷基板30瓦17dB衰减片
133、一种金属铝基氮化铝封装基板及其配方技术
134、氮化铝陶瓷基板30瓦12dB衰减片
135、小尺寸大功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片
136、氮化铝陶瓷基板30瓦13dB衰减片
137、阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板10瓦负载片
138、大功率氮化铝陶瓷基板300瓦负载片
139、氮化铝陶瓷基板30瓦2dB衰减片
140、一种高强度氮化铝陶瓷基板及其制造方法
141、窄边接地的小尺寸大功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片
142、氮化铝陶瓷基板30瓦22dB衰减片
143、氮化铝陶瓷基板30瓦5dB衰减片
144、大焊盘氮化铝陶瓷基板100瓦20dB衰减片
145、氮化铝陶瓷基板30瓦3dB衰减片
146、氮化铝陶瓷基板20瓦2dB衰减片
147、大功率氮化铝陶瓷基板100W-20dB衰减片
148、阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板70瓦负载片
149、氮化铝单晶基板及其制造方法
150、氮化铝陶瓷基板20瓦9dB衰减片
151、氮化铝陶瓷基板30瓦20dB衰减片
152、阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板150瓦贴片型负载片
153、电路基板用氮化铝基板及其制造方法
154、阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板30瓦负载片
155、大功率氮化铝陶瓷基板100瓦30dB衰减片
156、氮化铝陶瓷基板20瓦3dB衰减片
157、大功率氮化铝陶瓷基板100瓦30dB衰减片
158、阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板20瓦负载片
159、阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板120瓦负载片
160、阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板60瓦负载片
161、大功率氮化铝陶瓷基板150W-20dB衰减片
162、阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板120瓦贴片型负载片
163、氮化铝陶瓷基板20瓦1dB衰减片
164、大功率氮化铝陶瓷基板250瓦负载片
165、氮化铝陶瓷基板30瓦10dB衰减片
166、大功率氮化铝陶瓷基板150瓦30dB衰减片
167、氮化铝陶瓷基板80瓦贴片式负载片
168、窄边接地的大功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片
169、氮化铝陶瓷基板200瓦30dB衰减片
170、氮化铝陶瓷基板30瓦1dB衰减片
171、氮化铝陶瓷基板100瓦贴片式负载片
172、易焊接的氮化铝陶瓷基板150瓦负载片
173、阻抗为50Ω小尺寸氮化铝陶瓷基板100瓦负载片
174、阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板125瓦负载片
175、阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板16瓦贴片式负载片
176、大功率氮化铝陶瓷基板20瓦20dB衰减片
177、大功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片
178、宽焊盘氮化铝陶瓷基板150瓦负载片
179、高功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片
180、阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板25瓦贴片式负载片
181、阻抗为50Ω薄型氮化铝陶瓷基板20瓦负载片
182、高生产效率的4
183、阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板250瓦负载片
184、宽焊盘阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板100瓦负载片
185、大功率氮化铝陶瓷基板100W-10dB衰减片
186、阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片
187、大功率氮化铝陶瓷基板100W-9dB衰减片
188、阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板80瓦负载片
189、氮化铝陶瓷基板30瓦6dB衰减片
190、一种导热氮化铝绝缘金属基板及其配方技术
191、阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板100瓦负载片
192、阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板200瓦负载片
193、氮化铝陶瓷基板50瓦负载片
194、氮化铝陶瓷基板10瓦贴片式负载片
195、金属基氮化铝板绝缘基板配方技术
196、一种氮化铝陶瓷覆铜基板及其配方技术
197、一种氮化铝覆铝基板及其配方技术
198、一种氮化铝陶瓷基板及其配方技术
199、集成金属基氮化铝薄膜基板与热管的大功率LED模块及其配方技术
200、基于氮化铝微晶陶瓷基板的稀土厚膜电路电热元件及其制备工艺
201、具有A1系Ⅲ族氮化物单晶层的层叠体的制造方法、通过该制法制得的层叠体、使用该层叠体的A1系Ⅲ族氮化物单晶基板的制造方法及氮化铝单晶基板
202、制备氮化铝基板的方法
203、大功率发光二极管用低温共烧陶瓷与氮化铝叠层基板及其配方技术
204、氮化铝/硼硅酸盐玻璃低温共烧陶瓷基板材料及其配方技术
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,内容都包括具体的配方配比生产制作过程，收费260元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263
