1、一种背结背接触电池的制作方法
[简介]：本技术提供了一种背结背接触电池的制作方法，包括硼掺杂源、磷掺杂源的扩散，所述扩散的过程包括：提供一衬底；将所述衬底放入扩散炉中；预沉积：在720～740℃温度下，通入携带掺杂源的小流量氮气，所述氮气的流量不低于700sccm；高温通氧推结：将扩散炉内的中心温度提高至不低于860℃，并通入氧气推结，所述氧气的流量不低于200sccm；降温：将推结后的衬底降温至700～780℃。本技术还提供了一种背结背接触电池。本技术在背结背接触电池的制作过程中，通过特别设计磷扩散及硼扩散的预沉积、高温通氧推结以及降温过程中的工艺参数，实现了衬底较低的扩散方阻，以此减小P+N+结的反向击穿电压，从而降低了导通旁路二极管的概率。
2、一种基于背接触电池的多并联电路组件
[简介]：本技术公布了一种基于背接触电池的多并联电路组件，所述多并联电路组件为背接触电池片串联、并联组合形成，所述多并联电路组件的电路组成包含几种不同的形式，通过金属箔以几种图形按不同位置、数量排列，则呈任意形式连接而不用考虑电池的排布方式，从而实现各种并联数量连接电路。对于同面积的组件来说，不同设计下所耗金属箔材料数量完全相同，工艺区别在于刻印图形不同，不会额外增加任何成本，可直接使用小尺寸电池多并联连接达到超高功率组件需求。
3、一种空穴选择性钝化接触电池的配方技术
[简介]：本技术涉及一种空穴选择性钝化接触电池的配方技术，包括如下步骤：（1）双面制绒；（2）无氧硼掺杂；（3）背面形貌；（4）沉积微晶硅；（5）制备细栅线图形；（6）形成轻掺杂p+层：利用酸刻蚀的方式去除非掩膜区域的微晶硅并刻蚀硼掺杂区域形成P+层；（7）形成高掺杂多晶硅p++层及n+层：通过热氧化后进行磷掺杂或者旋涂的方式经过高温退火分别形成了高掺杂多晶硅p++层及n+层；（8）清洗；（9）钝化；（10）丝网印刷。本技术制备流程简易方便，同时可有效的提升电池效率，且适合批量化生产。
4、一种选择性钝化接触电池的配方技术
[简介]：本技术属于晶体硅太阳能电池领域，涉及一种选择性钝化接触电池的配方技术。针对现有技术中选择性钝化电池中轻扩区的形成通常需利用扩散形成掺杂层，后续多晶硅同样需要掺杂，两次扩散等方式需要多次高温，不可避免地需要掩膜去掩膜步骤，导致出现制备步骤繁琐，良率低，成本高，量产可行性低等技术问题。本方案提供了一种选择性钝化接触电池的配方技术，通过在制绒后的单晶硅片表面制备氧化层，沉积非晶硅层，接着晶化且掺杂所述非晶硅层，迅速推结，制备轻扩区，利用矩形激光在所述掺杂多晶硅层表面制备致密氧化层后去除未被致密氧化层保护的掺杂多晶硅层，步骤简单，减少整个工艺流程的步骤，成本低廉，得到了一种性能优异的选择性钝化电池。
5、导体电缆和连接配对件间的电接触、电池单元连接系统及其制造方法
[简介]：一种具有在导体电缆的电导体和电连接配对件之间的电接触的装置，其中，导体嵌入扁平导体电缆的绝缘护套中的接触平面中，其中，至少在一个接触侧上在预定的接触部段中电导体被剥去绝缘护套，其中，导体的接触部段以接触侧从接触平面弯曲到超过绝缘护套，其中，导体的接触部段的接触侧放置在电连接配对件上，并且直接连接到电连接配对件。本技术还涉及一种用于车辆电池模块的电池单元连接系统，包括接触元件以及感测电缆。导线和/或接触元件的表面在彼此接触的区域中包括表面积增加特征。表面积增加特征改善了焊接工艺，因为可以实现更高的焊接力，并在焊接零件之间实现更多的材料转移。本技术还涉及制造电池单元连接系统的方法。
6、一种基于反应离子刻蚀法制备黑硅钝化接触电池的方法
[简介]：本技术涉及一种基于反应离子刻蚀法制备黑硅钝化接触电池的方法。该方法包括：S1、对N型单晶硅进行结构化处理，形成金字塔结构，对处理后的硅片硅基体的背面依次形成隧穿氧化层和多晶硅层，同时在N型单晶硅基体的正面形成含有多晶硅绕镀的第一区域和不含多晶硅绕镀的第二区域；S2、对硅基体进行掺杂和退火处理，以使得硅基体背面的多晶硅层变为表面覆盖有含磷氧化层的掺磷多晶硅层，同时在硅基体正面的含有多晶硅绕镀的第一区域和不含多晶硅绕镀的第二区域上均形成薄氧化层；S3、对硅基体的正面进行反应离子刻蚀，以去除电池正面的多晶硅绕度，同时在电池正面的微米级的金字塔结构上形成纳米级孔洞结构；S3、对硅基体进行后处理。
7、一种钝化接触电池的配方技术
[简介]：本技术提供了一种钝化接触电池的配方技术，包括以下施工步骤：S1硅基层双面制绒，S2硅基层双面热氧化，S3沉积正面掺杂多晶硅层，S4硅基层背面清洗，S5二次热氧化，S6沉积背面掺杂多晶硅层，S7三次热氧化，S8清洗，S9正面钝化层和正面减反射层沉积，S10二次清洗，S11背面钝化层和背面减反射层沉积，S12金属化；制备工艺过程简单，无需用酸溶液或碱溶液进行背面抛光处理，提升了电池转换效率。
