1、一种磷化铟晶片的化蜡方法
[简介]：本技术提供一种磷化铟晶片的化蜡方法，包括：配制清洗药液，清洗药液包括水和清洗药剂，清洗药剂包括无机碱、非离子表面活性剂、助剂和分散剂；将清洗剂加热至80～85℃，将晶片依次过药，过药后冲水、甩干即可。本技术的方法可以批量化蜡磷化铟的抛光片，本方法操作简单，加工效率高，成品率能达到90%以上。通过本技术化蜡的磷化铟晶片Haze≤60ppm；晶片表面颗粒Tencor0.3μm≤10颗，更有利于外延结构的生长。化蜡片未检测到擦伤、脏等缺陷。本技术采用卡塞化蜡的方法，相比单片化蜡工艺可以节省时长，提高化蜡效率；相较于传统的卡塞化蜡工艺，本工艺更为简便，成本更低，化蜡效果更好，且清洗剂的成本低。
2、一种用于InP磷化铟单晶片电性能测试的高斯计探头、测试装置及测试方法
[简介]：本技术提供了一种用于InP磷化铟单晶片电性能测试的高斯计探头、测试装置及测试方法，用于InP磷化铟单晶片电性能测试的高斯计探头，包括探头本体、测试样片和数据线；探头本体一端为样品端、另一端为出线端，探头本体的样品端设有方形凹槽；数据线一端分支为四根控制线、分别位于方形凹槽内的四角处，数据线的另一端从探头本体的出线端穿出；测试样片位于方形凹槽内；四根控制线的端部分别连接有铂铑丝、作为导体连接线端，导体连接线端与测试样片焊接。本申请可获得晶棒准确的电性能参数，为晶片分级、客户分类及技术调整提供有力的参考依据，有效防止了因电性能参数问题而导致的客户退货问题。
3、一种磷化铟晶片的清洗方法
[简介]：本技术提供了一种磷化铟晶片的清洗方法，包括如下步骤：将抛光后的磷化铟晶片甩干后，依次经过：热硫酸浸泡、冷硫酸浸泡、冲洗、柠檬酸酸水溶液浸泡、冲洗、稀无机酸浸泡、冲洗、氨水和双氧水的混合溶液浸泡和冲洗后，甩干即可。本技术磷化铟晶片的清洗方法，相比现有工艺，亮点明显减少，成品率显著提高，稳定性好、安全性高、能耗低。
4、一种磷化铟晶片的清洗方法
[简介]：本技术属于半导体晶片加工技术领域，提供了一种磷化铟晶片的清洗方法。该清洗方法，先采用有机溶剂去除磷化铟晶片表面的有机物，然后依次采用碱液、酸液和碱液对磷化铟晶片进行清洗。本技术提供的清洗方法，依次去除大颗粒物、小颗粒物和金属残留杂质，能够有效去除大直径磷化铟晶片上的微纳米级杂质颗粒，使大直径磷化铟晶片残留80nm的粒子数密度小于0.2颗/厘米2；在边缘去除2mm情况下，4英寸的磷化铟晶片残留80nm的粒子小于340颗，6英寸的磷化铟晶片残留80nm的粒子小于450颗。
5、一种磷化铟晶片的研磨方法
[简介]：本技术涉及半导体晶片加工技术领域，提供了一种磷化铟晶片的研磨方法，包括以下步骤：将磷化铟晶片放入第一清洗剂中清洗，然后冲洗干净；将磷化铟晶片放入到研磨机上进行第一次研磨，第一研磨液的质量百分比为：25％～30％CA15三氧化二铝、1％～2％分散剂、1％～2％第一研磨油、66％～73％去离子水；将磷化铟晶片第二次清洗；对磷化铟晶片进行第二次研磨，第二研磨液的质量百分比为：35％～45％CA12三氧化二铝、5％～6％分散剂、5％～6％第二研磨油、43％～55％去离子水；最后第三次清洗。本技术解决现有技术在磷化铟晶片研磨过程中，可能出现的轻微划伤的问题，增加磷化铟晶片表面的平整度，在腐蚀过程中，更易清洗干净。
6、一种磷化铟晶片的腐蚀方法
[简介]：本技术提供了一种磷化铟晶片的腐蚀方法，涉及半导体材料技术领域。本技术的一种磷化铟晶片的腐蚀方法，所述腐蚀方法将晶片进行预清洗后，进行了两次腐蚀，两次腐蚀分别采用一次腐蚀液和二次腐蚀液对晶片进行腐蚀处理，所述一次腐蚀液的原料包括双氧水、硫酸、柠檬酸、冰醋酸。本技术提供了一种磷化铟晶片的腐蚀方法，能够对晶片本体进行腐蚀，即使对晶片发生触碰也不需要重新进行研磨，且在进行腐蚀的过程中，不需要降温设备，能够在常温下直接对晶片进行腐蚀。
7、磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法
[简介]：本技术提供一种良好地抑制基板背面的翘曲的磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法。磷化铟基板是具有用于形成外延晶体层的主面和主面的相反侧的背面的磷化铟基板，在使磷化铟基板的背面朝上的状态下测定出的、背面的WARP值为3.5μm以下。
8、磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法
[简介]：本技术提供一种良好地抑制基板背面的翘曲的磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法。磷化铟基板具有用于形成外延晶体层的主面和主面的相反侧的背面，在使磷化铟基板的背面朝上的状态下测定出的、背面的BOW值为－2.0～2.0μm。
9、磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法
[简介]：本技术提供一种良好地抑制基板背面的翘曲的磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法。磷化铟基板是具有用于形成外延晶体层的主面和主面的相反侧的背面的磷化铟基板，在使磷化铟基板的背面朝上的状态下测定出的、背面的SORI值为2.5μm以下。
10、一种磷化铟晶片的位错测定方法
[简介]：本技术涉及半导体材料领域，提供了一种磷化铟晶片的位错测定方法，在位错腐蚀前先采用手工抛光液对磷化铟晶片进行手工抛光，手工抛光液由甲醇和液溴组成，甲醇和液溴的体积比为5：1，甲醇及液溴的质量分数均为99.5％。采用手工抛光液抛光过后的磷化铟晶片放入一号腐蚀液中腐蚀后冲洗干净，再放入二号腐蚀液中腐蚀，腐蚀完成后取出冲洗干净，干燥，利用光学显微镜测定EPD密度；一号腐蚀液中包含硫酸，硫酸的质量分数为98％，二号腐蚀液中包含氢溴酸，氢溴酸的质量分数为48％。本技术能够提高磷化铟腐蚀位错的效率及计算EPD数量的准确性。
11、一种磷化铟晶片加工方法
12、一种提高半绝缘磷化铟单晶片电阻率均匀性的方法
13、一种磷化铟和硅晶片键合方法
14、一种大尺寸薄片磷化铟晶片的线切割加工方法
15、磷化铟晶锭切割（100）晶片的方法
16、一种磷化铟单晶片的腐蚀方法
17、用于磷化铟晶片的下盘方法
18、背面有橄榄形凹坑的磷化铟晶片、制法及所用腐蚀液
19、一种掺铁磷化铟单晶片的退火方法
20、一种磷化铟晶片抛光液
21、背面有凹坑的磷化铟晶片、制法和制备其的腐蚀液
22、磷化铟晶片退火盒
23、一种腐蚀磷化铟单晶片的腐蚀液及腐蚀方法
24、磷化铟晶片及其表面清洗方法
25、磷化铟基板的制造方法、外延晶片的制造方法、磷化铟基板及外延晶片
26、磷化铟单晶片的抛光工艺
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