1、制作半导体封装体的方法、半导体封装体和嵌入式PCB模块
[简介]：一种用于制作半导体封装体的方法包括：提供包括第一侧和相反的第二侧的半导体晶片，所述半导体晶片布置在第一载体上，使得所述半导体晶片的第二侧面对所述载体；利用掩模在半导体晶片的第一侧上掩蔽锯切线；通过冷喷涂或高速氧气燃料喷涂或通过冷等离子体辅助沉积来将第一金属层沉积在半导体晶片的被掩蔽的第一侧上，使得第一金属层不覆盖锯切线，沉积的第一金属层具有50μm或更大的厚度；通过沿着锯切线锯切半导体晶片将半导体晶片单个化地分割成多个半导体裸片；以及利用包封材料包封所述多个半导体裸片，使得第一金属层在包封材料的第一侧上暴露。
2、半导体封装体及其制造方法
[简介]：本提供提供一种半导体封装体及其制造方法。该半导体封装体包括一第一半导体结构以及与该第一半导体结构接合的一第二半导体结构。该第一半导体结构具有一第一接合表面。该第二半导体结构具有一第二接合表面，其与该第一接合表面部分地接触。该第一接合表面的一部分与该第二接合表面的一部分隔离。该第一和该第二接合表面的所述部分之间的一空间被密封并形成一气隙于该半导体封装体中。
3、半导体封装体及其制作方法
[简介]：一种半导体封装体包括：包括凹部的载体；半导体裸片，其布置在所述载体上，使得所述半导体裸片的第一侧面对载体；以及接触夹，其布置在所述半导体裸片的与所述第一侧相反的第二侧之上，所述接触夹包括下降部分，其中，所述下降部分布置在所述凹部中。
4、一种半导体封装体用晶圆级保护封盖及其制作方法
[简介]：本技术提供了一种半导体封装体用晶圆级保护封盖及其制作方法，半导体封装体用晶圆级保护封盖及其制作方法包括：封盖、凸块和挡板，凸块位于挡板的下端两侧，通过凸块将挡板安装在封盖上，封盖上设置有与凸块相匹配的凹槽，使得凸块与凹槽紧密的贴合在一起，从而将挡板通过凸块稳定的安装在封盖的上端，并且每相邻的两个挡板之间留有一定的缝隙，激光可以透过相邻两个挡板之间的缝隙处，而挡板所处的位置激光则无法穿透，通过设置的挡板能够有效的保护封盖下端的晶圆，同时晶圆与封盖之间为胶接，后期可通过激光的高能量将胶的化学键打断，使其丧失粘合能力，从而方便将封盖从晶圆上取下。
5、引线框架、引线框架单面棕色氧化工艺及半导体封装体
[简介]：本技术提供了引线框架，属于集成电路封装领域，它包括单侧表面设有棕色氧化层的基材，基材上设有电镀层，且电镀层位于棕色氧化层表面。本技术还提供一种引线框架单面棕色氧化工艺，以及对引线框架成品进行封装处理的半导体封装体。在引线框架单面棕色氧化工艺中，棕色氧化在电镀工序和蚀刻工序之前，直接对铜原材料进行单面棕色氧化处理，处理后的棕色氧化层位于银与铜之间的结合面上，沉积的银一致性好，颗粒均匀。
6、树脂组合物、预浸料、层叠板、多层印刷布线板及半导体封装体
[简介]：本技术涉及一种树脂组合物，其含有磷酸酯系阻燃剂(A)和聚苯醚衍生物(B)，所述磷酸酯系阻燃剂(A)具有包含2个以上芳香环结构的芳香族烃基，所述聚苯醚衍生物(B)在两末端具有含烯属不饱和键的基团。
7、功率半导体封装体和用于制造功率半导体封装体的方法
[简介]：一种功率半导体封装体包括：功率半导体芯片；电连接器，其布置在所述功率半导体芯片的第一侧处并包括耦合到所述功率半导体芯片的功率电极的第一表面；包封体，其至少部分地包封所述功率半导体芯片和所述电连接器，以及电绝缘层，其布置在所述电连接器的与所述第一表面相反的第二表面处，其中，所述包封体的部分和所述电绝缘层的部分形成所述功率半导体封装体的共面表面。
8、树脂组合物、预浸料、层叠板、多层印刷布线板及半导体封装体
[简介]：本技术涉及一种树脂组合物，其含有磷酸酯系阻燃剂(A)和聚苯醚衍生物(B)，所述磷酸酯系阻燃剂(A)具有包含2个以上芳香环结构的芳香族烃基，所述聚苯醚衍生物(B)在两末端具有含烯属不饱和键的基团。
9、半导体封装体、半导体组件和制作半导体封装体的方法
[简介]：一种半导体封装体包括：芯片载体；附连到所述芯片载体的半导体芯片；包封所述半导体芯片的包封体；以及安装孔，其配置成能够接收用于将散热器用螺钉安装到所述半导体封装体的第一侧上的螺钉，其中，所述半导体封装体的与所述第一侧相反的第二侧被配置成能够表面安装到应用板。
10、一种半导体封装体和芯片封装体
