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N型电池配方生产工艺技术制作流程

发布时间:2020-04-19   作者:admin   浏览次数:173

1 一种高效N型电池片及其配方技术 
   简介:本技术提供了一种高效N型电池片,包括晶体硅片、正面栅线、背面电极,所述背面电极分布在晶体硅片的背面,所述正面栅线设置在晶体硅片的正面,所述晶体硅片的正面设置有若干球形凸起,所述球形凸起的内部设置有交汇凹槽,所述正面栅线包括主栅线、副栅线,所述主栅线和副栅线在交汇凹槽内交错结合,所述交汇凹槽内填充有导电银胶,所述副栅线的形状为四边形,所述主栅线的形状为直线形,所述主栅线沿副栅线的对角线设置并与副栅线相交。本技术能够使N型电池片的光电转换效率得到显著提升,制备工艺简单,生产成本低,利于推广应用。
2 一种n型局部高低结背表面场双面太阳电池及其制备工艺 
   简介:本技术提供了一种n型局部高低结背表面场双面太阳电池及其制备工艺,涉及太阳电池技术领域,本技术包括n型硅衬底,n型硅衬底底部从上到下设置有氧化硅钝化层、本征非晶硅层和背面氮化硅减反层,n型硅衬底底部嵌设有若干条磷源掺杂层,磷源掺杂层底部连接有同时贯穿氧化硅钝化层、本征非晶硅层和背面氮化硅减反层的背面金属电极层,制备时,在背面氮化硅减反层下表面利用激光开出若干局部槽,局部槽均开至n型硅衬底底部,开槽区域印刷磷源浆料形成高低结结构,提高了双面太阳电池的背面电池的开路电压,开槽磷源浆重掺杂区域与金属电极接触形成欧姆接触,降低串联电阻提高填充因子,在不降低正面效率的情况下,提高电池双面率。
3 一种新结构n型晶硅PERT双面电池及其配方技术 
   简介:本技术提供了一种新结构n型晶硅PERT双面电池及其配方技术,涉及硅太阳电池领域,n型晶硅衬底的前表面依次形成p+发射极层、氢化氮化硅减反射层和Ag/Al电极,所述p+发射极层的局部形成有p++选择性发射极区域,在所述n型晶硅衬底的后表面依次形成氧化硅层、p掺杂多晶硅层、氢化氮化硅钝化层和Ag电极。本技术采取了在常规扩散的硼硅玻璃表面进行激光掺杂以降低金属接触区域的载流子复合,不需要低压扩散等设备做高方阻;用硝酸化学氧化这一简洁、易控、极低成本的方式制备性能良好的超薄氧化硅层;经过合适的边绝缘和高温退火后,电池前后侧结构的特性能同时得到提高,不会相互干扰,而且后续提升空间很大,具有重要意义。
4 一种后掺杂式N型接触钝化电池 
   简介:本技术提供了一种后掺杂式N型接触钝化电池,包括N型硅片、正面结构以及背面结构,背面结构包括隧穿层、n+多晶硅层、背面钝化层以及背面金属电极,隧穿层、n+多晶硅层以及背面钝化层沿渐远N型硅片的方向依次设置,N型接触钝化电池还包括本征多晶硅层和n++重掺杂区域,本征多晶硅层设于n+多晶硅层与背面钝化层之间,n++重掺杂区域贯穿本征多晶硅层,n++重掺杂区域的内端与n+多晶硅层接触,背面金属电极贯穿背面钝化层,背面金属电极的内端与n++重掺杂区域的外端接触。本技术既可以减少背面的自由载流子吸收,提升双面电池的双面率,又消除金属化区域的金属复合,进一步提升N型接触钝化电池转化效率。
5 一种N型TOPCon太阳能电池配方技术 
   简介:本技术涉及一种N型TOPCon太阳能电池配方技术,通过先制备背表面超薄氧化层和重掺杂的本征非晶硅层,然后通过扩散制备正表面p+掺杂层,同时高温激活背面掺杂原子,使非晶硅层转化为多晶硅层,最后通过制备钝化减反膜和钝化膜、以及金属化工序,完成N型TOPCon太阳能电池的制备。本技术通过一步高温工艺实现正表面p+掺杂层和背表面n+重掺杂的多晶硅层,与传统的两步高温工艺的方法相比,本技术减小了对硅基体的损伤;本技术利用制绒的同时去除Poly绕镀的工艺方法,减少了去除绕镀的工序,同时,此工艺方法减小了绕镀区域与非绕镀区域表面结构的差异,从而有利于提高良率,降低生产成本。
