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有机薄膜晶体管生产工艺加工制造流程

发布时间:2021-10-10   作者:admin   浏览次数:191

1、一种基于溶剂汽相退火工艺调控阈值电压制备的低压有机薄膜晶体管及其方法
 [简介]:本技术提供了一种基于溶剂汽相退火工艺调控阈值电压制备的低压有机薄膜晶体管及其方法。该晶体管包括由下到上的p型低阻硅衬底、SiO2层、对称的金电极、并五苯有机薄膜、聚甲基丙烯酸甲酯高分子膜。本技术提出一种通过使用丁酮溶剂进行汽相退火工艺来对并五苯器件进行后处理的方法,用来降低在制作薄膜过程中所带来的界面缺陷,能够显著降低器件的开启电压。处理过程中参数可控,通过调节温度以及装置中的溶剂蒸汽压力,使得实验环境始终保持稳定。该方法对不同沟道长度的器件均有效,具有良好的通用性。
2、基于三氧化钼接触掺杂的P型有机薄膜晶体管及配方技术
 [简介]:本技术提供了一种基于三氧化钼接触掺杂的P型有机薄膜晶体管及配方技术,所述P型有机薄膜晶体管具有顶栅底接触结构。首先在绝缘衬底上通过掩膜版制备一层金作为源极和漏极,再在金电极上制备一层三氧化钼作为接触掺杂层,然后利用溶胶凝胶法,在已制备电极完毕的样品表面形成P型有机半导体有源层,并在有源层上旋涂一层介电材料作为绝缘层,最后通过掩膜版在绝缘层表面制备铝栅电极。该方法制备的三氧化钼接触掺杂的有机薄膜晶体管相较于传统有机薄膜晶体管,其载流子迁移率和器件开关比得到明显的提升,器件的亚阈值摆幅和阈值电压大幅减小。本技术提升了顶栅底接触结构的P型有机薄膜晶体管的电学性能,具有成本低廉、工艺步骤简单的特点。
3、一种双极性提升的聚合物有机薄膜晶体管及配方技术
 [简介]:本技术提供了一种双极性提升的聚合物有机薄膜晶体管及配方技术,所述聚合物有机薄膜晶体管具有顶栅底接触结构。其配方技术:首先在玻璃衬底上通过掩膜版制备一层金作为源极和漏极,再在金电极上利用溶胶凝胶法制备一层有机盐掺杂后的聚合物有机半导体有源层,并在有源层上旋涂一层介电材料作为绝缘层,最后通过掩膜版在绝缘层表面制备铝形成栅电极。该方法所制备的聚合物有机薄膜晶体管相较于传统聚合物有机薄膜晶体管,其弱极性沟道区的开关比、迁移率得到了明显的提升。本技术提升了顶栅底接触结构的聚合物有机薄膜晶体管的双极性性能,具有成本低廉、工艺步骤简单的特点,也为未来互补型集成电路的研究和应用奠定了基础。
4、一种有机薄膜晶体管的用途及基于其的有机薄膜的杨氏模量值评估方法
 [简介]:本技术涉及一种有机薄膜晶体管的用途及基于其的有机薄膜的杨氏模量值评估方法,所述有机薄膜晶体管用于气压传感器件,相较于传统的气压传感器件,其具有制备工艺简单、尺寸小,且对气体种类无选择响应的特点,从而具有更宽的应用范围;同时本技术中基于将有机薄膜制成有机薄膜晶体管,并作为气压传感器件,测试其输出电流与气压的对应关系,进而通过理论分析半定量估算得出有机薄膜的杨氏模量,避免了通过探针技术实验表征的各种困难,具有很大的实际应用前景。
5、一种超高增益有机薄膜晶体管及其配方技术
 [简介]:本技术提供一种超高增益有机薄膜晶体管及其配方技术。该有机薄膜晶体管包括衬底、介电层、半导体沟道层和源/漏电极,其中介电层为铁电性氧化物薄膜,半导体沟道层为有机分子薄膜。其配方技术包括如下步骤:在衬底表面生长铁电性氧化物薄膜作为介电层;在介电层表面生长有机分子薄膜作为半导体沟道层;制备源/漏电极。本技术采用铁电性氧化物作为介电层,其引入的负电容效应在有机薄膜晶体管中打破了玻尔兹曼极限,获得了室温下小于60mV/dec的亚阈值摆幅和大于38.7S/A的跨导效率,本征增益达到4.7×104,比已报导结果高一个量级以上。该有机薄膜晶体管还可制备在柔性衬底上,在柔性低功耗电路、皮肤电子、射频标签、显示驱动等领域具有广泛的潜在应用。
