1、一种LED数码管管芯固定装配设备及其工作方法
[简介]：本技术涉及LED数码管固定技术领域，具体的说是一种LED数码管管芯固定装配设备及其使用方法，包括底座、移动组件一、移动组件二、移动组件三和两个夹持组件，两个夹持组件均包括固定板三、液压缸和挡板，在液压缸的底部贯穿有液压轴，在液压轴远离液压缸的一端设有连接板，在连接板远离液压轴的一端贯穿有固定轴，在固定轴远离连接板的一端固定连接有夹持块，通过电机三控制丝杆三在固定柱二的配合下不断来回左右移动连接块三上的夹持组件，能够改变两个夹持块之间的距离，使两个夹持块能够配合夹持不同型号的LED数码管管芯，使该LED数码管管芯固定装配设备能够适应不同型号的LED数码管管芯的固定装配工作，提高该LED数码管管芯固定装配设备的适应性。
2、一种用于LED灯条管芯防护的环氧点胶装置
[简介]：本技术涉及LED点胶设备技术领域，具体为一种用于LED灯条管芯防护的环氧点胶装置，包括底座，所述底座的上方靠近前侧处设有固定机构；该用于LED灯条管芯防护的环氧点胶装置通过设置的点胶机构，在点胶管的运动下，点胶管可以同时对LED灯管的两侧边同步进行点胶，且两个点胶管之间的间距可调，便于对不同长度的侧边进行点胶，使用较为方便，提高了点胶的效率；该用于LED灯条管芯防护的环氧点胶装置通过设置的固定机构，在气缸活塞杆的作用下，LED灯管可以被稳定的夹持固定，便于进行点胶作业；该用于LED灯条管芯防护的环氧点胶装置通过设置的烘干机构，快速干燥环氧树脂胶，避免胶液不能快速干燥而沾染杂物的状况。
3、一种砷化镓基LED管芯的制作方法
[简介]：本技术涉及一种砷化镓基LED管芯的制作方法。该方法包括采用电流扩展层—P面电极—减薄—N面电极—切割的制作流程，其中在N面电极制作前将完成P面制作的晶片正面贴附上热解膜，N面电极完成后将热解膜去除，然后进行快速切割。本技术既避免使用切割保护液，又在切割时不会对芯片电极产生破坏，降低整体作业成本。
4、一种砷化镓基LED的管芯结构的制作方法
[简介]：本技术涉及一种砷化镓基LED的管芯结构的制作方法，包括：(1)在砷化镓衬底上依次生长外延层、电流扩展层；(2)N面金属电极制作；(3)P面金属膜层制作；(4)管芯切割；(5)P面金属电极图形制作：将粘性膜贴附在LED晶片正面，并将粘性膜撕掉，从而剥离掉P面电极表面的切割碎屑；再将粘性膜贴附在LED晶片正面，第二次将粘性膜撕掉，从而剥离掉LED晶片正面除P面金属电极图形区域外其它金属，得到完整的P面金属电极图形；(6)去胶清洗。本技术提供制作方法简单、易操作，整个管芯的制作效率提升10％以上，不使用切割保护液，同时降低了电极剥离过程中有机溶剂和去胶液的使用，节约材料成本30％以上。
5、LED/ZnO纳米线阵列集成的光电晶体管芯片及配方技术
[简介]：一种LED/ZnO纳米线阵列集成的光电晶体管芯片及其配方技术，该器件通过在UVA波段LED上生长垂直ZnO纳米线阵列，顶端通过石墨烯作为电流扩展层来制作电极。其中LED的N电极作为晶体管栅极，ZnO纳米线阵列一端作为源极，LED的P电极即LED与ZnO异质结界面作为漏极，通过栅极电压大小调节LED发光功率，进一步调控ZnO纳米线阵列的光电导大小。本技术利用ZnO纳米线阵列对近紫外光优良的光敏特性，使LED与ZnO纳米线阵列进行集成，实现了GaN基的光电互联，从而获得了光电集成晶体管芯片。
6、高度反射倒装芯片LED管芯
[简介]：LED管芯（40）包括外延生长在透明生长衬底（46）的第一表面之上的N型层（18）、P型层（22）和有源层（20）。光通过与第一表面相对的衬底的第二表面发射并且通过磷光体层（30）波长转换。在中心区域（42）中并且沿管芯的边缘（44）蚀刻开口（42,44）以暴露衬底（46）的第一表面。诸如银之类的高度反射金属（50）沉积在开口中并且与金属P接触件绝缘。反射金属可以通过沿每一个开口的内部边缘电气连接到N型层的所暴露侧面来传导用于N型层的电流。反射金属反射由磷光体层发射的向下的光以改进效率。由反射金属提供的反射区域可以形成管芯区域的10%?50%。
7、一种反极性AlGaInP红光LED管芯结构及其制作方法
[简介]：本技术涉及一种反极性AlGaInP红光LED管芯结构及其制作方法，属于半导体加工技术领域，包括以下具体步骤：(1)晶片键合；(2)衬底去除；(3)扩展电极制作；(4)粗化层制作；(5)ITO粘附层制作；(6)主电极制作；(7)保护层制作；(8)管芯制作。本技术通过薄ITO膜层的制作，增强了金属主电极与ITO之间的粘附牢固度，实现了焊线良率的大幅度提升，通过薄ITO+SiO2膜层的制作，降低了界面全反射，增加了管芯出光效率，整个制作过程原理简单，使用工艺方法简便；通过本技术方法制作出的管芯，整体质量稳定，良率较高，整体稳定性好，本方法适用于所有反极性AlGaInP基红光LED芯片的制作工艺。
