1、一种多尺寸金属栅极的制作方法及装置
[简介]：本申请实施例提供了一种多尺寸金属栅极的制作方法及装置，该方法包括：基于多晶硅栅极工艺在衬底结构形成至少两个多晶硅栅极的栅极沟槽，栅极沟槽的原始尺寸大于金属栅极的目标尺寸，目标尺寸是用于填充金属填充物的尺寸；根据目标尺寸在栅极沟槽的内侧壁沉积薄膜层，薄膜层用于填充栅极沟槽，将至少两个栅极沟槽的原始尺寸缩减为目标尺寸，其中，不同的栅极沟槽对应不同的目标尺寸；向至少两个栅极沟槽填充金属填充物，形成目标尺寸的金属栅极。本申请提供的方法，无需生成不同尺寸的多晶硅金属栅极，且可以实现批量生产，提高多尺寸金属栅极的制作效率。
2、铝金属栅极的制作方法
[简介]：本技术提供一种铝金属栅极的制作方法，其包含提供一基底，一层间介电层覆盖基底，一沟槽位于层间介电层中，进行一沉积工艺以形成一铝金属层填入沟槽并且覆盖层间介电层，其中沉积工艺包含：在一第一温度开始沉积铝金属层，在沉积工艺的过程中，第一温度逐渐升温至一第二温度，第一温度小于第二温度，最后进行一平坦化工艺，移除在沟槽之外的铝金属层，以形成铝金属栅极。
3、金属栅极上介质层刻蚀方法
[简介]：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种金属栅极上介质层刻蚀方法。所述金属栅极上介质层刻蚀方法包括依次进行的以下步骤：提供形成有金属栅的半导体器件；使得所述金属栅的表层氧化，形成金属氧化物阻挡层，所述金属氧化物阻挡层填充位于所述金属栅表面的凹陷刮痕；在所述半导体器件上制作介质层，所述介质层至少覆盖在所述金属氧化物阻挡层上；通过光阻层定义出刻蚀图案，依照所述刻蚀图案，以所述金属氧化物阻挡层为刻蚀停止层，对所述介质层刻蚀。申请提供了的金属栅极上介质层刻蚀方法，可以解决相关技术中因金属栅极的表层中的凹陷刮痕，而导致金属栅极上介质层在刻蚀过程中使用的酸性溶液侵蚀金属栅极的问题。
4、激光原位开膜的太阳电池金属栅极喷印成形方法及装置
[简介]：本技术提供一种激光原位开膜的太阳电池金属栅极喷印成形方法及装置，第一步，利用激光技术对SiNx膜进行原位开膜形成微凹槽；第二步，利用喷墨打印技术将金属墨水注入微凹槽；第三步，调节激光功率、离焦量、扫描频度以及扫描速度参量，进而确定与膜层微凹槽的定量关系，实现膜层微凹槽的优化与精确控制，保证金属墨水准确注入微凹槽内，加热形成太阳电池金属栅极。通过在喷墨打印前预先对基材进行激光原位开膜，保证了太阳电池栅线电极超细、大“高宽比”的要求，避免在待喷金属墨水中加入玻璃粉的复杂工艺，提高了打印质量，提升了打印效率，降低了打印成本。采用交叉打印方法，使打印出的栅极更加均匀，极大程度的提高了打印精度。
5、用于金属栅极填料的化学镀方法
[简介]：本申请涉及用于金属栅极填料的化学镀方法。在用于纳米片FinFET器件的栅极替换工艺中，实施例采用电化学工艺来将金属栅极电极沉积在栅极开口中。可以使用促进剂和抑制剂来针对金属栅极电极的填充材料实现自下而上的沉积。
6、替换性金属栅极晶体管
[简介]：本技术提供一种替换性金属栅极晶体管，包括沟槽以及层。沟槽，具有底部、第一侧壁以及第二侧壁。层设置于沟槽内，其中所述层具有设置于沟槽底部上的底部区域，以及设置于第一及第二侧壁上的侧壁区域，其中所述层的侧壁区域比所述层的底部区域更薄至少50％。于制作替换性金属栅极晶体管时，可减少沟槽的长宽比。
7、环围型金属栅极的晶体管
[简介]：本技术提供一种环围型金属栅极的晶体管，包括基板、半导体单元、栅极单元及源极漏极单元。所述半导体单元设置在所述基板上。所述栅极单元包括设置在所述半导体单元上的栅极，及包覆所述栅极的金属栅极层。所述源极漏极单元包括分别设置在所述栅极单元两侧的源极及漏极。通过将所述金属栅极层完整包覆所述栅极，使所述栅极增加了侧壁金属，使其控制维度从二维提升至三维，有效提升所述栅极的控制能力，实现低栅极漏电流。