[简介]：本申请提供了一种半导体封装体和芯片封装体，该半导体封装体包括：可去除的载板、多个芯片、第一塑封层和电连接结构；间隔设置的多个芯片位于载板的一侧表面，且芯片的非功能面与载板贴合；第一塑封层覆盖所有芯片的侧面和功能面，每个芯片的功能面上的焊盘从第一塑封层中露出，且第一塑封层对应相邻芯片之间的区域设置有凹槽；电连接结构包括第一导电层，覆盖第一塑封层远离功能面一侧以及凹槽的内壁，且第一导电层与焊盘电连接；当去除载板，沿凹槽进行切割后，电连接结构具有从侧面露出的表面。通过上述方式，本申请能够将芯片功能面上的焊盘从芯片的侧面引出，且保持半导体封装体的结构强度。
11、一种半导体封装体和芯片封装体
12、包括位于其封装体主体中的腔的半导体封装体
13、半导体装置及半导体封装体
14、引线框架、引线框架单面侧面棕化工艺及半导体封装体
15、半导体封装体及其制造方法
16、一种半导体封装体和芯片封装体
17、感光性树脂组合物、感光性树脂膜、印刷配线板和半导体封装体、以及印刷配线板的制造方法
18、半导体封装体
19、引线框架、引线框架侧壁棕色氧化工艺及半导体封装体
20、半导体封装体及其形成方法
21、感光性树脂组合物、感光性树脂膜、多层印刷配线板和半导体封装体、以及多层印刷配线板的制造方法
22、热固性树脂组合物、预浸渍体、带树脂的金属箔、层叠体、印刷配线板和半导体封装体
23、形成半导体封装体的方法
24、半导体封装体的制造方法
25、引线框材料及其制造方法、以及使用其的半导体封装体
26、电路板及其配方技术、半导体封装体
27、热固化性树脂组合物、预浸渍体、层叠板、印刷线路板、半导体封装体以及热固化性树脂组合物的制造方法
28、覆铜层叠板、印刷线路板、半导体封装体及覆铜层叠板的制造方法
29、带有悬臂式焊盘的叠层半导体封装体
30、半导体封装体
31、半导体封装体和环氧树脂组合物
32、带有悬臂式焊盘的叠层半导体封装体
33、覆金属层叠板的制造方法、覆金属层叠板、印刷布线板及半导体封装体、以及无芯基板形成用支承体及半导体再布线层形成用支承体
34、半导体封装体用非导电性粘接膜及利用其的半导体封装体的制造方法
35、具有保护侧壁的半导体封装体及其形成方法
36、集成电子元件模块、包含其的半导体封装体及其制造方法
37、感光性树脂组合物、感光性树脂膜、多层印刷配线板和半导体封装体、以及多层印刷配线板的制造方法
38、层叠板、印刷线路板、半导体封装体及层叠板的制造方法
39、半导体封装体的制造方法和其中使用的粘合片
40、预浸渍体、层叠板、多层印刷线路板、半导体封装体和树脂组合物、以及预浸渍体、层叠板和多层印刷线路板的制造方法
41、具有保护侧壁的半导体封装体及其形成方法
42、半导体封装体及其制造方法
43、电路板及其配方技术、半导体封装体
44、半导体封装体
45、无芯基板用预浸渍体、无芯基板和半导体封装体
46、引线框架、半导体封装体及其制造方法
47、膜状粘接剂、使用了膜状粘接剂的半导体封装体的制造方法
48、预浸料、基底、覆金属层压体、半导体封装体和印刷电路板
49、密封用树脂组合物、重配置晶圆、半导体封装体和半导体封装体的制造方法
50、膜状粘接剂、使用了膜状粘接剂的半导体封装体的制造方法
51、脱模膜、以及半导体封装体的制造方法
52、预浸渍体、层叠板和它们的制造方法、以及印刷线路板和半导体封装体
53、引线框架、半导体封装体及其制造方法
54、预浸渍体、层叠板、印刷线路板、无芯基板、半导体封装体和无芯基板的制造方法
55、半导体封装体配置装置、制造装置、配置方法及其应用
56、切断装置、半导体封装体的粘贴方法及电子零件的制法
57、半导体芯片包封用树脂组合物和半导体封装体
58、引线框架、含它的半导体封装体及半导体封装体形成方法
59、与传热板有关的半导体封装体及其制造方法
60、预浸渍体的制造方法、预浸渍体、层叠板、印刷线路板和半导体封装体
61、预浸渍体、层叠板、印刷线路板和半导体封装体
62、切断装置、半导体封装体的粘贴方法及电子零件的制法
63、半导体封装工艺及半导体封装体
64、半导体工艺片及半导体封装体制造方法
65、无芯基板用预浸渍体、无芯基板、无芯基板的制造方法和半导体封装体
