1、氮化硅蚀刻方法
[简介]：本技术提供了一种氮化硅蚀刻方法，包括：提供一衬底，衬底上具有氮化硅层；执行氧化工艺，在氮化硅层上形成氮氧化硅层；形成图形化的掩模层，图形化的掩模层覆盖氮氧化硅层；对氮氧化硅层及氮化硅层执行干法蚀刻工艺，并以标准蚀刻终点时间监控干法蚀刻工艺，其中，标准蚀刻终点时间利用氮化硅层的厚度、氮氧化硅层的厚度、氮化硅层的蚀刻速率以及氮氧化硅层的蚀刻速率建立。本技术中，利用氮氧化硅层覆盖氮化硅层以防止氮化硅层在重工工艺中氧化，使得经重工的衬底和未重工的衬底具有相同的结构，从而可以利用标准蚀刻终点时间对干法蚀刻工艺进行监控，以达到解决干法蚀刻机台因重工图形化的掩模层的衬底报警的问题。
2、掩模层的重工方法及氮化硅蚀刻方法
[简介]：本技术提供一种掩模层的重工方法及氮化硅蚀刻方法，所述掩模层的重工方法包括：提供一衬底；去除待重工的掩模层，并使部分厚度的氮化硅层形成为氮氧化硅层；去除部分厚度的氮氧化硅层，且在对氮氧化硅层或氮化硅层执行第一蚀刻工艺时，具有第二厚度的氮氧化硅层和具有第一厚度的氮化硅层在第一蚀刻工艺下的蚀刻时间差异在预设范围内；形成图形化的掩模层。本技术中，通过去除部分厚度的氮氧化硅层，且在利用第一蚀刻工艺蚀刻时具有第二厚度的氮氧化硅层和具有第一厚度的氮化硅层的蚀刻时间差异在预设范围内，从而解决重工掩模层后的氮化硅层在干法蚀刻中报警的问题。
3、用于蚀刻含氮化硅衬底的组合物及方法
[简介]：本申请涉及用于蚀刻含氮化硅衬底的组合物及方法；所述组合物包含磷酸、六氟硅酸及氨基烷氧基硅烷及任选地一或多种额外任选的成分；使用如所描述的组合物进行的包含氮化硅及氧化硅的衬底的湿式蚀刻方法可实现适用或改进的氮化硅蚀刻速率、适用或改进的氮化硅选择性、这些功能的组合以及任选地在蚀刻之后存在于衬底表面处的颗粒的减少。
4、通过选择性氮化硼或氮化铝沉积的高度选择性氧化硅/氮化硅蚀刻
[简介]：一种用于相对于氮化硅选择性蚀刻氧化硅的方法包括：将衬底暴露于第一气体，该第一气体在氧化硅膜上形成第一层并且在氮化硅膜上形成第二层，其中该第一气体含有硼、铝、或硼和铝二者；将该衬底暴露于含氮气体，该含氮气体与该第一层反应在该氧化硅膜上形成第一氮化物层，并且与该第二层反应在该氮化硅膜上形成第二氮化物层，其中该第二氮化物层的厚度大于该第一氮化物层的厚度。该方法进一步包括将该衬底暴露于蚀刻气体，该蚀刻气体蚀刻该第一氮化物层和氧化硅膜，其中该第二氮化物层保护该氮化硅膜免于被该蚀刻气体蚀刻。
5、高选择比氮化硅蚀刻液、其配方技术及应用
[简介]：本技术提供了一种高选择比氮化硅蚀刻液、其配方技术及应用。该蚀刻液包括以下质量分数的组分：75％?85％的磷酸、0.1％?12％的化合物A和3％?24％的水，所述的质量分数为各组分质量占各组分总质量的百分比。本技术的蚀刻液对氧化硅和氮化硅的蚀刻速率选择比适当、能够选择性地去除氮化物膜、提升蚀刻液的寿命且能适应层叠结构层数的增加。
6、氮化硅蚀刻液组合物
[简介]：本技术以提供在3D非易失性存储器单元的制造中，以相对于SiO2的实用性的蚀刻选择比对Si3N4进行选择性蚀刻后，可抑制SiO2再生长，且能够抑制SiO2膜的图案坍塌的氮化硅蚀刻液组合物为课题。一种用于制造3D非易失性存储器单元的氮化硅蚀刻液组合物，其中，包含磷酸、1种或2种以上的硅烷偶联剂和水，不含铵离子。
7、氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的配方技术
[简介]：本技术涉及一种氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的配方技术，更详细地，提供一种氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的配方技术，由于该氮化硅膜蚀刻溶液包含与以相同体积为基准的球形的第一胶体二氧化硅粒子相比表面积增加的第二胶体二氧化硅粒子，即使在高温下也可以防止胶体二氧化硅粒子的凝集现象，从而防止硅类颗粒的产生，在蚀刻条件下，提高相对于氧化硅膜对氮化硅膜的蚀刻选择比。
8、高选择比氮化硅蚀刻液、其配方技术及应用
[简介]：本技术提供了一种高选择比氮化硅蚀刻液、其配方技术及应用。本技术具体提供了一种蚀刻液，按质量份数计，其包括下述组分：如式A所示的化合物0.25?12.30份、磷酸75.00?85.70份和水13.20?15.80份。本技术的蚀刻液可提高氧化硅和氮化硅的蚀刻选择比，选择性地去除氮化物膜，提升蚀刻液的寿命，能适应层叠结构层数的增加。
9、用于氮化硅层的蚀刻组合物及使用其蚀刻氮化硅层的方法
[简介]：本文提供一种用于氮化硅层的蚀刻组合物及使用其蚀刻氮化硅层的方法。用于氮化硅层的蚀刻组合物包含：无机酸或其盐；溶剂；选自酸改性二氧化硅及酸改性硅酸的群组中的至少一者；及含有四个或更多个氮原子的环状化合物。本技术当在高温下用于蚀刻时可显著增加氮化硅层对氧化硅层的蚀刻选择性。