6、有机薄膜晶体管器件配方技术及显示面板
 [简介]:本申请实施例提供的有机薄膜晶体管器件配方技术及显示面板,涉及半导体器件技术领域。通过在掩膜层上形成有机半导体层,再通过移除该掩膜层的方式形成有机半导体沟道层。上述形成有机半导体沟道层的方式相对于光刻形成有机半导体沟道层的方式,因形成过程不会涉及高温烘烤光刻胶层的工艺步骤,所形成的有机半导体沟道层中载流子的迁移率较高,有机薄膜晶体管器件的电学特性相对稳定。同时,上述形成有机半导体沟道层的方式,有效规避了制程环境因素(光、高温)对有机半导体沟道层形成的影响,有机半导体沟道层图形化过程更加简单,图形化效果更好。
7、一种基于有机薄膜晶体管的氨气传感器及其配方技术
 [简介]:本技术提供了一种基于有机薄膜晶体管的氨气传感器及其配方技术,属于传感器制备技术领域,从下到上依次包括衬底、栅电极、介电层、半导体层、源电极和漏电极,所述介电层由第一介电层和第二介电层组成的双介电层结构,所述第一介电层为机介电材料,所述第二介电层由鸡蛋清为原料制备而成。本技术利用鸡蛋清为原料制得第二介电层,有效减少了有毒试剂的使用;并且由于鸡蛋清含有丰富蛋白质,具有多种官能团,更容易感应外界气体,提升有机薄膜晶体管的气体传感响应;同时该气体传感器采用这种天然生物材料鸡蛋清,生物环保、无毒可降解,成本更低,适宜大规模量产。
8、四氯代联噻吩、聚合物及合成方法和有机薄膜晶体管应用
 [简介]:本技术涉及四氯代联噻吩、聚合物及合成方法和有机薄膜晶体管应用。四氯代联噻吩聚合物结构式如下;本技术所提供的四氯代联噻吩是具有高直接芳基化缩聚反应活性的聚合单体,与多种卤代芳香化合物单体进行直接芳基化缩聚反应,制备共轭聚合物。聚合得到的共轭聚合物可以用来制备有机薄膜晶体管器件。并且,基于该化合物的共轭聚合物具有较低的最高未占据轨道(LUMO)和最高被占轨道(HOMO)能级,表现出较好的电子传输(n型)性能或者电子传输与空穴传输并存的双极传输性能。
9、一种溶剂蒸气热处理提高有机薄膜晶体管器件载流子迁移率的方法
 [简介]:本技术提供了一种溶剂蒸气热处理提高有机薄膜晶体管器件载流子迁移率的方法。本技术将有机薄膜晶体管器件的有源层置于溶剂蒸汽环境中热退火处理,显著增加了有源层的表面粗糙度,从而提高器件载流子的迁移率,为提高OTFT器件载流子迁移率提供了一种新的后处理工艺。
10、一种有机薄膜晶体管的测试系统
 [简介]:本技术提供了一种有机薄膜晶体管的测试系统,其组成包括:函数信号发生器,电流放大器,示波器,直流电源,光源系统,测试接口,有机薄膜晶体管单元。本技术组成了一套有机薄膜晶体管静态输出特性、开关特性和光电特性的测试系统,其组成结构是:所述的光源系统照射有机薄膜晶体管,所述的有机薄膜晶体管的栅极、漏极和源极通过测试接口分别与所述的直流电源、函数信号发生器和电流放大器相连,所述的示波器与电流放大器相连,负责显示有机薄膜晶体管的输出特性。所述的上述器件共地连接。该测试系统可以快速准确直观的测试有机薄膜晶体管静态输出特性、开关特性和光电特性。
11、四氯代二噻吩乙烯、聚合物及合成方法和有机薄膜晶体管应用
12、一种全溶液柔性有机薄膜晶体管阵列及其配方技术与应用
13、一种有机盐掺杂P型有机薄膜晶体管及其配方技术
14、用于有机薄膜晶体管的可光图案化的有机半导体(OSC)聚合物
15、一种提高全有机薄膜晶体管器件迁移率的方法
16、一种底栅顶接触结构的有机薄膜晶体管及其配方技术与应用
17、一种基于有机薄膜晶体管的湿度传感器及其配方技术
18、一种改进亚阈值摆幅和开关比的有机薄膜晶体管及配方技术
19、基于有机薄膜晶体管的AMOLED电压型像素补偿驱动电路
20、含有有机半导体的组合物、有机半导体层形成用溶液、有机半导体层以及有机薄膜晶体管
21、用于有机薄膜晶体管的可光图案化的杂型有机半导体聚合物
22、聚苯乙烯在有机薄膜晶体管抗辐照中的应用