6 一种N型单晶异质结太阳能电池薄膜沉积装备及其沉积方法 
   简介:本技术涉及一种N型单晶异质结太阳能电池薄膜沉积装备及其沉积方法,它包括:沉积组件,所述沉积组件包括依次连接的第一L/L腔室、第一本征I层沉积腔室、P型掺杂非晶硅薄膜沉积腔室、第一转换腔室、第二本征I层沉积腔室、N型掺杂非晶硅薄膜沉积腔室、第二转换腔室、PVD腔室以及第二L/L腔室,各腔体之间采用真空锁结构连接;输料组件,所述输料组件用于硅片的进料和出料,包括安装在所述沉积组件两端以及其各腔体内的输料单元。通过在沉积组件的两端以及其各腔体内安装输料单元,能够实现硅片的自动化进料和出料,从而提高了其自动化程度和生产效率。
7 一种N型太阳能电池正面细栅浆料及其配方技术 
   简介:本技术提供了一种N型太阳能电池正面细栅浆料,按重量份计,其制备原料包括高活性玻璃粉1~5份、硅粉1~5份、铝硅合金粉75~79份、有机成分15~20份。本技术提供的N型太阳能电池正面细栅浆料及其配方技术使用铝浆替换现有技术中的掺铝银浆,降低了N性太阳能电池的生产成本,且铝浆中含有的高活性玻璃粉免去了印刷前的开槽工序,简化了工艺步骤,且对钝化层不会造成损害,提高了太阳能电池的电性能。
8 一种钙钛矿与N型硅基背接触电池叠加电池结构 
   简介:本技术提供了一种钙钛矿与N型硅基背接触电池叠加电池结构,其特征在于,依次包括:钙钛矿材料吸收层、正面透明导电膜沉积层、正面钝化层、前表面场、N型单晶硅片衬底及背面钝化层,N型单晶硅片衬底与背面钝化层之间设有相互独立的背面P+掺杂层和背面N+掺杂层,两个金属电极。分别与背面P+掺杂层、背面N+掺杂层连接,且从背面钝化层表面露出。本技术采用丝网印刷纳米磷浆料或纳米硼浆料叠加激光推进的方式实现钙钛矿材料叠加背接触电池背面叉指状PN结的制备,实现叠层电池内部电流的最大输出,进一步提高背接触太阳电池的光电转换效率。
9 N型太阳能电池硼扩SE结构的配方技术 
   简介:本技术涉及一种N型太阳能电池,特别涉及一种N型太阳能电池硼扩SE结构的配方技术,该方法包括如下步骤:利用印刷含有HF的刻蚀浆料的方式,在N型硅片硼扩面的电极栅线区域刻蚀掉BSG,得到刻蚀图形,再进行二次硼扩散,在电极区域形成硼的重掺杂,在电极之间形成硼的轻掺杂,得到N型太阳能电池硼扩SE结构。含有HF的刻蚀浆料的用于刻蚀去除BSG。本技术将选择性发射极技术应用于N型电池的生产中,通过在硼扩面印刷刻蚀浆料,去除电极栅线区域的BSG,再进行二次硼扩散,在电极接触部分进行硼的重掺杂,在电极之间进行硼的轻掺杂,实现对发射区的优化,提高N型太阳能电池的光电转化效率。
10 一种N型钝化接触晶体硅太阳能电池及其配方技术 
   简介:本申请提供了一种N型钝化接触晶体硅太阳能电池,除包括硅基体,负电荷薄膜层,减反层,隧穿层,第二掺杂多晶硅层,钝化层,正电极,背电极,还包括设置在负电荷薄膜层和减反层之间的第一掺杂多晶硅层,第一掺杂多晶硅层与负电荷薄膜层形成叠层钝化层,增强表面钝化效果,使载流子传输由三维传输变为一维传输,从而有效降低硅基体与正电极接触区域的复合,并且正电极为掺有3A族元素的电极,形成选择性发射极结构,进一步减少正电极与硅基体的接触复合,从而提升钝化接触晶体硅太阳能电池的光电转换效率。此外,本申请还提供一种具有上述优点的N型钝化接触晶体硅太阳能电池配方技术。
11 一种N型高效TOPCon电池
12 一种N型晶体硅电池的配方技术
13 一种N型双面电池的制作方法
14 一种高效N型异质结电池用硅片表面油污的处理方法
15 一种n型双面电池的配方技术
16 一种选择性发射极的n型晶体硅太阳电池及其配方技术
