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陶瓷先驱体配方加工工艺技术生产方法

发布时间:2022-04-22   作者:admin   浏览次数:150

1、一种先驱体转化陶瓷基复合材料构件的配方技术
 [简介]:本技术提供一种先驱体转化陶瓷基复合材料构件的配方技术,该配方技术采用可交联固化的树脂,先涂刷或者浸渍纤维预制件,固化后高温裂解或者固化后浸渍陶瓷先驱体溶液‑取出并合模‑固化‑裂解,即可获得具有一定刚度、形状尺寸基本不变的毛坯件,后续都可以将毛坯件单独浸渍先驱体溶液而无需带模具浸渍,避免了带模具浸渍造成的聚碳硅烷等昂贵原料的浪费,大大节约了原料成本。
2、一种SiBCN陶瓷先驱体及其合成方法
 [简介]:本技术提供一种SiBCN陶瓷先驱体及其合成方法,该SiBCN陶瓷先驱体的合成方法以癸硼烷和有机硅化合物为原料,利用癸硼烷和有机硅化合物的脱氢缩合反应,简单高效的合成了新的SiBCN陶瓷先驱体,反应在室温条件下即可进行,合成产率达到82wt%以上,除氢气外无其他副产物,原子利用率高,便于规模化生产,而且合成的Si‑C‑N‑B多元陶瓷先驱体的溶解性好、陶瓷产率高,适应于多种溶液加工工艺以制备复杂形状的陶瓷材料。
3、一种高转化率陶瓷先驱体聚碳硅烷材料及其配方技术
 [简介]:本申请实施例提供了一种高转化率陶瓷先驱体聚碳硅烷材料及其配方技术,所述方法包括以下步骤:步骤1:在反应釜中,将液态环硅烷与液态聚碳硅烷混合后,溶于有机溶剂;步骤2:抽真空置换惰性气体,在惰性气体保护下,控制反应釜内温度,进行裂解,裂解柱温度控制在520‑540℃;步骤3:加入催化剂发生反应,反应结束后,过滤除去不溶物,蒸除溶剂,得到聚碳硅烷。本申请实施例反应可以在常压下进行,得到聚碳硅烷分子结构、分子量可以任意调节和控制,且不含有残剩的硅硅键节,在室温保存稳定。
4、一种氮化硼陶瓷先驱体的气相合成方法
 [简介]:本技术提供了一种氮化硼先驱体的气相合成方法,包括以下步骤:(1)将干燥后乙硼烷和氨气充分混合通入装有机溶剂密闭反应室中,在特定的气压下,进行升温,之后搅拌反应数小时;(2)反应结束后,将步骤(1)中所得到的液态混合物冷却后与冷凝捕集器连接,再加热至45℃~60℃进行蒸馏。得到氮化硼先驱体粗产品,并将其收集于被液氮冷却的冷阱中;(3)将步骤(2)中所得到的氮化硼先驱体粗产品依次通过低温冷阱进行提纯;收集‑80℃冷阱中的液体,即为所需的纯氮化硼先驱体。本技术所制备的氮化硼陶瓷先驱体为液态,具有优异的浸渗动力学特征和良好的透波性;本技术配方技术简单易行、对设备要求低,可控程度高,具有较好的应用推广价值。
5、一种四组元SiHfBC聚合物陶瓷先驱体的配方技术及其应用
 [简介]:一种四组元SiHfBC聚合物陶瓷先驱体的配方技术及其应用,本技术涉及有机高分子材料领域,具体涉及一种陶瓷先驱体的配方技术及其应用。本技术要解决现有多元陶瓷先驱体含氧量过高的技术问题。方法:将四氯化铪溶解在四氢呋喃溶剂,制备先驱体溶液;加入甲基乙烯基二氯硅烷和硼烷二甲硫醚反应;升温加热,进行交联反应;固化处理。将所述一种四组元SiHfBC聚合物陶瓷先驱体进行热解制备得到SiHfBC聚合物陶瓷。本技术反应过程,可有效地调整SiHfBC聚合物陶瓷先驱体的结构,保证先驱体中元素分布的均匀性。通过固化反应脱去小分子形成高聚物,最终经过热解形成共价键连接稳定的SiHfBC聚合物陶瓷。本技术用于制备SiHfBC聚合物陶瓷。
6、一种高陶瓷产率的无碳氮化硼先驱体及其合成方法