23、一种基于空气介电层的有机薄膜晶体管二氧化氮传感器及其配方技术
24、一种有机薄膜晶体管及其配方技术
25、一种有机薄膜晶体管有源层图形化的方法
26、一种高迁移率柔性低压有机薄膜晶体管及其配方技术
27、一种铟掺杂N型有机薄膜晶体管及其配方技术
28、一种基于有机薄膜晶体管的二氧化氮传感器及其配方技术
29、一种以高介电、宽带隙金属氧化物为绝缘层的有机薄膜晶体管及其配方技术与应用
30、有机薄膜晶体管及其配方技术
31、有机薄膜、有机薄膜晶体管以及电子设备
32、一种有机薄膜晶体管及其配方技术和显示器件
33、化合物、有机薄膜、薄膜晶体管和电子设备
34、化合物、有机薄膜、薄膜晶体管和电子器件
35、基于有机薄膜晶体管的电流型像素驱动电路
36、一种基于有机薄膜晶体管的可拉伸突触及其配方技术
37、一种双栅有机薄膜晶体管及其配方技术
38、一种基于有机薄膜晶体管阵列的尿酸传感器及控制方法
39、一种有机薄膜晶体管及其配方技术
40、用于有机薄膜晶体管的可UV图案化的聚合物掺混物
41、一种垂直结构有机薄膜晶体管阵列及其配方技术
42、一种高迁移率有机薄膜晶体管及其配方技术
43、一种含双层介电层的有机薄膜晶体管及其配方技术
44、一种六甲基二硅氮烷修饰有机薄膜晶体管及其配方技术
45、有机半导体组合物、有机薄膜及有机薄膜晶体管
46、一种结晶性溶剂调控的结晶性有机薄膜晶体管的配方技术
47、一种柔性有机薄膜晶体管及其配方技术
48、用于有机薄膜晶体管的可UV图案化的聚合物掺混物
49、用于有机薄膜晶体管的栅极电介质绝缘体的基于PVDF的聚合物的UV交联
50、一种有机薄膜晶体管及其配方技术
51、一种有机薄膜晶体管的配方技术
52、一种锆掺杂有机薄膜晶体管及其配方技术
53、一种界面修饰底接触电极有机薄膜晶体管气体传感器的配方技术
54、用于有机薄膜晶体管的可UV图案化的聚合物掺混物
55、含噻唑桥连萘二酰亚胺的n-型共轭聚合物及其制备与在有机薄膜晶体管和光伏器件的应用
56、一种有机薄膜晶体管及其配方技术
57、一种聚电解质复合介电层材料及其制备的有机薄膜晶体管
58、有机薄膜晶体管及其在传感应用中的用途
59、一种有机薄膜晶体管及其配方技术
60、用于有机薄膜晶体管的源极-漏极导体
61、一种有机薄膜晶体管及其配方技术
62、有机半导体组合物、有机薄膜晶体管的制造方法及有机薄膜晶体管
63、垂直沟道有机薄膜晶体管及其制作方法
64、一种有机薄膜晶体管构造的像素电路
65、一种有机薄膜晶体管及其配方技术
66、有机薄膜晶体管、有机半导体膜、化合物、有机薄膜晶体管用组合物及有机薄膜晶体管的制造方法
67、有机薄膜晶体管及其配方技术
68、像素结构垂直沟道有机薄膜晶体管及其制作方法
69、以相片纸为基底的有机薄膜晶体管的制作方法
70、一种柔性有机薄膜晶体管基板的制造方法
71、有机薄膜晶体管的制作方法
72、一种改善柔性打印有机薄膜晶体管的制作方法
73、有机薄膜晶体管元件及其制作方法
74、有机薄膜晶体管及其配方技术
75、有机薄膜晶体管及其制造方法
76、组合物及使用其的有机薄膜晶体管
77、有机薄膜晶体管及其制作方法
78、有机薄膜晶体管
79、一种有机薄膜晶体管及提高有机薄膜晶体管迁移率的方法
80、一种有机薄膜晶体管及其制造方法
81、一种有机薄膜晶体管及其配方技术
82、柔性垂直沟道有机薄膜晶体管及其制作方法
83、一种提高非易失浮栅有机薄膜晶体管型存储器性能的方法
84、一种基于有机薄膜晶体管的温度传感器
85、一种用于柔性低压驱动有机薄膜晶体管的高介电栅介质材料及其配方技术与应用
86、有机薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
87、有机薄膜晶体管配方技术及设备
88、一种有机薄膜晶体管及其制作方法
89、有机薄膜晶体管及其配方技术
90、一种基于有机薄膜晶体管反相器的传感器
