1 一种锗硅图像传感器、采集模组及TOF深度相机
简介：本技术提供了一种锗硅图像传感器，包括由多个像素构成的像素阵列；其中，所述像素包括：读入单元、缓冲直接注入结构单元、解调单元、以及读出单元；所述读入单元包括锗光电二极管，被配置为将入射至传感器的光信号转换为电荷信号；所述缓冲直接注入结构单元与所述锗光电二极管连接，被配置为减小所述电荷信号的输入阻抗和提供稳定的偏压，并将所述电荷信号传输至所述解调单元；所述解调单元，被配置为使所述电荷信号根据多个曝光控制晶体管分别生成多个电压信号；所述读出单元被配置为读取所述电压信号。本技术锗硅图像传感器可以降低读出电路的输入电阻、提高注入效率，同时实现稳定的偏置电压，且降低暗电流。
2 一种提高锗/硅红外晶体套圆合格率的方法
简介：本技术提供了一种提高锗/硅红外晶体套圆合格率的方法，包括如下步骤：1)将单晶段底部用环保水煮胶粘上树脂底板、并固化；环保水煮胶包括质量比为1：(4.5‑5.5)的A组分和B组分；A组分包括：聚环氧乙烷45‑55份，改性环氧树脂22‑25份，二氧化钛3‑5份，钙盐20‑22份和氨盐6‑8份；B组分：包括氧化胺30‑35份，硫基加成物33‑38份，钙盐20‑25份和氨盐5‑15份；2)在树脂板底部粘上石墨条、并固化；3)将步骤2)所得单晶段装在钻床上，同时固定好套筒，套筒对准单晶，从单晶顶部向底部进行套圆，套圆结束后，在85‑95℃的热水中浸泡6‑12分钟，单晶段底部的环保水煮胶粘自动剥落，得到完整、无破损的单晶棒。上述方法安全环保，简单易操作，大幅提高了材料利用率，降低了生产成本。
3 一种锗硅雪崩光电探测器及其制作方法
简介：本申请涉及一种锗硅雪崩光电探测器及其制作方法，锗硅雪崩光电探测器包括埋氧层、底层、本征锗层、覆盖层、P电极和N电极，底层依次包括本征底层硅区，过渡底层硅区、倍增区、N型重掺杂底层硅区；本征锗层设于底层上；覆盖层覆盖于本征锗层上，覆盖层依次包括P型重掺覆盖层硅区、本征覆盖层硅区、过渡覆盖层硅区，过渡覆盖层硅区远离本征覆盖层硅区的一端与过渡底层硅区接触，以形成电荷过渡区；P电极与P型重掺覆盖层硅区相连；N电极与N型重掺杂底层硅区相连。本申请的锗硅雪崩光电探测器，不采用层叠结构，便于与其他功能元件集成，可大规模生产。
4 嵌入式锗硅外延层的制造方法
简介：本技术提供了一种嵌入式锗硅外延层的制造方法，包括步骤：提供具有栅极结构的半导体衬底。形成第一二氧化硅层和第二氮化硅层。自对准形成PMOS的凹槽，包括：进行以第一二氧化硅层为停止层的第一次氮化硅刻蚀；进行二氧化硅刻蚀；自对准刻蚀形成凹槽；使凹槽的形状为Σ型。形成嵌入式锗硅外延层。进行介质剥离，包括：进行磷酸湿法刻蚀；形成第三二氧化硅层和第四氮化硅层；进行氮化硅等离子刻蚀；进行氢氟酸湿法刻蚀；进行磷酸湿法刻蚀；去除剩余的第三二氧化硅层和第一二氧化硅层。本技术能防止在栅极结构顶角出现锗硅残余物，还能防止栅极结构的关键尺寸损失以及防止栅极结构之间的半导体衬底材料损失，能提高栅介质层的可靠性。
5 FDSOI的顶层锗硅层的制作方法
简介：本技术提供了一种FDSOI的顶层锗硅层的制作方法，包括步骤：步骤一、提供SOI基片，SOI基片包括底部体硅、绝缘介质埋层和顶部硅；步骤二、在顶部硅表面外延生长第一锗硅外延层，顶层硅和第一锗硅外延层叠加成顶层锗硅层；步骤三、对顶层锗硅层进行锗浓度提升，通过循环进行如下分步骤实现：步骤31、进行热氧化在顶层锗硅层表面形成顶部氧化层并在顶部氧化层和底部的顶层锗硅层的界面处形成锗凝聚；步骤32、进行热退火将界面处凝聚的锗扩散到整个顶层锗硅层；步骤33、去除顶部氧化层。本技术能提升顶层锗硅层的锗浓度，能很好的控制顶层锗硅层的厚度以及能很好的提升顶层锗硅层的工艺质量。
6 制备锗硅半导体材料层的方法、锗硅半导体材料层
简介：一种制备锗硅半导体材料层的方法、锗硅半导体材料层，所述方法包括：提供半导体衬底；形成多层超晶格层，所述多层超晶格层覆盖所述半导体衬底；其中，每层超晶格层包含单层超晶格SixGe1‑x材料层以及单层超晶格Ge材料层，其中，所述多层超晶格中的超晶格SixGe1‑x材料层以及超晶格Ge材料层交替形成；0＜x≤0.2。本技术可以降低了锗硅半导体材料层中的位错密度。
7 一种锗硅异质结晶体管抗单粒子效应的加固方法