8、一种抑制金属栅极高度不对称的工艺方法
[简介]：本技术提供一种抑制金属栅极高度不对称的工艺方法，提供由STI区隔离的NMOS区域和PMOS区域的半导体结构；在半导体结构上依次形成层间介质层、HfO2层、掺杂有镁离子的第一TiN层；去除PMOS区域上方的第一TiN层，露出PMOS区域上方的HfO2层表面，沉积掺杂有铝离子的第二TiN层；对第一、第二TiN层退火处理，使第一TiN层中的镁离子扩散进入位于NMOS区域上方的HfO2层中，第二TiN层中的铝离子扩散进入位于PMOS区域上方的HfO2层中；去除第一、第二TiN层，使位于NMOS区域上方掺杂了镁离子的HfO2层与位于PMOS区域上方掺杂了铝离子的HfO2层的高度一致。本技术的方法使得N/PMOS金属栅高度的不对称性可得到大大改善。可与传统CMOS工艺及DRAM工艺兼容，且可精准调控金属栅极功函数，从而增加CMOS的工艺窗口。
9、二氧化硅薄膜的形成方法和金属栅极的形成方法
[简介]：一种二氧化硅薄膜的形成方法和金属栅极的形成方法，其中所述二氧化硅薄膜的形成方法，在半导体衬底上形成二氧化硅层后，对所述二氧化硅层进行氮化处理，将部分厚度的所述二氧化硅层转化为氮化硅和氮氧化硅的混合层；去除所述混合层，在所述半导体衬底上形成二氧化硅薄膜。通过前述特定步骤的结合使得最后剩余的二氧化硅薄膜的厚度是超薄的，并且形成的二氧化硅薄膜的厚度及厚度均匀性是可控的。
10、有高K金属栅极的嵌入式SONOS和高压选择栅极及其制造方法
[简介]：提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以具有存储器阵列，该存储器阵列具有各自包括非易失性存储器(NVM)晶体管和作为选择晶体管的高压(HV)场效应晶体管(FET)的双晶体管(2T)存储器单元。所述器件还包括逻辑区，其中，HV FET、输入/输出(I/)FET和低电压(LV)/核心FET形成于逻辑区上。还描述了其他实施方式。
11、功函数金属栅极装置
12、金属栅极及其形成方法
13、用于通过高K金属栅极(HKMG)膜堆叠的选择性沉积来进行阈值电压调谐的方法
14、场效应晶体管的金属栅极及方法
15、替代金属栅极集成
16、高介电金属栅极制造方法
17、改善替代金属栅极硅团聚的方法和晶圆传送装置
18、具有金属栅极切口和凹陷的电力轨的晶体管装置
19、金属栅极的形成方法
20、金属栅极及其制造方法
21、一种改善高K金属栅极界面完整性的方法
22、金属栅极及其制造方法
23、用于金属栅极的低厚度相关功函数nMOS整合
24、用于改进扭结效应的金属栅极调制
25、减少金属栅极的回蚀刻中的图案负载
26、金属栅极的制造方法
27、具有倾斜侧壁的切割金属栅极
28、用于垂直传输场效应晶体管的替换金属栅极工艺
29、具有高K金属栅极的嵌入式SONOS及其制造方法
30、金属栅极及其形成方法
31、用于纳米片装置的取代金属栅极图案化
32、金属栅极的制造方法
33、用于减小晶体管间隔的切割金属栅极工艺
34、具有多金属栅极的晶体管
35、用于形成取代金属栅极的方法及相关装置
36、通过形成顶部宽且底部窄的伪栅电极来减少金属栅极悬置
37、金属栅极的配方技术
38、一种金属栅极制作方法
39、具有共形的金属栅极电极和栅极电介质界面的氮掺杂的非平面Ⅲ‑Ⅴ族场效应晶体管
40、金属栅极的配方技术
41、形成金属栅极以缓解天线缺陷的方法
42、金属栅极及其配方技术
43、切割金属栅极的方法