91、有机薄膜晶体管的制作方法
92、一种基于有机薄膜晶体管的生物/化学传感器
93、一种通过双交联反应对有机薄膜晶体管绝缘层优化的方法
94、一种基于喷墨打印技术的有机薄膜晶体管器件的优化方法
95、使用累积层作为电极的与发光二极管合并的有机薄膜晶体管
96、有机薄膜晶体管
97、有机薄膜晶体管及其制造方法
98、一种组合物及使用其的有机薄膜晶体管
99、一种改善有机薄膜晶体管性能的方法
100、含蒽基可热固化绝缘层材料及其在制备有机薄膜晶体管绝缘层中的应用
101、有机薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
102、有机薄膜晶体管及其制造方法
103、作为高性能有机薄膜晶体管的电介质表面的膦酸自组装单分子膜
104、栅绝缘膜、有机薄膜晶体管及有机薄膜晶体管的制造方法
105、一种基于肖特基接触的光敏有机薄膜晶体管及其配方技术
106、一种有机薄膜晶体管及其配方技术
107、有机薄膜晶体管及其制造和使用方法
108、一种有机薄膜晶体管的配方技术
109、一种用于喷墨打印有机薄膜晶体管的绝缘层修饰方法
110、栅绝缘膜、有机薄膜晶体管及有机薄膜晶体管的制造方法
111、有机半导体组合物、有机薄膜晶体管、电子纸及显示器件
112、一种改善有机薄膜晶体管稳定性的方法
113、一种有机薄膜晶体管及其配方技术
114、有机薄膜晶体管用化合物和使用其的有机薄膜晶体管
115、有机薄膜晶体管、萘并双噻嗪化合物及其类似骨架的化合物与其用途
116、一种柔性聚吡咯有机薄膜晶体管及其配方技术
117、一种有机薄膜晶体管及其配方技术
118、一种基于有机薄膜晶体管二氧化硫气体传感器的配方技术
119、一种基于有机薄膜晶体管二氧化氮气体传感器的配方技术
120、一种用于印刷电子与集成电路界面的有机薄膜晶体管
121、一种基于有机薄膜晶体管一氧化碳气体传感器的配方技术
122、一种有机薄膜晶体管的配方技术
123、一种有机薄膜晶体管及其配方技术
124、用于喷墨打印有机薄膜晶体管的绝缘层修饰方法
125、一种用以改进结构性能的有机薄膜晶体管配方技术
126、有机薄膜晶体管及其配方技术
127、一种有机薄膜晶体管及其配方技术
128、一种有机薄膜晶体管及其配方技术
129、基于有机薄膜晶体管的透明变色多重防伪闪速存储器件及其制造方法和应用
130、一种有机薄膜晶体管及其配方技术
131、有机薄膜晶体管及其在传感应用中的用途
132、一种有机薄膜晶体管阵列基板的制作方法
133、化合物、聚合物、聚合物半导体材料及有机薄膜晶体管
134、有机薄膜晶体管
135、一步实现图案化和自修饰界面的有机薄膜晶体管配方技术
136、一种溶液法低电压高性能有机薄膜晶体管及其配方技术
137、一种有机薄膜晶体管
138、有机薄膜晶体管用化合物及其使用的有机薄膜晶体管
139、有机薄膜晶体管
140、一种有机薄膜晶体管阵列基板制作方法
141、用于溶液法小分子有机薄膜晶体管的接触式印刷工艺
142、一种短沟道有机薄膜晶体管的配方技术
143、可热固化、高介电常数的绝缘层材料及用于制备有机薄膜晶体管栅绝缘层
144、一种有机薄膜晶体管及其配方技术
145、有机薄膜晶体管、制造有机薄膜晶体管的方法和显示器
146、有机薄膜晶体管及其配方技术
147、具有离子交换的玻璃基材的有机薄膜晶体管
148、有机薄膜晶体管及其制造方法
149、红荧烯弱外延生长薄膜及其在有机薄膜晶体管中的应用
150、一种有机薄膜晶体管电流-电压仿真模型的参数提取方法
151、N型有机薄膜晶体管、双载子场效应晶体管及其配方技术
152、有机半导体微粒材料、有机半导体薄膜、有机半导体膜形成用分散液、有机半导体薄膜的制造方法及有机薄膜晶体管
153、有机薄膜晶体管阵列基板及其配方技术
154、高性能底接触有机薄膜晶体管
155、一种有机薄膜晶体管器件及其制作方法