17 基于真空分离式p-n结n型变掺杂GaN基阳极的太阳能电池
18 一种高容量高倍率锂离子电池负极用n型硅材料
19 基于自组装工程的p-i-n型钙钛矿电池空穴传输层
20 一种基于CdS/SnO2混合N型层的高效Sb2Se3薄膜电池及其配方技术
21 基于晶体硅N型Poly发射结太阳能电池制作方法
22 一种N型选择性发射极太阳能电池及其制造方法
23 一种玻璃粉及包括该玻璃粉的N型双面太阳能电池正面用银铝浆
24 一种N型太阳能电池正面电极金属化方法
25 一种基于光刻掩膜法制备N型FFE结构的IBC太阳能电池的方法
26 N型钝化接触电池的制作系统及方法
27 一种具有较好钝化效果的N型双面电池配方技术
28 一种N型晶体硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法
29 一种N型电池的共扩散工艺
30 一种高效低成本N型背结PERT双面电池的制造方法
31 旋涂硼源激光掺杂制作N型选择性发射极双面电池的方法
32 降低N型晶硅太阳能电池漏电比例的配方技术
33 一种N型双面电池的配方技术
34 一种N型双面电池及其配方技术
35 一种N型双面太阳能电池及其配方技术
36 一种等离激元增强p型磷化铟/n型二硫化钼异质结太阳电池及其配方技术
37 钝化接触N型太阳电池的配方技术
38 一种N型太阳能电池多步硼扩散工艺
39 基于选择性发射极的N型电池结构及其配方技术
40 一种N型晶体硅太阳电池的硼扩散工艺
41 N型双面太阳电池及其配方技术
42 一种N型多晶硅双面电池配方技术
43 一种基于N型单晶硅衬底的异质结太阳能电池及其配方技术
44 一种n型太阳能电池配方技术
45 一种基于n型硅片的异质结太阳能电池及其制作方法
46 一种制造p-i-n型钙钛矿太阳能电池的方法
47 N型双面电池的制作方法
48 一种低成本N型双面电池配方技术
49 一种n型太阳能电池配方技术及n型太阳能电池
50 一种N型单晶硅基太阳能电池及其配方技术
51 N型双面太阳能电池的制作方法及其正面结构的制作方法
52 一种N型双面太阳能电池及其正面结构
53 一种基于N型硅片的太阳能电池片的制作方法
54 一种p-i-n型钙钛矿太阳能电池及其制造方法
55 一种用于非掺杂异质n型单抛硅太阳电池的纳米双金属层背接触及其配方技术和应用
56 一种N型双面太阳能电池的配方技术
57 一种全铝背结N型单晶太阳能电池的配方技术
58 一种提高N型双面电池效率的方法
59 一种基于掺杂多晶硅锗薄膜的N型晶体硅太阳电池及其配方技术
60 N型高效晶体硅太阳电池及其配方技术
61 一种基于光散射结构的N型隧穿氧化层钝化太阳电池的配方技术
62 N型太阳能电池的制作方法
63 一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池
64 一种N型太阳能电池的绒面修饰方法
65 一种N型硅基太阳能电池及其配方技术
66 N型晶体硅太阳能电池及配方技术、光伏组件
67 一种效率得到提升的N型PERT双面太阳能电池
68 一种n型多晶硅太阳能电池及其制造方法
69 N型背接触太阳能电池的配方技术及太阳能电池
70 N型双面电池的配方技术及电池
71 一种N型PERT双面电池配方技术
72 一种N型IBC电池及其配方技术
73 一种N型硅基太阳能电池及其制造方法
74 N型太阳能电池的制作方法
75 一种N型异质结双面太阳能电池的配方技术
76 一种N型双面电池配方技术
77 一种钙钛矿/n型晶体硅叠层太阳电池及其制造方法
78 一种钝化接触N型太阳能电池及配方技术、组件和系统
79 一种N型IBC太阳电池的制作方法