8、一种钝化接触电池的配方技术
[简介]：本技术提供了一种钝化接触电池的配方技术，包括如下步骤：1）选取硅片；2）制绒；3）制正面发射极；4）去除表面氧化物；5）制超薄氧化层；6）局部沉积重掺杂非晶硅；7）非晶硅退火；8）背面刻蚀和抛光；9）制背面掺杂层；10）去除表面氧化物；11）制正面和背面钝化层；12）制正面和背面金属电极。本技术通过激光转印在硅片正面直接局部沉积重掺杂非晶硅，进而实现钝化电池正面金属接触区域；本技术仅在金属接触区域沉积重掺杂非晶硅，可省去去除金属接触区域外掺杂非晶硅的步骤，也可省去在金属接触区域制备掩膜的步骤，进而可避免因采用掩膜腐蚀法而出现金属接触区域外非晶硅去除不干净以及金属接触区域外绒面被破坏的问题。
9、一种钝化接触电池的边缘隔离方法及配方技术
[简介]：本技术提供了一种钝化接触电池的边缘隔离方法及配方技术，在去除绕镀多晶硅后增加两步工序：去除硅片侧面的隧穿氧化层；去除硅片侧面位于隧穿氧化层下方的磷掺杂层。本技术不仅能够去除硅片正面和侧面的绕镀多晶硅，还能去除硅片侧面位于隧穿氧化层下方的磷掺杂层，从而实现将硅片正面的硼发射极和背面的磷掺杂层及钝化接触层的完全隔离，降低电池的边缘漏电。本技术制备的电池边缘隔离效果彻底干净；提高了电池的综合电性能；方法简单，不需要昂贵的设备便可实现，适于产业化推广。
10、一种n型钝化接触电池及其配方技术
[简介]：本技术提供一种n型钝化接触电池配方技术，在制备正面发射极之后在硅片正面制备一层二氧化硅层作为正面钝化层、抛光步骤掩膜层和去除绕镀的掺磷多晶硅步骤的掩膜层；使用碱性溶液对硅片背面进行边沿隔离和抛光，在硅片背面形成光滑的抛光面；使用背面氮化硅作为金属化的缓冲阻挡层、背面减反射层和去除绕镀的掺磷多晶硅步骤中的掩膜层。进一步，本技术还提供一种采用上述方法制备的n型钝化接触电池。本技术在保证电池良好性能的同时，简化了n型钝化接触电池的制备流程，降低制备成本，且可行性高。
11、一种基于反应离子刻蚀的黑硅钝化接触电池的配方技术
12、背接触太阳电池及生产方法、背接触电池组件
13、一种具有选择性发射极结构的钝化接触电池的配方技术
14、钝化接触电池的配方技术
15、一种基于PERC的钝化接触电池的配方技术
16、界面叠层薄膜及其配方技术和在钝化接触电池中的应用
17、一种晶硅太阳能钝化接触电池的配方技术
18、一种用PECVD设备制备钝化接触电池的方法
19、背接触太阳电池及生产方法、背接触电池组件
20、超薄含氧氮硅薄膜的配方技术及其在钝化接触电池中的应用
21、一种背接触电池组件生产方法及系统
22、一种背发射极钝化接触电池及其配方技术、组件和系统
23、一种钙钛矿与N型硅基背接触电池叠加电池结构
24、一种无掩膜去除钝化接触电池多晶硅绕镀的方法
25、一种P型钝化接触电池的配方技术
26、一种钝化接触电池及其配方技术和应用
27、一种背接触电池的电极结构
28、一种背接触电池用干法开槽方法
29、N型钝化接触电池的制作系统及方法
30、钝化发射极背面接触电池的叠瓦电池串、组件与装置
31、钝化接触电池及其配方技术
32、一种无正面栅线的P型晶体硅背接触电池结构及制作方法
33、一种黑硅MWT背接触电池的配方技术
34、混合型多晶硅异质结背接触电池
35、一种低成本、规模化生产的背接触电池
36、一种包括背接触电池的光伏装置及其制作方法
37、一种防漏电的晶体硅太阳能背接触电池及其配方技术
38、一种利于封装的新型背接触电池装置
39、局部掺杂前表面场背接触电池及其配方技术和组件、系统
40、一种背面钝化接触电池电极结构及其配方技术
41、背表面隧道氧化钝化交指式背结背接触电池制作方法
42、一种低成本、适合规模化量产的背接触电池生产方法
43、背接触电池和双面电池的金属化方法
44、一种叉指型背接触电池的制作方法
45、背接触电池及其制作方法和太阳能电池组件
46、背接触电池光伏组件及其制作方法
47、晶体硅太阳电池背接触电池及其配方技术
48、组合变压器及使用该组合变压器的非接触电池充电装置
49、背接触电池光伏组件的制作方法
50、混合型多晶硅异质结背接触电池
51、非晶硅钝化N型背接触电池及其配方技术
52、一种氧化铝不鼓泡的背面点接触电池及其配方技术
53、太阳能背接触电池组件的接线盒连法和太阳能电池组件
54、低欧姆接触的背接触电池的制造方法
55、一种N型背接触电池
56、无接触电池装置
57、包括背接触电池的光伏模块的制造方法
58、接触发电机和接触电池
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,内容都包括具体的配方配比生产制作过程，收费260元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263