156、有机薄膜晶体管的制法
157、一种有机半导体材料及该材料制备有机薄膜晶体管的方法
158、可紫外光刻微图案化的有机薄膜晶体管半导体材料及用途
159、一种空穴传输型有机薄膜晶体管及其配方技术
160、有机薄膜晶体管制造中的栅介质材料的配方技术
161、有机薄膜晶体管及其制造方法
162、有机薄膜晶体管
163、一种有机薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
164、有机半导体材料、含有该材料而成的涂布液以及有机薄膜晶体管
165、低接触电阻的有机薄膜晶体管
166、垂直式有机薄膜晶体管的制作方法
167、有机薄膜晶体管
168、一类醇溶性可光和热交联的共聚物在有机薄膜晶体管中的应用
169、有机薄膜晶体管及其配方技术
170、一种N型有机薄膜晶体管及其配方技术
171、聚合物半导体材料和有机薄膜晶体管
172、含有离去取代基的化合物,由其形成的有机半导体材料,使用所述有机半导体材料的有机电子器件、有机薄膜晶体管和显示器,制备膜样产品的方法,π-电子共轭化合物以及制备所述π-电子共轭化合物的方法
173、基于有机薄膜晶体管的甲醛气体传感器及其配方技术
174、一种有机薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
175、一种复合结构的有机薄膜晶体管
176、多环稠环化合物以及使用该多环稠环化合物的有机薄膜晶体管
177、有机半导体材料、有机半导体薄膜以及有机薄膜晶体管
178、使用纸基板及蚕丝介电层的有机薄膜晶体管及其制作方法
179、含杂环的非对称性芳香族化合物、有机薄膜晶体管用化合物、以及使用它的有机薄膜晶体管
180、由无电镀形成有机薄膜晶体管的源电极和漏电极的方法
181、一种有机薄膜晶体管及其配方技术
182、可直接光写入图案化的有机薄膜晶体管绝缘层材料
183、一种有机半导体材料及使用该材料的有机薄膜晶体管
184、蚕丝溶液、使用其制备的有机薄膜晶体管及电容及其制法
185、有机薄膜晶体管及其形成方法
186、一种双极型有机薄膜晶体管及其制作方法
187、酞菁化合物及有机薄膜晶体管
188、与卷对卷技术兼容的大面积有机薄膜晶体管列阵配方技术
189、有机半导体材料、有机半导体薄膜以及有机薄膜晶体管
190、制造有机薄膜晶体管的方法
191、用于有机薄膜晶体管的光和热的能量可交联绝缘层材料
192、光交联性有机薄膜晶体管绝缘层材料
193、可直接光写入图案化的有机薄膜晶体管绝缘层材料
194、有机薄膜晶体管及制造方法和包含其的有机发光显示器件
195、有机薄膜晶体管及其制造方法,和使用其的显示设备
196、圆环形闭合沟道有机薄膜晶体管
197、有机薄膜晶体管
198、有机薄膜晶体管用化合物和使用其的有机薄膜晶体管
199、有机薄膜晶体管
200、有机薄膜晶体管及其制造方法
201、稠环化合物及其制造方法、聚合物、含有其的有机薄膜及具有该有机薄膜的有机薄膜元件和有机薄膜晶体管
202、有机薄膜晶体管及其制造方法、以及使用了该有机晶体管的显示器用构件及显示器
203、一种低电压有机薄膜晶体管及其配方技术
204、有机薄膜晶体管用化合物和使用其的有机薄膜晶体管
205、使用激光诱导热转移印刷工艺制造有机薄膜晶体管的方法
206、有机薄膜晶体管用化合物及使用其的有机薄膜晶体管
207、可直接光写入图案化的有机薄膜晶体管绝缘层材料
208、有机薄膜晶体管及制造方法和包含其的有机发光显示器件
209、有机薄膜晶体管用化合物和使用其的有机薄膜晶体管
210、树脂组合物、栅极绝缘层和有机薄膜晶体管
211、用于顶栅有机薄膜晶体管的经表面处理的基板
212、有机薄膜晶体管用感光性树脂组合物
213、有机薄膜晶体管及有机薄膜发光晶体管
214、芳胺聚合物、其配方技术、油墨组合物、膜、电子器件、有机薄膜晶体管和显示设备
