1、半导体陶瓷、层叠型半导体陶瓷电容器、半导体陶瓷的制造方法、层叠型的半导体陶瓷电容器的制造方法
[简介]：本技术提供一种半导体陶瓷，施主元素相对于Ti元素100摩尔，在0.8~2.0摩尔的范围中固溶在晶粒中，受主元素以比所述施主元素更少的量固溶在晶粒中，受主元素以相对于Ti元素100摩尔，在0.3~1.0摩尔的范围中存在于晶界中，晶粒的平均粒径为1.0μm以下。使用该半导体陶瓷，取得层叠型半导体陶瓷电容器。这时，在进行还原煅烧的一次煅烧处理中，把冷却开始时的氧分压设定为煅烧过程的氧分压的1.0×104倍以上，进行冷却处理。据此，实现即使晶粒的平均粒径微粒化到1.0μm以下，也具有5000以上的表观相对介电常数εrAPP和10以上的比电阻logρ(ρ：Ω·cm)的SrTiO3类晶界绝缘型的半导体陶瓷和使用它的层叠型半导体陶瓷电容器、它们的制造方法。
2、晶界绝缘型半导体陶瓷、半导体陶瓷电容器以及半导体陶瓷电容器的制造方法
[简介]：本技术提供晶界绝缘型半导体陶瓷、半导体陶瓷电容器以及半导体陶瓷电容器的制造方法。扩散剂中即使不使用Pb类材料，也能够获得良好的电气特性。晶界绝缘型半导体陶瓷以SrTiO3类化合物为主成分而形成，并且含有包含晶界绝缘化剂和玻璃成分的扩散剂。晶界绝缘化剂由不含Pb的非Pb类材料形成，并且玻璃成分以不含B和Pb的SiO2-X2O-MO-TiO2类玻璃材料(X表示碱金属，M表示选自Ba、Sr、Ca的至少一种)为主成分，并且所述玻璃成分的含量相对于100重量份所述晶界绝缘化剂为3~15重量份。部件主体2由该晶界绝缘型半导体陶瓷形成。
3、制造半导体器件电容器的方法和半导体器件电容器
[简介]：提供了一种形成半导体器件的电容器的方法。在该方法中，电容器下电极淀积在半导体衬底上，且然后介电层淀积在该下电极上。介电阻挡层淀积在该介电层上部。该介电阻挡层包括用于防止介电层的漏电流特性降低的材料。该方法还包括在介电阻挡层上部淀积电容器上电极。
4、层叠型半导体陶瓷电容器的制造方法、以及层叠型半导体陶瓷电容器
[简介]：SrTiO3系晶界绝缘型的层叠型半导体陶瓷电容器的制造方法具有：预烧粉末制作工序，称量规定量的Sr化合物、Ti化合物以及施主化合物进行混合粉碎后，进行预烧处理来制作预烧粉末；热处理粉末制作工序，将受主化合物与预烧粉末混合，进行热处理来制作热处理粉末；层叠体形成工序，对所述热处理粉末实施成型加工来制作陶瓷生片，此后将内部电极层与陶瓷生片交替地层叠来形成层叠体；以及煅烧工序，在还原气氛下，对所述层叠体进行了一次煅烧处理，其后在大气气氛下进行二次煅烧处理，其中，在450℃~580℃的温度气氛下进行所述二次煅烧处理。由此，即使静电电容是1nF左右的低电容，也能够实现ESD的吸收性能良好的SrTiO3系晶界绝缘型的层叠型半导体陶瓷电容器。
5、半导体陶瓷粉末、半导体陶瓷及层叠型半导体陶瓷电容器
[简介]：本技术涉及SrTiO3系晶界绝缘型的半导体陶瓷。该半导体陶瓷中施主元素固溶于晶粒中，并且受主元素至少存在于晶界中，结晶面的(222)面中的积分宽度为0.500°以下，且晶粒的平均粉末粒径为1.0μm以下。将其烧成，得到半导体陶瓷。另外，使用该半导体陶瓷，得到层叠型半导体陶瓷电容器。由此，实现即使晶粒的平均陶瓷粒径为1.0μm以下，也具有5000以上的大表观相对介电常数εrAPP，且绝缘性也优越的SrTiO3系晶界绝缘型的半导体陶瓷粉末、烧结该半导体陶瓷粉末而成的半导体陶瓷、及使用该半导体陶瓷，能够实现基于薄层化·多层化的大电容的层叠型半导体陶瓷电容器。
6、处理半导体结构的方法以及使用其形成用于半导体器件的电容器的方法
[简介]：在处理半导体结构的方法和使用其形成半导体器件的电容器的方法中，可以使用具有小于水的表面张力的清洗溶液来清洗半导体衬底。可以在异丙醇蒸气气氛中干燥半导体结构。
7、半导体陶瓷和层叠型半导体陶瓷电容器