44、用于金属栅极的制造技术
45、金属栅极的配方技术
46、一种双金属栅极的配方技术
47、金属栅极的配方技术
48、切割金属栅极的方法
49、制造氮化钽隔离层的方法与金属栅极堆
50、金属栅极的配方技术
51、用于金属栅极的制造工艺
52、金属栅极形成方法
53、通过使用离子注入引入压缩金属栅极应力而在三栅极MOSFET中实现驱动电流增强
54、具有作为功函数层和/或阻挡/润湿层的TiAlCN的金属栅极堆叠件
55、一种制备金属栅极的方法
56、半导体装置的替代金属栅极中的功函数金属的选择性生长
57、具有TaAlCN层的金属栅极堆叠件
58、一种后金属栅极中功函数层调节方法
59、用于金属栅极技术的P栅极到N栅极边界电阻的分路
60、元件的金属栅极方案及形成所述金属栅极方案的方法
61、具有金属栅极的半导体元件及其制作方法
62、具有硅侧壁间隔件的金属栅极
63、一种双金属栅极的形成方法
64、金属栅极及其制造方法
65、金属栅极的形成方法
66、具改善阈值电压表现的取代金属栅极的集成电路及其制法
67、栅极先制的高介电常数金属栅极方法所形成的全硅化栅极
68、具有金属栅极的半导体元件及其制作方法
69、具有氮化钛栅极的高K/金属栅极CMOS晶体管
70、金属栅极的形成方法
71、替换性金属栅极晶体管
72、集成电路及制造具有金属栅极电极的集成电路的方法
73、金属栅极的形成方法
74、金属栅极晶体管的形成方法
75、栅极第一高介电常数金属栅极堆栈上无氧的快速热退火
76、金属栅极的形成方法
77、NMOS金属栅极晶体管的形成方法
78、用于CMOS集成电路的替代金属栅极工艺
79、具有共形的金属栅极电极和栅极电介质界面的氮掺杂的非平面Ⅲ‑Ⅴ族场效应晶体管
80、具有降低的层间电介质层蚀刻速率的替代金属栅极处理
81、界面层的形成方法及金属栅极晶体管的形成方法
82、双镶嵌式金属栅极
83、具有金属栅极应激源的FINFET
84、金属栅极的形成方法
85、具有减小的栅极到源极与栅极到漏极重叠电容的金属栅极MOS晶体管
86、金属栅极的形成方法
87、用于金属栅极电极的原子层沉积方法
88、制造金属栅极的方法
89、金属栅极的形成方法
90、金属栅极晶体管的形成方法
91、高介电常数金属栅极制造方法
92、半导体管芯的金属栅极部件
93、用置换金属栅极工艺形成用于晶体管的无边沿接触体
94、具有金属栅极的半导体集成电路
95、一种高介电金属栅极制造方法
96、高K金属栅极P-型MOSFET的低阈值电压和反转氧化物厚度按比例缩小
97、高纯度镧的制造方法、高纯度镧、包含高纯度镧的溅射靶及以高纯度镧为主要成分的金属栅极膜
98、金属栅极形成方法
99、用于超薄界面介电层的多层清除金属栅极堆叠件
10-0、金属栅极晶体管的制作方法
10-1、后形成鳍的置换型金属栅极FINFET
10-2、用于高-k金属栅极技术的增强栅极替换工艺
10-3、金属栅极的形成方法
10-4、金属栅极制造方法和CMOS制造方法
10-5、金属栅极的形成方法
10-6、金属栅极形成方法
10-7、一种用于高k金属栅极NMOS晶体管的测试装置和测试方法
10-8、金属栅极的形成方法
10-9、一种大马士革金属栅极制作方法
11-0、通过覆盖STI区域的高介电常数金属栅极超整合
11-1、金属栅极、其形成方法及CMOS晶体管
11-2、一种形成高k金属栅极的方法
11-3、金属栅极的形成方法
11-4、N/P边界效应减小的金属栅极晶体管
11-5、一种制作金属栅极的方法
11-6、金属栅极半导体的清洗方法
11-7、铝金属栅极的形成方法
11-8、金属栅极制作方法
11-9、金属栅极的形成方法