215、堆叠结构及其图案化方法以及有机薄膜晶体管及其阵列
216、同步光泵浦的有机薄膜晶体管
217、一种有机薄膜晶体管及其配方技术
218、有机薄膜晶体管及其制造方法
219、一种有机薄膜晶体管及其配方技术
220、有机薄膜晶体管、有源矩阵有机光学器件及其制造方法
221、三层复合膜绝缘栅的有机薄膜晶体管及其配方技术
222、有机薄膜晶体管与像素结构及其制作方法以及显示面板
223、有机薄膜晶体管
224、有机薄膜晶体管及其制造方法
225、一种有机薄膜晶体管及其配方技术
226、自对准有机薄膜晶体管及其制造方法
227、一种有机薄膜晶体管
228、有机薄膜晶体管、有源矩阵有机光学器件及其制造方法
229、有机薄膜晶体管基板及其制造方法、以及图像显示面板及其制造方法
230、有机薄膜晶体管及其形成方法
231、一种有机薄膜晶体管及其配方技术
232、可溶性四烷基轴向取代酞菁化合物在制备有机薄膜晶体管中的应用
233、有机薄膜晶体管
234、有机薄膜晶体管、有机发光器件和有机发光显示器
235、一次掩膜光刻同时定义有机薄膜晶体管源漏栅电极的方法
236、有机薄膜晶体管和有机薄膜发光晶体管
237、具有双层电极的有机薄膜晶体管
238、低压有机薄膜晶体管及其配方技术
239、有机光检测器及其制造方法与有机薄膜晶体管的制造方法
240、轴向取代酞菁化合物用于制备有机薄膜晶体管的应用
241、一种有机薄膜晶体管的多重保护层
242、场效应晶体管、有机薄膜晶体管及有机晶体管的制造方法
243、有机薄膜晶体管基板及其制造方法
244、基于浮栅结构的非易失性有机薄膜晶体管存储器及其制造方法
245、有机薄膜晶体管元件以及有机薄膜发光晶体管
246、一种简化结构的有机薄膜晶体管及其配方技术
247、有机薄膜晶体管及有机薄膜发光晶体管
248、一种有源层图形化的有机薄膜晶体管的配方技术
249、通过有机半导体材料的氧化和选择性还原以制造有机薄膜晶体管的方法
250、具有有机薄膜晶体管的半导体器件的制造方法
251、有机薄膜晶体管和有机薄膜发光晶体管
252、有机薄膜晶体管以及控制高分子材料层表面能的方法
253、有机薄膜晶体管的制造方法
254、稠环化合物及其制造方法、聚合物、含有它们的有机薄膜,有机薄膜元件及有机薄膜晶体管
255、包括磷酸酯类自组装单层的有机薄膜晶体管及其制造方法
256、有机薄膜晶体管的制造方法
257、用于有机薄膜晶体管液晶显示器的阵列基板及其制造方法
258、使用超薄金属氧化物栅极介电层的有机薄膜晶体管及其制造方法
259、有机薄膜晶体管、其制法及包括其的平板显示器
260、有机薄膜晶体管阵列面板及其配方技术
261、有机薄膜晶体管和具有该有机薄膜晶体管的平板显示设备
262、图案化制程及应用此制程的有机薄膜晶体管的制作方法
263、有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
264、有机薄膜晶体管及其配方技术
265、有机薄膜晶体管及其制造方法和包括其的平板显示器
266、有机薄膜晶体管及其制造方法
267、具双闸极有机薄膜晶体管的电路结构及其应用
268、有机薄膜晶体管阵列板
269、嘧啶并嘧啶衍生物,使用嘧啶并嘧啶衍生物的有机薄膜晶体管和制造该晶体管的方法
270、有机薄膜晶体管及其制造方法
271、有机薄膜晶体管
272、有机薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
273、有机薄膜晶体管
274、有机薄膜晶体管和有源矩阵显示器
275、有机绝缘体组合物、有机绝缘膜、有机薄膜晶体管和电子设备以及形成这些产品的方法
276、有机薄膜晶体管及其制造方法和显示器件
277、具有多层电极的有机薄膜晶体管
278、有机薄膜晶体管显示板
279、有机薄膜晶体管及其制造方法
280、有机薄膜晶体管及其制造方法及平板显示器