[简介]：本技术涉及半导体陶瓷和层叠型半导体陶瓷电容器，更具体地，涉及BaTiO3系晶界绝缘型的半导体陶瓷和使用其的层叠型半导体陶瓷电容器。其目的在于提供通过提高半导体陶瓷部分的绝缘性，从而可兼具作为半导体陶瓷的高介电特性和高绝缘电阻的层叠型半导体陶瓷电容器。本技术所述的BaTiO3系半导体陶瓷，其特征在于，其由BaA(Ti1-α-βGaαNbβ)BO3所示，A/B摩尔比在0.900以上且1.060以下的范围，α/β摩尔比在0.92以上且100以下的范围。
8、半导体器件的非易失性电容器、半导体存储器及工作方法
[简介]：提供一种半导体器件的电容器、包括该电容器的半导体存储器件和该半导体存储器件的工作方法。该电容器包括：下电极；层叠在该下电极上并包括相变层的介电层，该相变层在其绝缘性质被改变后显示出两种显著不同的电阻特性；以及层叠在该介电层上的上电极。包括该电容器的半导体存储器件在工作中与动态随机存取存储器一样快且具有与快闪存储器件相同的非易失性。
9、半导体陶瓷及其制造方法、以及带变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器及其制造方法
[简介]：半导体陶瓷的主成分由SrTiO3系化合物形成，并且施主元素固溶于结晶粒子中，且受主元素存在于晶界层中。受主元素中的4价的受主元素的个数为1×1017个/g以上。该受主元素的个数根据电子自旋共振吸收谱来算出。在混合粘合剂前将预烧粉末和受主化合物的混合物混合粉碎至比表面积成为5.0~7.5m2/g。具有变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器的半导体陶瓷层(1a~1g)使用该半导体陶瓷来形成。由此抑制了在产品间的特性偏差，实现了能稳定得到良好的电气特性的可靠性优越的层叠型半导体陶瓷电容器。
10、用于填充半导体装置内小间隙的化合物、包含该化合物的组合物及制造半导体电容器的方法
[简介]：本技术提供一种适合用于制造半导体电容器的节点分离工艺的化合物。聚合物的分子量在贮存期间维持基本不改变。此外，聚合物以所需要的速率溶解于碱性显影溶液中，且在溶解速率(DR)无任何显著改变的情况下，在贮存期间具有高度稳定性。本技术还提供包含此化合物的组合物。该组合物在贮存期间具有高度稳定性。因此，该组合物适合用于填充半导体装置内部的小间隙。
11、用于半导体器件的表面耐压区、半导体器件和电容器
[简介]：本技术提出一种用于半导体器件的表面耐压区、半导体器件和电容器，涉及半导体器件技术领域。该半导体器件用含有导电颗粒的绝缘体薄膜覆盖于半导体表面作为实现最佳横向变电位移的方法或辅助方法。此含有导电颗粒的绝缘体膜可以在半导体表面引入电位移，也可以在半导体表面取出电位移，也可以在一部分取出电位移而在另一部分引入电位移。利用最佳横向变电位移可以制造横向高压器件，并可作为纵向高压器件的结边缘技术，又可防止在覆盖异位补偿杂质层的边界上强电场的产生。
12、具有埋置电容器的半导体裸片以及制造半导体裸片的方法
[简介]：本提供的实施例涉及具有埋置电容器的半导体裸片以及制造半导体裸片的方法。半导体本体包括前侧和背侧，并且被配置成支撑电子电路。埋置区域被设置在半导体本体中，位于电子电路和背侧之间的位置处。埋置区域包括导电材料层和电介质层，其中电介质层被布置在导电材料层和半导体本体之间。导电路径在埋置区域和前侧之间延伸，以形成用于电气接入导电材料层的路径。由此形成电容器，其中导电材料层提供电容器极板，并且电介质层提供电容器电介质。另一个电容器极板由半导体本体提供，或者由埋置区域中的另一导电材料层提供。
13、电容器、半导体装置及半导体装置的制造方法
[简介]：提供能够实现一种微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括晶体管以及电容器。晶体管包括金属氧化物以及与金属氧化物电连接的第一导电体。电容器包括：设置在金属氧化物上的第一绝缘体，第一导电体贯通第一绝缘体；设置在第一绝缘体上的第二绝缘体，该第二绝缘体包括到达第一绝缘体及第一导电体的开口；与开口的内壁、第一绝缘体及第一导电体接触的第二导电体；设置在第二导电体上的第三绝缘体；以及设置在第三绝缘体上的第四导电体。第一绝缘体的抑制氢的透过的能力比第二绝缘体高。
