1、一种Yb3+掺杂的巨介电常数低损耗陶瓷及其配方技术
[简介]：本技术提供了一种Yb3+掺杂的巨介电常数低损耗陶瓷及其配方技术，属于陶瓷成型制品及其配方技术领域。所述巨介电常数低损耗陶瓷由CaCu3Ti4O12和Yb2O3组成。所述的配方技术包括：在空气气氛下，以CaCO3、CuO和TiO2为原料，以Yb2O3为添加剂，采用固相反应工艺制得所述巨介电常数低损耗陶瓷。本技术充分运用了固相法制备工艺简单、可重复性高、成品率高等优点，为大规模工业化生产铺平道路。
2、一种巨介电常数钛酸钡基介电材料及其配方技术
[简介]：本技术提供了一种巨介电常数钛酸钡基介电材料及其配方技术，所述巨介电常数钛酸钡基介电材料以100重量份的钛酸钡为主基料，添加0.8～4.0重量份的共融物I和0.1～0.8重量份的共融物II；所述共融物I为铌元素的氧化物和A元素的氧化物形成的共融物、共融物II为硅硼铋锂的共融物；其中，元素A为钽、镓、钴、镍中的一种或几种。本技术中巨介电常数钛酸钡基介电材料采用传统的固相法工艺进行制备，工艺简单，成本低，制备出来的介电材料具有介电常数能够达到10000以上，介质损耗低，能够满足电力电子技术的进一步发展需求。
3、一种巨介电常数钛酸锶介质陶瓷及其配方技术
[简介]：本技术属于陶瓷材料技术领域，提供了一种巨介电常数钛酸锶介质陶瓷及其配方技术，化学式为Sr1?xEuxTiO3，0.01≤x≤0.015；其配方技术为将SrCO3、Eu2O3、TiO2配料后混合球磨；球磨后所得原料烘干、过筛、1000℃下预烧3小时，预烧后的粉料混合球磨；球磨后所得原料烘干、过筛，所得粉料添加粘结剂，过筛之后进行造粒，压制成生坯并排胶；排胶完全后的胚体在N2气氛下1400℃烧结，保温6h得到最终样品。本技术采用传统固相法，通过掺杂改性，制备出Sr1?xEuxTiO3介质陶瓷，在提高介电常数的同时使其保持较低的介电损耗，进一步改善陶瓷材料的介电性能，从而更好地满足实际的应用需求。
4、一种二氧化钛基巨介电常数电介质陶瓷材料的改性方法
[简介]：本技术提供了一种二氧化钛基巨介电常数电介质陶瓷材料的改性方法，先按摩尔比TiO2：Ta2O5：Eu2O3＝97:0.015:0.015进行配料，经过球磨、烘干、过筛后进行造粒，再压制成坯体，排胶后于1400～1450℃烧结，制成二氧化钛基电介质陶瓷材料；再利用直流磁控溅射方法，制备出具有超宽温度范围巨介电常数低损耗的二氧化钛基电介质陶瓷材料。本技术具有优良的介电性能，介电常数ε25℃为1553219，介电损耗tanσ为0.4293，开发出能满足当今小型化MLCC制备与应用要求的电介质陶瓷材料。
5、一种巨介电常数低损耗X8R型陶瓷电容器材料及其配方技术
[简介]：本技术涉及一种巨介电常数低损耗X8R型陶瓷电容器材料，该材料的名义化学式为95mol％TiO2?5mol％Ga2O3。其配方技术如下：按照TiO2:Ga2O3＝95:5的摩尔比进行配料后以无水乙醇为球磨介质，球磨混合均匀后烘干；然后于1000?1100℃预烧2.5?3.5h得预烧后的粉体，粉碎，再以无水乙醇为球磨介质球磨混合均匀、烘干、研磨成粉状；加入PVA粘结剂，造粒、压片、排胶得到陶瓷素胚体；在1330?1370℃烧结3?5h，得陶瓷块体材料；在900?1000℃氩氢气气氛中退火1.5?2.5h即得产物。本技术制备工艺简单，成本低廉，对环境无害，且获得的X8R陶瓷材料的介电常数高，损耗低，频率及热稳定性好，具有良好的产业化前景。
6、一种还原气氛下具有高电阻率、巨介电常数和低损耗的二氧化钛基陶瓷的配方技术
[简介]：本技术提供了一种还原气氛下具有高电阻率、巨介电常数和低损耗的二氧化钛基陶瓷的配方技术，通过二氧化钛中同时添加三价元素Al和等摩尔质量的五价元素Nb，将预烧粉置于3～12T的磁场下，获得生胚，之后在N2气氛下高温烧结，在陶瓷内部形成“巨缺陷”偶极子，形成较多的局域化电子，获得巨介电陶瓷，且在磁场下会使此类偶极子被磁场定向，限制自由电荷的移动从而提高电阻率和降低介电损耗。本技术制备的陶瓷表现出了优良的温度稳定性和频率稳定性，相对介电常数大于103，介电损耗可达到0.05～0.1，电阻率可达到107～109Ω·cm，属于环境友好型电子材料，在要求小型化、轻量化的多层电子元件电容器中具有实际的应用价值。
7、一种巨介电常数CCTO基薄膜材料的配方技术
[简介]：本技术属于巨介电常数薄膜材料技术领域，具体为一种巨介电常数CCTO基薄膜材料的配方技术。具体为：先以钛酸四丁脂、硝酸铜、醋酸钙等含有金属阳离子源的材料为先驱物原料，以能溶解先驱物原料的水、无水乙醇、冰醋酸等为溶剂，配制含有钛源、铜源和钙源等的先驱物溶胶，即CCTO基材料的先驱物溶胶，将此溶胶静置一段时间进行老化，采用提拉法或旋涂法在玻璃或硅衬底上进行镀膜，然后置于红外灯下烘烤10?30min，将烘烤过的薄膜在一定条件下进行激光辐照，除去有机溶剂及溶剂*离子，即得到纯相的CCTO基薄膜材料，该配方技术成本低廉、快速高效，适合CCTO巨介电材料的推广应用。