8、一种可以直接剥离的LED管芯电极掩模图形的制作方法
[简介]：一种可以直接剥离的LED管芯电极掩模图形的制作方法，通过在LED晶体上制备两层由负性光刻胶构成的胶膜层以及设置在第一胶膜层与第二胶膜层之间的填充层，来得到适合金属电极掩模图形的制作，第一胶膜层和第二胶膜层的厚度较薄，仅仅使用较少的光刻胶制作出了达到较厚需要的掩模图形，使得到金属电极图形在完整的前提下又可以进行直接撕金剥离，不需要作出额外处理。适当厚度的两层光刻胶和二氧化硅层的配合能够完成必须使用厚胶才能制作出的金属电极掩模图形来直接剥离的效果。第一胶膜层、填充层、第二胶膜层依次制成后再进行电极掩膜图形的制备，这样可以减少两次光刻步骤，使整个过程简单易行，成本较低。
9、具有仿生金属纳米岛状结构的LED管芯及其配方技术
[简介]：本技术提供了一种具有仿生金属纳米岛状结构的LED管芯，包括衬底，在衬底的下表面为仿生金属岛状纳米结构,在衬底上表面为N型GaN，在所述N型GaN的上表面设置有多量子阱有源层，在所述多量子阱有源层上表面设置P型GaN，在P型GaN的上表面设置有ITO扩展层，在ITO电流扩展层的上表面为P电极。本技术在LED的衬底另一侧面生长仿生金属纳米岛状结构，不会对LED管芯的电学性能造成破坏，能够明显提高LED的发光效率，发光效率可提升1?3倍，该方法具有成本低、可控性高及均匀性好的特点。
10、一种四元LED发光二极管芯片的封装方法
[简介]：本技术涉及一种四元LED发光二极管芯片的封装方法，属于光电子技术领域，包括：在GaAs衬底上生长外延层，制备P电极及N电极；对芯片进行P面切割，形成切割道；在芯片的N面镀一层铟，将芯片沿切割道全部切割开；将芯片的N面放在封装支架上，使用烘箱烘烤使N电极与封装支架负极相连；使用金属丝将P电极与封装支架的正极相连，再在芯片N电极周围包覆灌装环氧树脂胶，放入烘箱中加热固化，得到封装完成的四元LED发光二极管芯片灯珠。本技术从根本上杜绝了导电银胶吸附到芯片侧面造成漏电的问题，同时最后使用的环氧树脂胶也是绝缘的，因此有效避免了漏电情况的发生，此方法操作简单，在不影响生产效率的情况下，灯珠良品率更高。
11、一种提高LED管芯表面洁净度的方法
12、一种LED二极管芯片切割设备
13、一种反极性GaAs基AlGaInP红光LED芯片管芯结构及其制作方法
14、一种用于LED管芯备胶作业的自动化机器
15、一种GaAs基LED管芯制作方法
16、一种提高AlGaInP LED侧面出光的管芯结构
17、提高反极性GaAs基AlGaInP红光LED芯片焊线性能的管芯制作方法
18、一种GaAs基红光LED管芯侧壁粗化的制作方法
19、防止LED管芯污染的方法
20、用于制造荧光粉涂布LED管芯的方法和装置
21、一种提高LED管芯亮度的无损裂片方法
22、一种改善GaAs基LED芯片切割过程中掉管芯的方法
23、一种LED灯管管芯高效切脚装置
24、使用切割带将陶瓷磷光板附着在发光器件(LED)管芯上的方法、形成切割带的方法以及切割带
25、一种多管芯的LED封装及其封装方法
26、包括直接附着引线框架的LED管芯的发光二极管(LED)部件
27、高度反射倒装芯片LED管芯
28、用于制造荧光粉涂布LED管芯的方法和装置
29、一种具有ITO纳米柱网状薄膜的LED管芯及其配方技术
30、包括直接管芯安装的发光二极管(LED)阵列和相关组件
31、一种LED管芯片电极的制作方法、LED管芯片及LED管
32、在单个载体管芯上的多个发光二极管(LED)的晶圆级封装
33、LED 管芯的上表面和侧表面的荧光体覆盖层
34、晶圆级LED管芯整体集成封装装置
35、带有ZnO微米和纳米复合结构的LED管芯及其配方技术
36、带有ZnO微米图形阵列的LED管芯及其配方技术
37、发光管芯(LED)灯、散热片以及相关方法
38、具有无引线接合管芯的柔性LED器件
39、一种高白光光效氮化镓LED管芯结构
40、具有管芯到管芯变化和温度漂移补偿的LED控制器
41、发光二极管结构的晶片级制造方法
42、一种GaN基LED管芯P型GaN层的结构
43、多管芯LED封装件和使用其的背光单元
44、倒装功率LED管芯自由组合灯芯
45、LED发光二极管芯片的封装结构
46、LED管芯组合数码管
47、具有LED管芯的发光体及其制造
48、LED集成化管芯
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,内容都包括具体的配方配比生产制作过程，费用200元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263