14、强电介质膜、强电介质存储器
[简介]：一种由AB1-XNbXO3的通式表示的氧化物形成的强电介质膜。A元素至少由Pb构成，B元素由Zr、Ti、V、W、Hf、和Ta中至少一中以上构成。并且，该强电介质膜在0.05≤x<1的范围内含有Nb。该强电介质膜也可用于1T1C、2T2C和单纯矩阵型强电介质存储器任一中。
15、电容器及制造电容器和半导体器件的方法
[简介]：电容器包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；电介质层，设置在第一电极和第二电极之间；以及籽晶层，设置在第一电极和电介质层之间。电介质层包括具有四方晶体结构的电介质材料。籽晶层包括满足晶格常数条件或键长条件中的至少一个的籽晶材料。
16、用于形成半导体器件的存储电容器的方法
17、电容器模块和使用电容器模块的半导体器件
18、电容器、半导体存储器件及制造电容器的方法
19、电容器及制造电容器的方法、半导体装置和液晶显示装置
20、半导体设备的电容器和使用同样电容器的存储器设备
21、MOS电容器、其制造方法及使用该电容器的半导体器件
22、在半导体芯片中构造MIM电容器的方法和MIM电容器
23、包括匹配电容器对的半导体器件及形成一种电容器的方法以及形成电阻器的方法
24、电容器及其制造方法、以及包含该电容器的半导体器件
25、存储电容器及包括存储电容器的半导体存储器件
26、MOS电容器、半导体制造方法以及MOS电容器电路
27、具有金属栅极的半导体器件上的制造电容器方法及电容器
28、电容器、电容器制造方法及半导体存储器
29、薄膜电容器构造及具备该薄膜电容器构造的半导体装置
30、耦合电容器及使用其的半导体存储器件
31、半导体组件中电容器的制备方法
32、具有集成在同一电介质层中的电容器和金属布线的半导体结构
33、制备间隙填充剂的方法、用其制备的间隙填充剂和使用间隙填充剂制造半导体电容器的方法
34、具有电容器元件的半导体器件
35、金属-绝缘-金属结构的电容器、半导体装置及制造方法
36、强电介质电容器及其制造方法以及半导体存储装置
37、具有缓冲器-电容器的用于变换器的半导体堆叠
38、具有电容器的半导体元件的制造方法
39、半导体装置的电容器配方生产工艺
40、半导体存储器的电容器结构配方生产工艺
41、包括电容器和金属接触的半导体装置及其制造方法
42、用于形成半导体器件电容器的方法
43、半导体器件用电容器、其制造方法及采用它的电子器件
44、在半导体装置中制造电容器的方法
45、制造半导体器件中的电容器的方法
46、制造半导体器件中电容器的方法
47、包括电容器元件的半导体器件及其制造方法
48、铁电电容器及集成半导体内存芯片的制造方法
49、内置有电容器的半导体装置及其制造方法
50、减少半导体容器电容器中的损伤
51、包括沟槽电容器和沟槽电阻器的半导体结构及其制造方法
52、具有电容器的半导体器件及其制造方法
53、半导体电容器结构及其制造方法
54、半导体器件的柱型电容器及其制造方法
55、半导体基板中增加储存电容之电容器排列
56、带可变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器及其制造方法
57、半导体元件的制造方法
58、形成半导体器件的电容器的方法
59、深亚微米互补型金属氧化半导体的交指形状多层电容器结构
60、金属氧化物金属电容器电路及其半导体装置
61、电容器装载型半导体器件
62、半导体电容器的形成方法
63、集成电路电容器及其制造方法、半导体器件
64、高深宽比结构、电容器结构、半导体存储器件及制备方法
65、电容器阵列结构、半导体存储器及制备方法
66、探针板和半导体芯片的测试方法、电容器及其制造方法