80 N型硅片硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法
81 一种N型单面电池的制作方法
82 一种N型双面太阳能电池及其制作方法
83 一种N型硅太阳能电池的热激活处理方法
84 N型电池的正面电极两次印刷方法
85 一种n型掺杂电子传输层和TiO2层的钙钛矿电池的配方技术
86 一种N型晶硅电池的配方技术
87 一种N型太阳能电池硼扩散方法
88 n型双面太阳电池的配方技术
89 n型太阳能电池的配方技术
90 具有区分开的P型和N型区架构的太阳能电池
91 一种N型单面电池的配方技术
92 一种N型双面太阳能电池片及其制作方法
93 一种N型双面太阳能电池片及其制作方法
94 一种N型双面电池配方技术
95 一种双面隧穿氧化钝化高效N型双面电池的配方技术
96 n型晶体硅双面太阳电池
97 一种离子注入法制作N型PERT双面太阳电池的制备工艺
98 一种N型硅异质结太阳能电池及其配方技术
99 一种p‑n型叠层染料量子点敏化太阳能电池的配方技术
100 一种N型IBC太阳能电池拼片连接的电池串及其配方技术、组件和系统
101 具有区分开的P型和N型区架构的太阳能电池的金属化
102 一种在N型硅衬底上制备太阳能电池的方法
103 一种n型硅‑碳复合锂离子电池负极材料的配方技术
104 n型晶体硅太阳电池及其配方技术
105 一种全n型硅锂离子电池负极材料的配方技术
106 一种p-i-n型硒化锑太阳电池
107 高转化效率抗PID的N型晶体硅双面电池及其配方技术
108 一种N型选择性发射极双面电池及其加工方法
109 N型双面电池及其加工方法
110 选择性背表面场的N型双面电池结构
111 一种N型双面电池的互联技术
112 背面局部掺杂的N型双面电池结构
113 一种N型双面电池互联工艺
114 N型双面电池结构
115 一种太阳能电池用N型多晶硅及其生产方法
116 一种三氧化二铝钝化N型双面晶硅太阳能电池配方技术
117 一种N型双面太阳电池及其配方技术
118 一种N型双面电池的制作方法
119 一种N型单晶硅双面电池的制作方法
120 一种N型双面太阳能电池的配方技术
121 基于N型硅片的太阳能电池片及其配方技术
122 一种N型晶体硅电池的配方技术及其电池、组件和系统
123 一种适合薄片化的N型PERT双面电池结构及其配方技术
124 一种高效N型太阳能电池及利用其制造电池组件的方法
125 一种N型双面电池的配方技术
126 一种N型双面电池的制作方法
127 一种N型单晶双面电池的配方技术
128 一种应用高温扩散工艺制备的N型电池
129 一种N型高效电池及其配方技术
130 一种正面电极侧绕背接触N型晶硅太阳电池的制造方法
131 一种n型背结双面太阳电池的配方技术
132 一种N型双面电池的制造方法
133 一种N型晶体硅太阳能电池结构及其配方技术
134 一种N型晶体硅双面太阳能电池结构及其配方技术
135 一种利用印刷技术制备N型硅IBC太阳电池的方法
136 一种N型MWT太阳能电池及其配方技术
137 硅基太阳能电池N型表面隧穿氧化钝化接触制作方法
138 选择性发射结及隧穿氧化高效N型电池配方技术
139 N型双面电池及其配方技术
140 一种制备n型晶体硅双面太阳电池的方法
141 N型双面电池封装胶膜的配方技术
142 N型双面电池封装胶膜
143 一种N型高效单晶双面电池的配方技术
144 一种钝化接触N型晶体硅电池及配方技术和组件、系统
145 局部背表面场N型太阳能电池及配方技术和组件、系统
146 局部背场N型光伏电池的配方技术及其电池和组件、系统
147 一种局部背场N型太阳能电池的配方技术
148 一种钝化接触N型太阳能电池及配方技术和组件、系统
149 背结N型太阳能电池的配方技术及其电池和组件、系统