 [简介]:本技术提供了一种高陶瓷产率的无碳氮化硼先驱体及其合成方法,包括以下步骤:1.氨硼烷在强碱激发下*离子聚合;2.氯化铵取代钠离子制备低聚氨硼烷;3.低聚氨硼烷与三氯环硼氮烷共聚制备无碳氮化硼先驱体。本技术可实现氮化硼先驱体高陶瓷产率,简化BN陶瓷制备过程,省去先驱体转化法传统工艺中的不熔化过程与脱碳过程,为制备高性能BN陶瓷奠定基础。
7、一种基于先驱体转化法制备多孔陶瓷的高通量直写装置和方法
 [简介]:本技术提供了一种基于先驱体转化法制备多孔陶瓷的高通量直写装置和方法,所述装置包括储料装置、流量控制装置、计算机控制装置、连接装置、混合装置,其中:所述储料装置为用于储存先驱体溶液;所述连接装置一端连接储料装置,另一端连接混合装置,将先驱体溶液由储料装置送入所述混合装置,所述混合装置的一端通过连接装置连接储料装置,另一端为出料口;所述流量控制装置用于分别控制输入所述储料装置中的各先驱体溶液的流量;所述计算机控制装置控制出料的位置和时间以及出料口的移动轨迹。基于该高通量直写设备的直写方法,实现了不同成分先驱体溶液的高通量方法制备,可以快速地进行先驱体、填料等对多孔陶瓷性能影响的研究。
8、一种五组分SiBCNZr陶瓷先驱体的合成方法
 [简介]:一种五组分SiBCNZr陶瓷先驱体的合成方法,本技术属于高分子材料技术领域,具体涉及一种五组分SiBCNZr陶瓷先驱体的合成方法。本技术要解决现有方法制备的SiBCN陶瓷先驱体抗氧化性能差的问题。在固化过程中将Zr等元素交联在SiBCN基先驱体中,即通过共价键将Si、N、B、C、Zr连接起来,形成含有大量Si、B、N、C、Zr元素的先驱体聚合物。可有效地调整SiBCNZr陶瓷先驱体的结构,保证先驱体中元素分布的均匀性。随后通过固化反应使先驱体脱去小分子形成高聚物,最终经过热解能够较高收率获得共价键连接稳定的SiBCNZr陶瓷材料。本技术用于五组分SiBCNZr陶瓷先驱体。
9、一种液相ZrC耐高温陶瓷先驱体的配方技术
 [简介]:一种液相ZrC耐高温陶瓷先驱体的配方技术。本技术涉及一种液相ZrC耐高温陶瓷先驱体的配方技术,本技术的目的是为了解决现有制备碳化物陶瓷材料的方法中合成温度较高、成本高的问题,本技术以合成ZrC陶瓷先驱体为目的,重点解决在反应过程中将Zr元素交联在乙二胺、二烯丙基胺中。由先驱体的XPS测试结果可知在反应过程中形成了新的化学键,即Zr‑N键,通过共价键将N、Zr连接起来,形成含有大量N、Zr、Cl、C元素的先驱体聚合物,得到一种ZrC陶瓷先驱体的配方技术。本技术在较低的温度环境中便可实现有机、无机转换,无需添加烧结助剂,成本低。本技术适用于陶瓷先驱体制备领域。
10、一种含苯基的BCN陶瓷先驱体及其合成方法
 [简介]:本技术提供一种含苯基的BCN陶瓷先驱体及其合成方法,该合成方法以癸硼烷和含苯基的胺类化合物为原料,利用癸硼烷和含苯基的胺类化合物的聚合反应,简单高效的合成了新的BCN陶瓷先驱体,反应在室温条件下即可进行,合成产率达到90wt%以上,除氢气外无其他副产物,原子利用率高。本技术可通过以不同的含苯基的胺类化合物为原料,合成新型的具有不同碳含量的BCN陶瓷先驱体,均具有较好的溶解性,陶瓷产率超过75wt%。本技术提供的合成方法简单,便于实现规模化生产,而且BCN陶瓷先驱体的溶解性好、陶瓷产率高,适应于多种溶液加工工艺以制备复杂形状的陶瓷材料。
11、一种提高先驱体陶瓷转化率的方法
12、一种ZrB-SiC复相陶瓷先驱体的配方技术
13、一种可纺性陶瓷先驱体聚碳硅烷材料及其配方技术