67、一种利用半导体激光器直写制备柔性电容器的方法
68、带功率半导体模块、直流电压汇流排和电容器器件的装置
69、包括电容器的半导体存储装置
70、一种带有电容器的半导体器件
71、具有电容器的半导体器件的结构和形成方法
72、MIM电容器及其制造方法、半导体器件及其制造方法
73、一种基于硅酸铪的金属氧化物半导体电容器件及制备方法
74、金属-绝缘体-金属电容器、包含其的半导体结构及其制作方法
75、防止半导体器件中大电流损伤的电容器击穿测试结构
76、半导体存储器件、电力去耦电容器阵列及存储器系统
77、电容器制程运用于半导体制程的方法
78、制造SrTiO3晶界层半导体陶瓷电容器的方法
79、半导体装置的电容器的制造方法
80、电容器件、半导体装置和电子设备
81、包含铁电电容器的半导体器件及其制造方法
82、带有整合旁路电容器的紧密半导体封装及其方法
83、半导体器件中电容器的制造方法
84、半导体器件电容器的制造方法
85、具有沟槽式电容器的半导体装置及其制造方法
86、微图案、电容器、半导体器件和电子系统及其制造方法
87、半导体器件中电容器的形成方法
88、具有堆叠去耦电容器的半导体器件及去耦电容器形成方法
89、用于制备半导体装置中的电容器的方法
90、具有铁电电容器的半导体器件及其制造方法
91、金属膜形成方法、导电性墨水、多层配线基板、半导体基板及电容器单元
92、包含金属?绝缘层?金属电容器的半导体结构的形成方法
93、具有用于嵌入式动态随机存取存储器（EDRAM）的集成双壁电容器的半导体结构及其形成方法
94、金属薄膜及其制造方法、电介质电容器及其制造方法及半导体装置
95、一种改良型半导体陶瓷电容器材料配方生产工艺
96、具有改善的线性度的金属氧化物半导体(MOS)电容器
97、基于硅通孔技术的半导体电容器及其制造方法、封装结构
98、半导体存储器之电容器结构的制备方法
99、在半导体器件中集成电容器的方法及对应器件
100、半导体器件、MIM电容器及其制造方法
101、形成介电膜的方法和利用该方法在半导体器件中形成电容器的方法
102、在半导体器件中制造电容器的方法
103、具有MIM电容器的半导体装置及其制造方法
104、一种新型半导体电容器
105、制造电容器和半导体器件的方法
106、用于制造半导体器件的电容器的方法
107、包括无电容器的存储单元的半导体存储器件
108、半导体器件中的电容器及制造方法
109、半导体装置及制造半导体装置的电容器的方法
110、具有形成在多层布线结构中电容器的半导体器件
111、带变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器及其制造方法
112、包括金属-绝缘体-金属电容器排列的半导体器件
113、由诸如FINFET的薄垂直半导体结构形成的高密度电容器
114、半导体器件中的电容器及其制造方法
115、半导体陶瓷电容器瓷片半导化工艺方法
116、材料层与电容器和半导体存储器及其制造方法
117、有模拟电容器的半导体器件及其制造方法
118、半导体电容器
119、包括电容器和双层金属接触的半导体器件及其制造方法
120、具有相同平面上的熔丝和电容器的半导体器件及制造方法
121、使用无定形碳制造半导体存储器件的电容器的方法
122、具有电容器的半导体设备及其制造方法
123、制造半导体器件中的电容器的方法
124、电容器元件、半导体器件及其制造方法
125、具有阶梯状柱形结构的电容器的半导体器件及其制造方法
126、用于半导体存储单元的有隔离环的沟槽电容器的制造方法
127、电容器阵列及其形成方法、半导体器件
128、应用于可变容量电容器和放大器的半导体器件
129、具有电容器的半导体器件及其制造方法
130、半导体器件和MIM电容器
131、一种半导体电容器的制造方法
132、形成硅氧化物膜的方法和制造电容器与半导体装置的方法
133、半导体电容器结构及其形成方法
134、电容器充电装置、用于其的半导体集成电路