10、氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的配方技术
[简介]：本技术涉及氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的配方技术，更详细地，涉及如下的氮化硅膜蚀刻溶液及使用其来执行的半导体器件的配方技术，即，硅化合物不易分解而防止颗粒的产生，提高相对于氧化硅膜的氮化硅膜的选择比。
11、氮化硅的蚀刻方法及半导体元件的制造方法
12、高选择比氮化硅蚀刻液、其配方技术及应用
13、高选择比氮化硅蚀刻液、其配方技术及应用
14、用于在半导体器件制造过程中选择性去除氮化硅的蚀刻溶液和方法
15、氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的配方技术
16、高选择比氮化硅蚀刻液，其配方技术及应用
17、氮化硅膜蚀刻溶液及其配方技术
18、氮化硅膜蚀刻组合物
19、氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的配方技术
20、一种高选择比氮化硅蚀刻液、其配方技术及应用
21、氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的配方技术
22、氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的配方技术
23、氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的配方技术
24、用于高度选择性氧化硅/氮化硅蚀刻的蚀刻和钝化气体组分的独立控制
25、高选择比氮化硅蚀刻液，其配方技术及应用
26、氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的配方技术
27、用于湿法蚀刻氮化硅的组合物
28、用于氮化硅的蚀刻组成物及使用该蚀刻组成物的蚀刻方法
29、氮化硅膜蚀刻组合物及利用其的方法
30、氮化硅膜的蚀刻组合物
31、3D NAND结构中氮化硅的蚀刻和二氧化硅的沉积控制
32、用于氮化硅的蚀刻组合物和使用其进行蚀刻的方法
33、氮化硅膜蚀刻组成物与使用其的蚀刻方法
34、聚硅氧烷类化合物、包含所述聚硅氧烷类化合物的氮化硅层蚀刻组合物
35、用于氮化硅膜的蚀刻组成物及使用其用于蚀刻氮化硅膜的方法
36、氮化硅蚀刻组合物及方法
37、氮化硅膜蚀刻组合物
38、一种提高氮化硅蚀刻均匀性的酸性蚀刻液
39、氧化硅氮化硅堆叠件楼梯踏步式蚀刻
40、使用顺序沉积-蚀刻-处理加工的氧化硅和氮化硅的自底向上生长
41、用于蚀刻含氮化硅衬底的组合物及方法
42、用于在半导体器件的制造过程中选择性除去氮化硅的蚀刻溶液
43、蚀刻组合物、蚀刻氮化硅层的方法和半导体器件制造方法
44、氮化硅膜的干法蚀刻速率降低
45、均匀减少氮化硅膜的特征内湿法蚀刻速率的方法和装置
46、氮化硅膜蚀刻溶液
47、对氧化硅和氮化硅有选择地进行蚀刻的方法
48、氧化硅氮化硅叠层离子辅助蚀刻
49、相对于氧化硅区域有选择地蚀刻氮化硅区域的方法
50、用于在蚀刻氮化硅时实现超高选择比的方法
51、用于相对于氮化硅选择性蚀刻P掺杂多晶硅的组合物及方法
52、均匀减少氮化硅膜的特征内湿法蚀刻速率的方法和装置
53、氮化硅的选择性蚀刻
54、选择性地去除氮化硅的方法及其单晶圆蚀刻装置
55、包含湿蚀刻制程以移除氮化硅的半导体结构形成方法
56、双应力氮化硅蚀刻阻挡层形成方法和半导体器件制造方法
57、在单晶圆装置中蚀刻氮化硅
58、氮化硅的选择性蚀刻
59、去除氮化硅薄膜的干法蚀刻方法
60、低湿蚀刻速率的氮化硅膜
61、用于无氮化硅的硅湿蚀刻的耐碱性负性光刻胶
62、控制氮化硅蚀刻槽的装置与方法
63、通过添加碳降低氮化硅蚀刻速率的方法
64、用来在不存在氮化硅的条件下进行硅的KOH蚀刻的负性光刻胶
65、用于二氧化硅和氮化硅层的可印刷蚀刻介质
66、制作半导体元件的方法和选择性蚀刻氮化硅层的方法
67、用于二氧化硅和氮化硅层的蚀刻的可印刷介质
68、蚀刻氮化硅薄膜的设备及方法
69、在基片处理过程中选择性蚀刻氮化硅的系统和方法
70、填充隔离槽的双后撤方法
71、蚀刻氮化硅薄膜的设备及方法
72、降低氮化硅的湿蚀刻速率的方法
73、使掺杂SiO2图形化的方法和选择性蚀刻SiO2的方法
74、在栅极蚀刻处理后用湿式化学方法去除氧氮化硅材料
75、从氧化硅膜选择蚀刻氮化硅膜的方法
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,内容都包括具体的配方配比生产制作过程，费用260元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263