66、预浸渍体、层叠板和它们的制造方法、以及印刷线路板和半导体封装体
67、预浸渍体及其制造方法、层叠板、印刷线路板以及半导体封装体
68、双面陶瓷基板的配方技术、使用该方法制备的双面陶瓷基板以及包括其的半导体封装体
69、密封用树脂组合物、半导体封装体及半导体封装体的制造方法
70、一种半导体封装体以及制作方法
71、具有顺应性角的堆叠半导体封装体
72、FRP前体、层叠板、覆金属层叠板、印刷布线板、半导体封装体及它们的制造方法
73、堆叠式管芯半导体封装体
74、芯材料和半导体封装体和凸块电极的形成方法
75、芯材料和半导体封装体和凸块电极的形成方法
76、制造具有光学检测特征的模制的半导体封装体的方法
77、包括倒装地安装的IC和垂直集成的电感器的半导体封装体
78、中介层，以及包含中介层的半导体封装体及其制作方法
79、半导体封装体及其制造方法
80、半导体封装体制造用支承体、半导体封装体制造用支承体的使用及半导体封装体的制造方法
81、中介层及包括中介层的半导体封装体
82、用于传感器应用的有贯穿端口的半导体封装体和制造方法
83、制造具有光学检测特征的模制的半导体封装体的方法
84、多晶片半导体封装体及垂直堆叠的半导体晶片和封装方法
85、半导体封装体、安装有半导体封装体的模块及电气设备
86、功率半导体封装体及其应用
87、覆金属层叠板、印刷布线板及半导体封装体
88、半导体封装体及其制造方法
89、堆叠式管芯半导体封装体
90、存储器件及包括该存储器件的半导体封装体
91、包括纵向集成半导体封装体组的半导体设备
92、半导体封装体和用于制造半导体封装体的方法
93、多用途非线性半导体封装体装配线
94、印刷线路板及半导体封装体
95、预浸渍体、印刷布线板、半导体封装体及印刷布线板的制造方法
96、用于增加暴露的引线的基于夹的半导体封装体
97、具有嵌入式输出电感器的半导体封装体
98、具电磁干扰屏蔽的半导体封装体及其制造方法
99、半导体封装体和制造半导体封装体的方法
100、用于清洁密封的半导体封装体的方法
101、用于清洁密封的半导体封装体的方法
102、半导体封装体的制造方法
103、具有集成散热片的半导体封装体
104、半导体封装体及其制造方法
105、半导体封装体的制造方法
106、具有使用导电片段的集成输出电感器的半导体封装体
107、半导体器件和半导体封装体
108、具有在印刷电路板上的集成输出电感器的半导体封装体
109、可加成固化的有机聚硅氧烷组合物和半导体封装体
110、半导体封装体及其制作方法
111、具有柱和凸块结构的半导体封装体
112、一种半导体封装体的自然对流换热系数及热阻的侦测方法
113、一种半导体封装体激光去溢料的新工艺
114、模制倒装芯片半导体封装体
115、粘接膜和使用了粘接膜的半导体封装体
116、半导体封装体
117、积层型半导体封装体的制造装置
118、半导体封装体和用于形成半导体封装体的方法
119、封装半导体芯片的方法及具有倾斜表面的半导体封装体
120、感光性元件、层叠体、永久掩模抗蚀剂及其制造方法以及半导体封装体的制造方法
121、半导体封装体和用于生产半导体封装体的方法
122、半导体封装体及其制作方法
123、半导体封装体
124、处理半导体封装体的装置及用该装置获其位置信息的方法
125、积层型半导体封装体的制造方法
126、半导体封装体和防护单元
127、半导体封装体
128、使用牺牲材料而分离的半导体封装体
129、脱模膜以及半导体封装体的制造方法
130、脱模膜、其制造方法以及半导体封装体的制造方法
131、带有悬臂式焊盘的叠层半导体封装体
132、具有穿通电极的半导体器件及其制造方法和半导体封装体
133、半导体封装体及封装方法
134、半导体封装体
135、具有球焊盘的基板、半导体封装体以及制造方法
136、可拆卸、可组装的半导体封装体堆叠结构及其配方技术
137、脱模膜、以及半导体封装体的制造方法
138、引线框架和半导体封装体
139、引线框架及半导体封装体
140、具有电磁干扰屏蔽层的半导体封装体、其制造方法
141、导线框架条及使用该导线框架条的半导体封装体
142、半导体封装体
143、引线框架、半导体封装体及其制造方法
144、半导体封装体及其制造方法