281、薄膜晶体管、有机薄膜晶体管阵列板及其制作方法
282、芳基胺聚合物和有机薄膜晶体管
283、有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
284、有机薄膜晶体管、其制造方法、和包括其的平板显示器
285、用于有机薄膜晶体管的材料
286、有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
287、有机半导体膜的形成方法、有机半导体膜及有机薄膜晶体管
288、有机薄膜晶体管阵列板及其制造方法
289、有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
290、有机薄膜晶体管及制造方法和包含其的有机发光显示器件
291、有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
292、有机薄膜晶体管以及包含这种晶体管的平板显示器
293、包含有机受体膜的有机薄膜晶体管
294、有机薄膜晶体管,其制造方法以及具有该晶体管的平板显示器
295、有机薄膜晶体管
296、制造有机薄膜晶体管的方法和用其制造液晶显示器件的方法
297、有机薄膜晶体管及其制造方法
298、星形低聚噻吩-亚芳基衍生物和利用它的有机薄膜晶体管
299、有机薄膜晶体管
300、有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
301、有机薄膜晶体管及其制造方法和平板显示器件
302、有机绝缘体、包含它的有机薄膜晶体管阵列面板及其制法
303、有机薄膜晶体管以及包括该有机薄膜晶体管的基板
304、制备有机薄膜晶体管的方法
305、有机薄膜晶体管阵列及其制造方法
306、含有非反应活性缓冲层的有机薄膜晶体管及其制作方法
307、有机薄膜晶体管和制造其的方法
308、有机半导体层的形成方法及有机薄膜晶体管
309、有机薄膜晶体管阵列板及其制造方法
310、有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
311、低聚噻吩-亚芳基衍生物和使用其的有机薄膜晶体管
312、有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
313、有机薄膜晶体管及包括该有机薄膜晶体管的平板显示器
314、高精度印刷法制作有机薄膜晶体管的方法
315、有机薄膜晶体管及其制作方法
316、有机薄膜晶体管及其制造方法以及有机薄膜晶体管片材
317、功能有机薄膜,有机薄膜晶体管以及它们的形成方法
318、包含多层栅绝缘体的有机薄膜晶体管
319、功能有机薄膜,有机薄膜晶体管,含π电子共轭分子的硅化合物,它们的形成方法
320、塑料基板有机薄膜晶体管的制作方法
321、包含缓冲层的有机薄膜晶体管
322、有机薄膜晶体管及其制造方法
323、有机薄膜晶体管及其制造方法、以及使用了它的有源矩阵型显示器和无线识别标签
324、塑料基板的有机薄膜晶体管制作方法
325、有机薄膜晶体管元件及其制造方法
326、以表面浮雕结构来增强载流子迁移率的有机薄膜晶体管
327、有机薄膜晶体管
328、新型有机半导体聚合物和使用该聚合物的有机薄膜晶体管
329、含有修饰层的有机薄膜晶体管器件及其加工方法
330、有机薄膜晶体管及其配方技术
331、有机薄膜晶体管及配方技术
332、有机薄膜晶体管
333、有机薄膜晶体管
334、有机薄膜晶体管
335、具有硅氧烷聚合物界面的有机薄膜晶体管及其制造方法
336、有机薄膜晶体管及其制造方法以及包含它的集成电路
337、一种有机薄膜晶体管开关器件及制作方法
338、用于有机薄膜晶体管的取向聚合物
 
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