135、半导体器件的电极以及制造电容器的方法
136、半导体元件之电容器与金属栅极之制造方法
137、电源控制用半导体装置及电源装置和X电容器的放电方法
138、薄膜晶体管及其制造方法以及存储电容器与半导体元件
139、包含电容器的半导体装置、相关电子系统以及相关方法
140、包括电容器结构的半导体器件及制造其的方法
141、陶瓷膜及其制造方法 、以及铁电体电容器、半导体装置及其他元件
142、陶瓷及其制造方法、以及电介质电容器、半导体装置及元件
143、电容器、半导体器件及其制造方法
144、包括电容器的半导体存储器件
145、薄膜电容器制造方法、集成电路安装基板及配备有该基板的半导体装置
146、一种基于陷阱控制的半导体电容器件配方生产工艺与应用
147、半导体器件的电容器和寄存器、存储系统及制造方法
148、具有MIM电容器的半导体装置及其制造方法
149、包括无源组件电容器的半导体器件及制造方法
150、垂直相互交叉的半导体电容器
151、具有自对准电容器器件的半导体器件结构
152、包含嵌入式电容器的半导体封装件配方生产工艺
153、一种环保型半导体电容器用电极银浆的浆制备方法
154、半导体可变电容器及其制造方法
155、具有电容器的半导体器件
156、具有电容器的半导体器件的制造方法
157、利用半导体PN结结电容构成的电容器及其制作方法
158、用于制造半导体电容器的方法
159、包含MIM电容器的集成半导体产品及其制造方法
160、填充间隙的填料、其制备方法及制造半导体电容器的方法
161、一种半导体陶瓷电容器电极用银导体浆料配方生产工艺
162、电容器阵列及其形成方法、半导体器件
163、电容器阵列及其形成方法、半导体器件
164、一种半导体电容器及其制作方法和电子装置
165、具有金属-绝缘体-金属电容器的集成半导体产品
166、半导体器件中电容器的制造方法
167、具有电容器的半导体器件及其制造方法
168、具有SOI结构的晶体管及电容器且非易失地存储数据的半导体装置
169、半导体构造、形成电容器的方法及形成DRAM阵列的方法
170、集成电子电路以及该电路的设计方法
171、在半导体装置中形成电容器之存储节点的方法
172、半导体器件形成期间用于垂直定向电容器的支撑
173、制造用于半导体器件的电容器的方法
174、半导体电容器配方生产工艺
175、具有集成在其中的沟槽电容器结构的半导体装置
176、具有电容器的半导体器件
177、一种超高介电常数半导体电容器材料配方生产工艺
178、包含垂直退耦电容器的半导体器件及其形成方法
179、具有金属-绝缘体-金属电容器的半导体器件及制造方法
180、半导体器件的电容器的制造方法
181、薄膜电容器、多层布线板和半导体器件
182、半导体元件的制造方法及在其内制造电容器的方法
183、半导体器件及其制造方法与电容器结构及其制造方法
184、包括层叠电容器的半导体器件
185、包括集成电容器的半导体器件以及制造方法
186、陶瓷粉末、半导体陶瓷电容器及其制造方法
187、半导体芯片中具有降低的电压相关性的高密度复合金属-绝缘体-金属电容器
188、设有电容器的半导体装置的制造方法
189、具有电容器的半导体器件及其制造方法
190、包含集成格状电容器结构的半导体组件
191、低成本表面层型半导体陶瓷电容器瓷料的制造方法
192、具有平行板沟槽电容器的半导体器件
193、带有变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器
194、半导体MOS、CMOS器件和电容器及其制造方法
195、电容器及其形成方法、半导体器件
196、薄膜电容器和半导体器件
197、具有MIM电容器的半导体器件
198、半导体集成电路的电容器以及其制造方法
199、铁电电容器和半导体器件
200、半导体电容器
201、具有电容器的半导体器件及其制造方法
202、包括电容器的半导体器件
203、化合物半导体晶体管与高密度电容器的集成