145、导线框架条及使用该导线框架条的半导体封装体
146、半导体器件、半导体封装体以及用于制造半导体器件的方法
147、半导体芯片密封用热固化性树脂片及半导体封装体的制造方法
148、引线框架和半导体封装体
149、半导体封装体中的电磁干扰屏蔽
150、半导体封装体及其制造方法
151、脱模膜、以及半导体封装体的制造方法
152、具电磁干扰屏蔽的半导体封装体及其制造方法
153、涉及包括多存储器裸片的半导体封装体的方法和布置
154、半导体芯片及半导体封装体
155、具电磁干扰屏蔽的半导体封装体及其制造方法
156、半导体芯片和具有半导体芯片的半导体封装体
157、存储器芯片和包括存储器芯片的半导体封装体
158、半导体基板以及具有其的半导体芯片和堆叠半导体封装体
159、具有低热阻的引线框架上凸块半导体封装体
160、关于包括多存储器裸片的半导体封装体的布置和方法
161、包括光学半导体器件的半导体封装体
162、半导体封装体和堆叠半导体封装体
163、半导体基板、具有其的半导体芯片和堆叠半导体封装体
164、功率半导体封装体及其制造方法
165、半导体基板以及具有其的半导体芯片和堆叠半导体封装体
166、用于生产晶片级封装体的方法和对应的半导体封装体
167、包含绝缘体上硅的半导体封装体
168、具有一个或更多个嵌入的芯片垫的多芯片半导体封装体
169、具有凝聚端子的半导体封装体
170、感光性树脂组合物、感光性树脂层压体、抗蚀图案形成方法、以及印刷线路板、引线框、半导体封装体和凹凸基板的制造方法
171、光半导体封装体及其制造方法
172、半导体芯片和具有其的堆叠半导体封装体
173、半导体封装体
174、堆叠半导体封装体
175、包括相互层叠的半导体封装体的半导体装置
176、堆叠式管芯半导体封装体
177、多芯片半导体封装体及其组装
178、半导体封装体的接合结构、其制造方法及半导体封装体
179、无源组件到半导体封装体的附接
180、半导体芯片、堆叠型半导体封装体及其制造方法
181、多芯片半导体封装体及其组装
182、半导体封装体匣盒
183、半导体元件封装体、环结构、及制造半导体封装体的方法
184、半导体封装体匣盒
185、用于微机电系统器件的半导体封装体及其制造方法
186、半导体封装体工艺
187、被配置成用于电气连接到印刷电路板上的半导体封装体以及其提供方法
188、半导体封装体及半导体封装模块
189、用于半导体封装体的引线框
190、半导体封装体及其制造方法
191、半导体封装体的堆叠构造
192、具有护杆的半导体封装体结构
193、半导体封装体及其制造方法
194、感光性树脂组合物、感光性树脂层压体、抗蚀图案形成方法、以及印刷线路板、引线框、半导体封装体和凹凸基板的制造方法
195、布线基板、半导体封装体以及电子设备
196、半导体封装体的制造方法
197、半导体封装体及其制造方法
198、半导体封装体及其制造方法
199、半导体封装体以及使用半导体封装体的半导体器件
200、无外引脚的半导体封装体及其堆迭构造
201、半导体封装体
202、半导体封装体及其方法
203、无外引脚的半导体封装体及其堆迭构造
204、半导体封装体及其制造方法
205、一种半导体封装体
206、半导体装置及半导体封装体
207、半导体封装体用外罩玻璃及其制造方法
208、半导体封装体堆叠结构及其制法
209、半导体封装体及硅基封装基板
210、半导体封装体及其制造方法
211、插件板、半导体封装体及其制造方法
212、用于带有排气孔的半导体封装体的方法和系统
213、半导体封装体及其制造方法
214、半导体封装体、该半导体封装体制造方法及半导体装置
215、半导体封装体、其制造方法及半导体器件
216、半导体封装体及其制造方法
217、半导体封装体用外罩玻璃及其制造方法
218、具有散热片的半导体封装体
219、散热器和使用了该散热器的半导体元件和半导体封装体
220、高频用半导体封装体
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,内容都包括具体的配方配比生产制作过程，费用260元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263