8、一种高效合成巨介电常数材料的方法
[简介]：本技术提供了一种高效合成巨介电常数材料的方法，其包括如下步骤：将CuO、CaO、α?TiO2和Cu粉混合后，进行高能湿法球磨后，烘干，得到前驱物；将所述前驱物进行激光辐照，得到所述巨介电常数材料，所述巨介电常数材料的组成为CuTi?TiO2(R)?CaTiO3?CCTO。本技术的优点在于：本技术提出激光处理的方法来高效制备CCTO基陶瓷材料，激光烧结过程可以快速局部加热，以快速热冲击发生合成反应，快速热冷却过程有利于得到粒径细小的基质材料，提高材料性能。不同于传统CCTO基陶瓷材料的耗能、耗时的固相反应过程，激光烧结快速合成材料具有节能环保、工艺简单、高效的特点，且此法获得的材料的介电常数可达105以上，适合CCTO基巨介电常数材料大范围的合成应用。
9、一种巨介电常数电介质材料的配方技术
[简介]：本技术提供了一种巨介电常数电介质材料的配方技术，首先按摩尔比BaCO3：ZrO2：TiO2＝5:1:4合成Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(BZT)，再按摩尔比Bi2O3、ZnO、Nb2O5＝3:2:4合成Bi2(Zn2/3Nb4/3)O7(BZN)，再将Ba(Zr0.2Ti0.8)O3与Bi2(Zn2/3Nb4/3)O7按摩尔比＝1:0.0001～0.0006配料，经过球磨、烘干、过筛、造粒、压制成坯体，坯体于1325℃～1425℃下进行烧结，制成巨介电常数电介质材料。本技术介电常数ε25℃～20449，介电损耗tanσ～0.0029。
10、钛酸铜钙基陶瓷材料及其巨介电常数陶瓷电容器的配方技术
[简介]：本技术提供了一种钛酸铜钙基陶瓷材料的配方技术，其包括如下步骤：将基料或基料和掺杂料的混合料混匀后，进行高能球磨，得到球磨料；在所述球磨料中加入粘结剂，进行造粒、压实后，进行烧结或激光辐照，得到钛酸铜钙基陶瓷材料；其中，所述基料中包括氧化铜、氧化钙、二氧化钛和铜粉。本技术的优点在于：激光烧结介质材料高效节能，最终得到颗粒细小、致密性较好的巨介电材料CCTO基陶瓷材料，且电容器配方技术成本低廉、快速高效，适合CCTO巨介电材料在高密度存储器件中的大范围应用。
11、一种超低损耗钽系巨介电常数介质材料及其配方技术
12、一种高性能巨介电常数介质材料
13、一种制备低损耗巨介电常数介质陶瓷材料的方法
14、一种具有巨介电常数及电调特性的无铅铁电陶瓷材料及其配方技术
15、一种三、五价异质元素共掺的巨介电常数介质材料
16、一种提升SrTiO3基巨介电常数电介质材料介电常数的方法
17、一种低损耗巨介电常数X8R型电介质材料的配方技术
18、一种超低损耗巨介电常数介质材料及其配方技术
19、一种制备SrTiO3基巨介电常数介质陶瓷材料的方法
20、一种钛酸钡基低损耗巨介电常数电介质材料及其配方技术
21、具有巨介电常数高绝缘特性的介质材料及其配方技术
22、低温烧结巨介电常数细晶陶瓷材料及配方技术及应用
23、巨介电常数电容器及其配方技术
24、一种低损耗巨介电常数陶瓷材料的配方技术
25、一种抗还原巨介电常数多层陶瓷电容器介质材料
26、一种超低损耗巨介电常数温度稳定型电容器介质材料
27、一种巨介电常数多层陶瓷电容器介质材料及其配方技术
28、一种抗还原巨介电常数低损耗高阻值陶瓷电容器介质材料
29、制备巨介电常数低损耗陶瓷电容器的方法
30、一种巨介电常数低介电损耗的电介质陶瓷材料及其配方技术
31、一种巨介电常数聚偏氟乙烯基纳米复合材料及其配方技术
32、一种巨介电常数纳米钛酸铜钙陶瓷材料的配方技术
33、一种温度稳定型无铅巨介电常数陶瓷材料
34、一种巨介电常数低介电损耗SrTiO3陶瓷材料的配方技术
35、一种巨介电常数钛酸钡陶瓷的配方技术
36、兼具巨介电常数和高磁化强度的铁氧体复合材料及其配方技术
37、巨介电常数材料
38、一种具有巨介电常数的低温共烧磁电复合材料及其配方技术
39、一种巨介电常数材料钛酸铜钙的合成方法
40、一种具有巨介电常数和高剩余磁化强度的磁电复合材料及其配方技术
41、一种具有巨介电常数和高饱和磁化强度的磁电复合材料及其配方技术
42、一种巨介电常数复合材料及其配方技术
43、具有巨介电常数和高磁导率的磁电复合材料及其配方技术
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,内容都包括具体的配方配比生产制作过程，费用260元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263