150 一种N型太阳能电池的金属化方法和电池及组件、系统
151 背结N型晶体硅太阳能电池及其配方技术和组件、系统
152 一种N型双面电池的配方技术
153 一种具有透明电极的N型双面太阳能电池及其配方技术
154 全背场扩散N型硅基电池及其配方技术
155 N型晶体硅太阳能电池的金属化方法和电池及组件、系统
156 N型双面太阳能电池的金属化方法和电池及组件、系统
157 N型双面太阳能电池的配方技术
158 一种简化的N型IBC电池结构及其配方技术
159 N型IBC电池结构及其配方技术
160 一种基于APCVD技术的N型双面太阳能电池及其配方技术
161 N型掺杂硅薄膜、其配方技术和包括其的太阳能电池
162 一种N型背结太阳能电池的制作方法
163 一种N型双面太阳能电池及其配方技术
164 一种基于N型铋基电子收集层的有机‑无机钙钛矿薄膜太阳能电池及其配方技术
165 一种n型硅太阳能电池及其配方技术
166 一种N型背结双面电池及其配方技术
167 n型扩散层形成组合物、n型扩散层的制造方法及太阳能电池元件的制造方法
168 一种N型晶体硅双面太阳能电池的配方技术
169 一种改善N型晶硅双面太阳电池硼旋涂方法
170 太阳能N型电池双玻组件测试仪
171 N型双面电池及其制作方法
172 N型电池硼扩散工艺
173 一种硅片表面钝化方法及基于其的N型双面电池的制作方法
174 一种N型晶硅太阳能电池及其配方技术
175 具有区分开的P型和N型架构并且包含点状扩散的太阳能电池发射极区的制造
176 一种N型晶硅电池及其配方技术
177 一种背面结N型双面晶体硅电池及其配方技术
178 一种双面N型晶体硅电池及其配方技术
179 一种N型晶硅电池硼发射极的钝化方法
180 一种制备双面N型晶硅电池的掩膜扩散方法
181 一种N型背结晶体硅电池及其配方技术
182 HIT电池用N型硅片a-Si:H薄膜的配方技术
183 一种实现N型双面电池隧穿氧化层钝化的方法
184 一种单面抛光N型太阳能电池及其配方技术
185 选择性背场结构的制备工艺与N型太阳能电池的配方技术
186 具有n型扩散层的半导体基板的制造方法及太阳能电池元件的制造方法
187 一种N型太阳能电池金属化用掺杂浆料
188 一种高性能N型太阳能电池正面电极用银铝浆
189 一种高效低成本N型背结前接触单晶电池的制作方法
190 一种导电浆料及其在N型硅片太阳能电池中的应用
191 N型全铝背发射极太阳能电池的制作方法和该方法制备的太阳能电池
192 N型双面电池及其制作方法
193 一种N型双面太阳电池及其配方技术
194 制备N型硅基太阳能电池P+型掺杂层的方法
195 制造具有区分开的P型和N型区架构的太阳能电池发射极区
196 制造具有区分开的P型和N型区架构的太阳能电池发射极区
197 一种N型双面太阳电池及其配方技术
198 一种局部背表面场n型太阳能电池
199 一种N型纳米黑硅的配方技术以及太阳能电池的配方技术
200 N型HIT太阳能电池结构
201 一种在N型太阳电池双面同时实现选择性掺杂的工艺
202 一种在铝硅熔池中液相外延制备n型晶体硅太阳电池发射极的方法
203 一种N型双面电池的湿法刻蚀方法
204 N型太阳能电池二次丝网印刷方法
205 一种用于HIT电池的N型硅片清洗制绒方法
206 n型硅太阳电池、其配方技术及铝蒸发扩散装置
207 一种全铝背发射极N型单晶电池的制作方法
208 一种N型PERC晶体硅太阳能电池及其配方技术
209 一种N型PERC晶体硅太阳能电池及其配方技术
210 一种N型局域铝背晶体硅太阳能电池及其配方技术
211 一种基于离子注入工艺的N型IBC硅太阳能电池制作方法
212 基于离子注入工艺的n型IBC硅太阳能电池制作方法
