1、用于激光诱导超临界液体烧蚀加工的保护液膜组合物及激光切割工艺
[简介]：本技术提供了一种用于激光诱导超临界液体烧蚀加工的保护液膜组合物及激光切割工艺，属于半导体加工用化学试剂及加工工艺技术领域。该组合物主要包括能够激光诱导生成超临界液体的基体混合物、冷却剂、润湿剂、消泡剂和水，在使用时该保护液膜组合物被旋涂在材料的被加工表面，激光透过液膜照射在材料面并诱导该组合物产生超临界液体，其可有效去除由激光烧蚀产生的碎屑以及堆积在作用区周围的熔融物及火山口高度。
2、一种晶圆等离子切割保护液及其配方技术与用途
[简介]：本技术提供一种晶圆等离子切割保护液及其配方技术与用途。本技术晶圆等离子切割保护液包括重量配比如下的各组分：水溶性树脂5-40份；润湿剂0.1-2份；消泡剂0.1-2份；自由基捕捉剂0.1-2份；有机溶剂5-20份；水34-89.7份。本技术晶圆等离子切割保护液能够在晶圆表面快速成膜，具有良好的耐热性和可移除性。在晶圆加工时采用本技术保护液，能够有效避免冷凝后的硅蒸气或其他在加工过程中产生的碎屑沉积在芯片表面；同时本技术晶圆等离子切割保护液具有较高的热稳定性，能够避免由于激光切割的热效应或在较高工作温度下进行等离子切割时，保护膜分解导致晶圆表面直接暴露在外部环境下，有效提高产品的可靠性和良率。
3、一种激光切割保护液及其配方技术和应用
[简介]：本技术涉及一种激光切割保护液及其配方技术和应用，所述激光切割保护液按照重量百分数包括如下组分：水溶性树脂1％-20％，溶剂1％-30％，保湿剂0.5％-5％，水溶性紫外吸收剂0.1％-1％，水溶性抗氧剂0.1％-0.5％，水溶性红色色素2％-10％，pH调节剂1％-2％，防腐蚀剂0.1％-0.2％和水至100％；所述溶剂的沸点高于145℃；所述保湿剂包括含有两个或两个以上羟基的醇类。本技术所述激光切割保护液具有优异的耐热性，可以适应多种激光切割保护的应用需求，能节约设备及物料成本。
4、用于雷射切割软性胶体材料的保护液及保护膜
[简介]：本技术提供了一种用于雷射切割软性胶体材料的保护液及保护膜。该保护液包含两性高分子、无水溶剂、成膜助剂、以及光吸收剂。两性高分子包含亲油官能基及亲水官能基，占5至40wt％，其中两性高分子选自聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯吡咯烷酮-醋酸乙烯酯共聚物、聚乙二醇、聚环氧乙烷、聚(2-乙基-2-恶唑啉)(Poly(2-ethyl-2-oxazoline))、以及聚丙烯酸所构成的群组。无水溶剂为醇类溶剂、醚类溶剂、或其组合，占60至95wt％。成膜助剂占0.001至10wt％。光吸收剂占0.00001至10wt％。
5、芯片激光切割保护液及该保护液制作工艺
[简介]：本技术所涉及一种芯片激光切割保护液，其包括有表面活性剂,有机清洁剂,有机溶剂,缓蚀剂,偶联剂。在使用激光切割芯片时，激光切割保护液被撒落在芯片表面，均匀扩散到整个芯片表面。所述表面活性剂成分和有机溶剂能够将残留于芯片表面的物质分解成微小颗粒或化学反应，溶解于有机清洁剂溶液中，达到芯片表面清洁能力。与此同时，所述激光切割保护液扩散芯片表面形成一层有机保护膜，防止了芯片在高温下切割所产生的芯片崩边现象。所述缓蚀剂能够阻止芯片表面的金属线路在高温下被氧化达到阻止了所述金属线路被氧化物的现象发生。本技术还具有操作简单和使用方便的功效。
6、一种发光二极管的切割保护液和切割方法
[简介]：本技术提供了一种发光二极管的切割保护液和切割方法，属于光电子技术领域。该切割保护液包括非离子表面活性剂、丙烯乙二醇和水，其中非离子表面活性剂的质量分数为3～30％，丙烯乙二醇的质量分数为5～35％，水的质量分数为35～92％，在切割发光二极管的过程中，将切割保护液与去离子水混合使用，去离子水可以对刀轮和晶元进行冷却和清洗，避免出现刀轮或晶元过热，并及时去除碎屑，非离子表面活性剂和丙烯乙二醇可以在切割过程中对刀轮和晶元进行润滑，降低刀轮的磨损，同时可以减少单个LED的边缘崩裂的情况，从而提高了产品的良率。
7、前切割保护液及使用此保护液的晶片加工方法
[简介]：本技术提供一种前切割保护液及使用此保护液的晶片(Wafer)加工方法。所述前切割保护液，包括聚乙烯醇或变性聚乙烯醇、紫外光吸收剂以及溶剂。聚乙烯醇或变性聚乙烯醇的聚合度大于或等于1000。以聚乙烯醇或变性聚乙烯醇为100重量份计，紫外光吸收剂的添加量大于10重量份。本技术的前切割保护液可适用于不同功率的激光切割，且其所形成的保护膜可利用水来移除。
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