204、晶界层半导体陶瓷电容器制造方法
205、半导体集成电路、升压电路
206、内部集成有电容器的半导体器件
207、半导体器件的电容器及其制造方法
208、用于半导体元件的电容器及其制造方法
209、电容器、半导体装置和其制造方法、电光装置及电子机器
210、半导体元件中的电容器装置和驱动装置
211、陶瓷及其制造方法、以及电介质电容器、半导体装置及元件
212、半导体存储器装置及其制造方法
213、在用于功率放大器的深度亚微米金属氧化物半导体中的组合的晶体管-电容器结构
214、带变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器及其制造方法
215、具有集成在同一电介质层中的电容器和金属布线的半导体结构
216、形成半导体器件的电容器的方法
217、一种半导体电容器
218、具有大纵横比圆柱形电容器的半导体器件及其制造方法
219、一种电容器及半导体结构的制造方法
220、MIM电容器的制备方法以及半导体器件的制备方法
221、半导体电容器结构及其制造方法
222、形成半导体器件的电容器的方法
223、陶瓷及其制造方法、以及电介质电容器、半导体装置及元件
224、用于制造包含每单位面积有高电容的电容器的半导体组件的方法
225、半导体元件的电容器及其制造方法
226、半导体器件的电容器底电极及其制造方法
227、具有外围沟槽电容器的互补金属氧化物半导体图像传感器
228、半导体器件中的叠层电容器及其制造方法
229、半导体器件及其制造方法与电容器结构及其制造方法
230、氧化物层及氧化物层的制造方法、以及具备该氧化物层的电容器、半导体装置及微机电系统
231、具有无方向的去耦合电容器的半导体器件及其制造方法
232、基于陷阱特性的半导体电容器件配方生产工艺与应用
233、具有稳定供电的电容器的半导体集成电路及其制造方法
234、包括沟槽电容器的半导体器件的制造方法
235、半导体叠层电容器
236、制造半导体器件的电容器的方法
237、电化学处理半导体基片的方法和形成电容器结构的方法
238、层叠MIM电容器结构以及半导体器件
239、具有石墨烯结构的电容器、包括其的半导体器件及其形成方法
240、半导体器件的电容器、存储器件及其制造方法
241、半导体器件的电容器及其制造方法
242、电容器、半导体装置以及它们的制造方法
243、具有高Q晶片背面电容器的半导体集成电路器件
244、具有MIM电容器的半导体器件及其制造方法
245、半导体存储器件及其电容器的形成方法
246、电容器及其形成方法、半导体存储器装置及其制造方法
247、包含场效应晶体管以及减少漏电流与提高单位面积电容量的被动电容器的半导体装置
248、半导体可变电容器组件及变容器组件
249、形成具有电容器与通孔接触的半导体装置的方法
250、包括金属-绝缘体-金属电容器的集成电路装置和半导体装置
251、具备电容器的半导体装置及其制造方法
252、带有变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器及其制造方法
253、电容器、半导体器件及其形成方法
254、电容器及半导体器件
255、集成电路电容器及其制造方法、半导体器件
256、带有电容器和熔断层的半导体器件及其制造方法
257、强电介质膜、强电介质电容器、强电介质存储器、压电元件、半导体元件
258、半导体装置、MOS电容器及其制造方法
259、具有与有源区分隔开的电容器的半导体布置
260、一种提高玻璃陶瓷电容器交流电压击穿强度的半导体玻璃釉配方生产工艺
261、电容器结构及包括其的半导体器件
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,内容都包括具体的生产制作过程，收费260元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263