213 一种N型双面太阳能电池的配方技术
214 一种N型晶体硅太阳电池的背面电极结构及其配方技术
215 一种全背电极N型晶硅异质结太阳电池的配方技术
216 n型扩散层形成组合物、n型扩散层的形成方法、带n型扩散层的半导体基板的制造方法及太阳能电池元件的制造方法
217 一种太阳能电池用N型硅片的表面钝化方法及其产品和应用
218 一种N型IBC太阳能电池片的配方技术
219 N型晶体硅太阳能电池的选择性发射结结构的实现方法
220 一种高效N型晶体硅刻槽埋栅电池的配方技术
221 N型晶体硅刻槽埋栅电池的配方技术
222 N型晶体硅双面电池及其配方技术
223 一种N型背结太阳能电池的配方技术
224 一种N型硅衬底背面接触式太阳电池结构和配方技术
225 N型太阳能电池的配方技术及其高低结的配方技术
226 一种N型背结太阳能电池的配方技术
227 一种N型背发射极太阳电池的配方技术
228 一种N型晶硅太阳电池及其配方技术
229 N型硅太阳能电池的选择性背场的制作方法、N型硅太阳能电池及其制作方法
230 全铝掺杂N型太阳能电池的配方技术
231 太阳能电池的N型晶体硅衬底的清洗处理方法
232 一种降低铝背发射极N型太阳电池背表面漏电的方法
233 太阳能电池与其形成方法及n型ZnS层的形成方法
234 一种N型背结太阳能电池的配方技术
235 用于制备n型太阳能电池的二元玻璃料
236 N型硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法
237 N 型硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法
238 N型硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法
239 一种N型硅太阳能电池的双面扩散工艺
240 一种N型晶体硅太阳能电池的配方技术
241 一种包括铌掺杂的n型SiC外延层的PIN型同位素核电池
242 包括铌掺杂n型外延层的碳化硅肖特基结型核电池的制造方法
243 包括铌掺杂的n型SiC外延层的PIN型同位素核电池的制造方法
244 包括铌掺杂n型外延层的碳化硅肖特基结型核电池
245 应用于N型晶体硅太阳能电池的背场铝浆及其配方技术
246 N型双面太阳电池的制作方法
247 N型太阳能电池选择性背场的制备工艺测试方法
248 一种磷扩散方法、P型电池配方技术及N型电池配方技术
249 一种N型太阳能电池的制作方法
250 使用N型掺杂硅纳米粒子制造太阳能电池的发射极区域
251 一种N型晶体硅双面光伏电池的配方技术
252 一种N型高效异质结电池及其制造方法
253 一种p-i-n型InGaN/p-n型Si双结叠层太阳电池及其配方技术
254 P-型碳量子点/N-型硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其配方技术
255 n型光吸收层用合金及其制造方法以及太阳能电池
256 单晶等外品N型硅片制造太阳能电池片的方法
257 N型太阳能电池及其选择性背场配方技术
258 N型掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池器件
259 一种N型太阳能电池及其制作方法
260 一种N型太阳能电池及其制作方法
261 一种N型异质结太阳电池及其制作方法
262 n型扩散层形成用组合物、n型扩散层形成用组合物套剂、带n型扩散层的半导体基板的制造方法、以及太阳能电池元件的制造方法
263 n型扩散层形成用组合物、具有n型扩散层的半导体基板的制造方法及太阳能电池元件的制造方法
264 N型MWT太阳能电池结构及其制造工艺