12-0、具有金属栅极的半导体元件的制作方法
12-1、金属栅极和MOS晶体管的形成方法
12-2、一种高K和金属栅极的制作方法
12-3、金属栅极的形成方法
12-4、金属栅极及MOS晶体管的形成方法
12-5、制作金属栅极的金属塞方法
12-6、伪多晶硅的移除方法及CMOS金属栅极的制作方法
12-7、金属栅极的制作方法
12-8、具有金属栅极的半导体元件及其制作方法
12-9、CMOS晶体管金属栅极的制作方法
13-0、金属栅极和MOS晶体管的形成方法
13-1、一种金属栅极及MOS晶体管的形成方法
13-2、调整栅极功函数的方法与具有金属栅极的晶体管
13-3、金属栅极的形成方法
13-4、一种形成高阶电常数K和T型金属栅极的形成方法
13-5、金属栅极的形成方法
13-6、金属栅极的形成方法
13-7、金属栅极的形成方法
13-8、高介电常数金属栅极制造方法
13-9、具有金属栅极的半导体元件的制作方法
14-0、一种高K和金属栅极的制作方法
14-1、一种形成高介电常数K和T型金属栅极的形成方法
14-2、具有金属栅极的半导体元件与其制造方法
14-3、一种制作金属栅极的方法
14-4、金属栅极形成方法
14-5、PMOS晶体管金属栅极的制造方法
14-6、一种金属栅极及MOS晶体管的形成方法
14-7、双金属栅极晶体管的制造方法
14-8、金属栅极场效应晶体管及其制作方法
14-9、高k金属栅极叠层
15-0、具有金属栅极的半导体元件的制作方法
15-1、具有金属栅极的半导体元件及其制作方法
15-2、在制作金属栅极过程中制作金属塞的方法
15-3、一种金属栅极的形成方法
15-4、金属栅极的形成方法
15-5、具有金属栅极的半导体元件的制作方法
15-6、金属栅极的形成方法
15-7、金属栅极形成方法
15-8、金属栅极的形成方法
15-9、堆栈金属栅极的刻蚀方法
16-0、具有无边界接触的取代金属栅极
16-1、一种金属栅极的形成方法
16-2、一种金属栅极及MOS晶体管的形成方法
16-3、金属栅极的形成方法
16-4、高介电常数介电层和/或金属栅极元件的制造方法
16-5、一种高介电常数介质-金属栅极的制造方法
16-6、n型场效应晶体管、其金属栅极及其制造方法
16-7、一种金属栅极的制作方法
16-8、一种金属栅极的形成方法
16-9、金属栅极的形成方法
17-0、一种金属栅极的形成方法
17-1、金属栅极晶体管、集成电路以及其制造方法
17-2、用于形成金属栅极晶体管的方法
17-3、金属栅极的形成方法
17-4、金属栅极的形成方法
17-5、金属栅极的形成方法
17-6、具有金属栅极的半导体元件及其制作方法
17-7、铝金属栅极的形成方法
17-8、使用字线过度驱动和高k金属栅极提升磁性隧道结的编程电流
17-9、具有金属栅极的半导体元件及其制作方法
18-0、具有金属栅极的晶体管的制作方法
18-1、一种金属栅极的制作方法
18-2、通过使用离子注入引入压缩金属栅极应力而在三栅极MOSFET中实现驱动电流增强
18-3、具有高K金属栅极的金属氧化物半导体的形成方法
18-4、一种金属栅极及MOS晶体管的形成方法
18-5、一种金属栅极的形成方法
18-6、通过等离子体刻蚀法形成金属栅极的方法
18-7、半导体元件金属栅极堆叠的制造方法
18-8、金属栅极及MOS晶体管的形成方法
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,内容都包括具体的配方配比生产制作过程，费用260元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263