14、一种形状可塑性高分子陶瓷先驱体的配方技术
15、一种可熔融纺丝的超高温陶瓷先驱体及其配方技术、应用
16、一种缠绕工艺适用陶瓷先驱体浆料及其配方技术
17、一种聚铝硅氮烷陶瓷先驱体的制备及熔融纺丝方法
18、一种聚碳硅烷陶瓷先驱体材料配方技术
19、一种先驱体转化碳化硅陶瓷及其配方技术
20、一种含Ti的Si-C-N陶瓷先驱体及其合成方法和应用
21、一种新型液态碳化硅陶瓷先驱体的配方技术
22、一种先驱体加入纳米Si粉制备净SiC陶瓷的方法
23、一种SiAlCN陶瓷先驱体改性聚氨酯橡胶及其配方技术和应用
24、二硅化钼/碳化硅三维聚合物先驱体陶瓷及其配方技术
25、一种固态碳化硅陶瓷先驱体的配方技术
26、一种激光裂解聚碳硅烷先驱体制备SiC/AlO复相陶瓷涂层的方法
27、一种液态碳化硅陶瓷先驱体的配方技术及其应用
28、一种固态碳化硅陶瓷先驱体的配方技术
29、一种新型碳化硅陶瓷先驱体的配方技术
30、一种用于增材制造的陶瓷先驱体浆料和增材制造工艺
31、一种基于3D打印技术的聚合物先驱体制多孔磁性陶瓷系统及其配方技术
32、一种吸波陶瓷先驱体及其配方技术
33、一种基于聚硅氮烷先驱体的氮化硅陶瓷材料及其配方技术
34、一种块体碳化硅聚合物先驱体陶瓷及共混再裂解配方技术
35、一种低分子量分散度的聚碳硅烷陶瓷先驱体材料配方技术
36、一种碳化硅聚合物先驱体陶瓷缺陷愈合方法
37、一种含硼聚合物先驱体陶瓷的配方技术
38、陶瓷先驱体负载贵金属纳米颗粒的催化剂及其配方技术和应用
39、光固化3D打印SiCN陶瓷先驱体材料及其应用
40、熔融纺丝用陶瓷先驱体聚合物熔体连续供料装置及方法
41、一种高纯度聚二甲基硅烷陶瓷先驱体材料及其配方技术
42、一种透波陶瓷先驱体及其配方技术、透波陶瓷、透波陶瓷纤维及其制备装置
43、陶瓷先驱体聚合物纺丝熔体的均粘/脱泡一体装置及方法
44、一种3D打印陶瓷先驱体复合材料及其配方技术
45、一种基于先驱体陶瓷的摩擦阻力传感器及其配方技术
46、一种连续生产碳化硅基陶瓷先驱体聚甲基硅烷的工艺
47、一种用于陶瓷先驱体材料的增材制造装置和工艺
48、含有陶瓷先驱体聚合物的润滑油组合物
49、含锆聚硼硅氮烷先驱体气凝胶、硅硼碳氮/二氧化锆陶瓷气凝胶及其配方技术和应用
50、一种致密型富碳先驱体陶瓷的配方技术
51、一种富碳先驱体陶瓷的配方技术及制得的富碳先驱体陶瓷
52、一种聚合物先驱体陶瓷复合气凝胶及其微波合成方法
53、一种HfC-SiC超高温陶瓷先驱体的配方技术
54、一种碳化硅陶瓷先驱体聚碳硅烷的配方技术
55、液态可热固化陶瓷先驱体及相应陶瓷基复合材料的制法
56、一种致密型先驱体陶瓷温度传感器的配方技术
57、一种先驱体转化类陶瓷的定向多孔结构配方技术
58、一种有机先驱体溶液镀膜制备的具有生物活性的纳米氧化物陶瓷薄膜
59、一种高含量碳纳米管增强先驱体陶瓷复合材料及其配方技术
60、一种基于纤维增强陶瓷先驱体3D打印技术的陶瓷复合材料成形方法
61、先驱体转化陶瓷的直写成型方法
62、碳化钽陶瓷先驱体合成方法及所得碳化钽陶瓷
63、Ta-C-N陶瓷先驱体合成方法
64、陶瓷先驱体熔体表观活化能的测试系统及测试方法
65、一种含铍聚碳硅烷陶瓷先驱体的配方技术
66、一种非晶先驱体陶瓷孔隙率大范围连续调节的实现方法
67、碳化钽陶瓷先驱体配方技术
68、一种有机金属聚合物复相陶瓷先驱体及其配方技术与应用
69、石墨烯改性以聚碳硅烷为先驱体的陶瓷基复合材料的配方技术
70、一种含复合金属相陶瓷先驱体的配方技术
71、一种激光裂解聚硅氮烷类先驱体制备陶瓷化涂层的方法