265 一种全背电极n型电池前表面场和后表面场同时形成的工艺
266 一种低成本n型双面太阳电池及其配方技术
267 一种N型硅衬底加有机晶体双面异质结太阳能电池片
268 一种N型硅衬底的双PIN结双面太阳能电池
269 一种N型背接触太阳能电池的配方技术
270 基于N型硅衬底背接触式HIT太阳电池结构和配方技术
271 N型硅衬底背接触型式HIT太阳电池结构和配方技术
272 一种N型太阳能电池片及其印刷方法和印刷丝网
273 一种N型电池片及其配方技术
274 一种基于n型硅片的金属贯穿式背发射极晶硅太阳电池及其配方技术
275 N型太阳能电池及其制造工艺
276 一种提高N型衬底HIT太阳能电池开路电压的方法
277 N型晶硅太阳能电池及其制作方法
278 N型晶硅太阳能电池及其配方技术
279 n型扩散层形成用组合物、n型扩散层的制造方法以及太阳能电池元件的制造方法
280 n型扩散层形成用组合物、n型扩散层的制造方法以及太阳能电池元件的制造方法
281 n型扩散层形成用组合物、n型扩散层的制造方法以及太阳能电池元件的制造方法
282 n型扩散层形成用组合物、n型扩散层的制造方法以及太阳能电池元件的制造方法
283 n型扩散层形成用组合物、n型扩散层的制造方法以及太阳能电池元件的制造方法
284 n型扩散层形成用组合物、n型扩散层的制造方法以及太阳能电池元件的制造方法
285 n型扩散层形成用组合物、n型扩散层的制造方法以及太阳能电池元件的制造方法
286 n型扩散层形成用组合物、n型扩散层的制造方法以及太阳能电池元件的制造方法
287 一种N型太阳能电池制作方法
288 一种N型双面背接触太阳能电池的配方技术
289 一种N型双面背接触晶体硅太阳能电池的配方技术
290 N型双面背接触晶体硅太阳能电池的配方技术
291 N型太阳能电池片及其制造方法
292 N型双面电池的双面扩散方法
293 基于SE选择性发射结的N型衬底微晶硅异质结电池的配方技术
294 基于宽禁带a-SiOx及低温SiO2钝化的背接触N型电池的配方技术
295 n型扩散层形成用组合物、n型扩散层的制造方法和太阳能电池单元的制造方法
296 一种p-i-n型单结InGaN太阳能电池
297 杂质扩散层形成组合物,n型、p型扩散层形成组合物、太阳能电池元件及它们的制造方法
298 杂质扩散层形成组合物、n型扩散层形成组合物、n型扩散层的制造方法、p型扩散层形成组合物、p型扩散层的制造方法以及太阳能电池元件的制造方法
299 基于N型硅片的背接触异质结太阳电池
300 基于N型硅片的碲化镉半导体薄膜异质结太阳电池
301 n型扩散层形成组合物、n型扩散层的制造方法和太阳能电池元件的制造方法
302 n型扩散层形成组合物、n型扩散层的制造方法和太阳能电池元件的制造方法
303 n型扩散层形成组合物、n型扩散层的制造方法及太阳能电池元件的制造方法
304 n型扩散层形成组成物、n型扩散层的制造方法及太阳能电池元件的制造方法
305 基于N型硅片的背接触式HIT太阳能电池配方技术
306 钝化N型硅太阳能电池的P型掺杂层的方法及电池结构
307 形成n型扩散层的组合物和方法,及制备光伏电池的方法
308 形成n型扩散层的组合物和方法,及制备光伏电池的方法
309 形成n型扩散层的组合物和方法,及制备光伏电池的方法
310 形成n型扩散层的组合物和方法,及制备光伏电池的方法
311 n型太阳能电池用硅及添加有磷的硅的制造方法
312 一种背面铝扩散N型太阳能电池及制作背电极方法
313 N型衬底的单面引出电极晶体硅电池及制造方法
314 N-型硅片上制造太阳能电池的方法
 
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