72、一种聚合物先驱体陶瓷微波后处理改性方法
73、一种HfC陶瓷先驱体的配方技术与应用
74、一种ZrON陶瓷先驱体的配方技术
75、一种含锆有机金属聚合物陶瓷先驱体及其配方技术与应用
76、一种含铝的聚硼硅氮烷陶瓷先驱体的配方技术
77、一种可溶ZrC陶瓷先驱体聚合物的合成方法
78、一种Zr-Si-C陶瓷先驱体的常温常压合成方法
79、SiAlCN聚合物先驱体陶瓷温度传感器及其配方技术
80、利用先驱体转化法强化氧化铝基陶瓷型芯的方法
81、一种含SiBCN可热聚合陶瓷先驱体的配方技术
82、一种含铍陶瓷先驱体的配方技术
83、一种TiC陶瓷先驱体的配方技术
84、一种制备MC‑SiC超高温陶瓷材料的原位共聚先驱体转化方法
85、一种先驱体转化碳化硅泡沫陶瓷的配方技术
86、一种Fe‑Si‑C陶瓷先驱体的合成方法
87、一种制备MC‑BN超高温陶瓷材料的原位共聚先驱体转化方法
88、一种耐超高温ZrC/SiC复相陶瓷先驱体的合成方法
89、一种制备硼化锆(ZrB)陶瓷先驱体的新方法
90、一种碳化物陶瓷先驱体的配方技术及其应用
91、一种硼化锆陶瓷先驱体的合成方法
92、一种耐高温陶瓷先驱体粘结剂的配方技术
93、一种可室温固化的陶瓷先驱体粘结剂的配方技术
94、一种SiBN(C)陶瓷纤维先驱体的配方技术
95、一种化学液气相沉积工艺用SiC陶瓷先驱体的配方技术
96、一种耐超高温碳化锆陶瓷先驱体的合成方法
97、一种制备陶瓷先驱体聚碳硅烷的新方法
98、一种ZrC陶瓷先驱体,ZrC陶瓷及其配方技术
99、一种Si-C-N陶瓷先驱体的配方技术
10-0、一种由陶瓷先驱体制备图案化陶瓷的方法
10-1、一种聚硼氮烷陶瓷先驱体及其配方技术
10-2、一种Zr-C-Si聚合物陶瓷先驱体及其配方技术与应用
10-3、一种氮化物陶瓷材料的先驱体转化配方技术
10-4、一种陶瓷材料粉末坯体浸渍-先驱体裂解配方技术
10-5、一种陶瓷先驱体无碳聚硼硅氮烷及其合成方法
10-6、一种Si-Al-C-N陶瓷先驱体的配方技术
10-7、一种SiC纤维用可纺聚硅氧烷陶瓷先驱体的配方技术
10-8、氮化硼陶瓷纤维有机先驱体及其配方技术
10-9、陶瓷先驱体聚碳硅烷的合成方法
11-0、一种用于制作精细陶瓷构件的先驱体聚合物及其合成方法
11-1、有机金属聚合物陶瓷先驱体及其配方技术与应用
11-2、一种硅硼氮烷陶瓷纤维先驱体的配方技术
11-3、氮化硼陶瓷有机先驱体及其配方技术
11-4、先驱体转化法制备陶瓷涂层的方法
11-5、一种由聚合物先驱体制备绝缘导热陶瓷涂层的方法
11-6、一种碳化物陶瓷的先驱体溶液、碳化物陶瓷及配方技术
11-7、一种含铌的SiC陶瓷先驱体的配方技术
11-8、一种氮化硼陶瓷纤维先驱体的配方技术
11-9、多元氮化物陶瓷先驱体的配方技术
12-0、一种含锆聚碳硅烷陶瓷先驱体的配方技术及装置
12-1、一种含钽的SiC陶瓷先驱体的合成方法
12-2、一种陶瓷纤维先驱体的配方技术
12-3、硅-硼-氮陶瓷纤维先驱体的配方技术
12-4、一种含铪的SiC陶瓷先驱体的配方技术
12-5、陶瓷先驱体聚碳硅烷的超临界流体合成方法
12-6、硼氮陶瓷纤维先驱体的配方技术
12-7、B位先驱体掺杂改性的钛酸钡基金属复合陶瓷及配方技术
12-8、钛酸钡陶瓷电容器介质的钛位先驱体掺杂改性方法
12-9、先驱体浸渍裂解制备BN/SiO复合陶瓷的方法
 
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