简介：本技术提供一种锗硅异质结晶体管抗单粒子效应的加固方法，包括：在多个锗硅异质结晶体管中筛选出符合预设电学特性的锗硅异质结晶体管作为初选锗硅异质结晶体管；对初选锗硅异质结晶体管在预设偏置电压下进行伽马射线预辐照，以获取加固锗硅异质结晶体管；在多个加固锗硅异质结晶体管中筛选出符合预设电学特性的加固锗硅异质结晶体管作为抗单粒子效应锗硅异质结晶体管；根据相同激光脉冲能量且相同偏置电压条件下，初选锗硅异质结晶体管和抗单粒子效应锗硅异质结晶体的单粒子瞬态信号差异，获取最佳激光脉冲能量和最佳偏置电压。本技术以实现不通过改变工艺和器件结构，在低成本下实现晶体管抗单粒子效应的能力提升。
8 FDSOI上锗硅鳍体的制作方法
简介：本技术提供了一种FDSOI上锗硅鳍体的制作方法，包括：步骤一、提供SOI基片，SOI基片包括底部体硅、绝缘介质埋层和顶层硅；步骤二、在顶层硅表面外延生长第一锗硅外延层，顶层硅和第一锗硅外延层叠加成顶层锗硅层；步骤三、形成对顶层锗硅层刻蚀后形成的锗硅鳍体；步骤四、对锗硅鳍体进行锗浓度提升，通过循环进行如下分步骤实现：步骤41、进行热氧化在所述锗硅鳍体表面形成第一氧化层并在第一氧化层和锗硅鳍体的界面处形成锗凝聚；步骤42、进行热退火将凝聚的锗扩散到整个锗硅鳍体；步骤43、刻蚀去除第一氧化层。本技术能提升锗硅鳍体的锗浓度，还能同时对锗硅鳍体的宽度和高度进行精细调节。
9 嵌入式锗硅制作方法及嵌入式锗硅结构
简介：本技术提供了一种嵌入式锗硅制作方法，包括在半导体衬底上依次生成有源区、栅极、栅极绝缘层和锗硅硬掩膜刻蚀阻挡层；在两栅极之间的有源区形中刻蚀成截面为坛形的浅沟槽，所述浅沟槽侧壁的一部分位于所述锗硅硬掩膜刻蚀阻挡层和栅极侧墙正下方；清洗去除刻蚀残留物；刻蚀所述浅沟槽形成sigma型深沟槽，所述sigma型深沟槽顶部的一部分与所述锗硅硬掩膜刻蚀阻挡层或栅极侧墙相邻，所述sigma型深沟槽两侧分别形成有向外延伸的尖端，所述尖端位于栅极正下方的有源区中；在sigma型深沟槽内生长锗硅外延形成嵌入式锗硅区。本技术还提供了一种嵌入式锗硅结构。本技术提升了锗硅对沟道的应力，增大了锗硅的体积，进一步的提升了锗硅对沟道的应力，从而提高PMOS器件性能。
10 一种增益峰可调的锗硅光电探测器
简介：本申请涉及一种增益峰可调的锗硅光电探测器，所述锗硅光电探测器自下而上包括：硅衬底层，埋氧层，硅波导层，锗有源层和绝缘覆盖层，所述锗硅光电探测器还包括布置在所述锗有源层上的可调的带宽增益组件。本技术提供的具有可调的带宽增益组件的锗硅光电探测器，通过可调的带宽增益组件能够弥补由于锗硅光电探测器不同个体间的差异性引起的带宽增益的差异性问题，实现了针对每一个锗硅光电探测器的最佳带宽增益。
11 一种高带宽高响应度的锗硅光电探测器
12 锗硅异质结双极晶体管总剂量效应缺陷分布实验分析方法
13 锗硅工艺中颗粒缺陷的检测方法
14 嵌入式锗硅的制造方法、CMOS器件及锗硅生长区域版图
15 嵌入式锗硅器件的制造方法及嵌入式锗硅器件结构
16 西格玛沟槽刻蚀方法、锗硅外延层的形成方法及PMOS器件
17 锗硅外延层、其形成方法及一PMOS器件
18 提高西格玛沟槽刻蚀工艺稳定性及锗硅外延层形成的方法
19 铬离子掺杂的锗硅酸盐近红外长余辉发光材料及其配方技术
20 三维锗及锗硅垂直沟道晶体管的配方技术
21 基于锗硅异质结和双栅工艺的少掺杂隧穿场效应晶体管及制作方法
22 一种在锗硅HBT中用氮化硅侧墙实现自对准结构的方法
23 自组织锗硅纳米晶基片、栅极电控量子点结构及配方技术
24 一种锗硅光电探测器
25 自对准锗硅HBT器件的制造方法
26 采用非选择性外延的自对准锗硅HBT器件的制造方法
27 用于自组织锗硅纳米线的测量装置及其配方技术
28 锗硅HBT器件及制造方法
29 微波谐振腔耦合自组织锗硅纳米线量子点装置
30 锗硅HBT选择性外基区的注入方法
31 一种锗硅HBT的发射极窗口刻蚀方法
32 自组织锗硅纳米线量子点芯片及其配方技术
33 锗硅生长后氮化掩膜层的去除方法
34 锗硅源漏极的配方技术
35 一种析出Ba2LaF7纳米晶的锗硅酸盐微晶玻璃及其配方技术
36 一种析出NaTbF4纳米晶的锗硅酸盐微晶玻璃及其配方技术
37 一种析出BaEuF5纳米晶的锗硅酸盐微晶玻璃及其配方技术
38 一种析出BaTbF5纳米晶的锗硅酸盐微晶玻璃及其配方技术
39 嵌入式锗硅结构及其制造方法
40 一种锗硅量子阱电致折射率调制器和集成光电子器件
41 具有锗硅源漏的MOS晶体管的制造方法
42 具有锗硅源漏的PMOS管的制造方法
43 用于在半导体器件制造过程中从硅-锗/硅堆叠同时去除硅和硅-锗合金的蚀刻溶液
44 基于天线直接匹配的锗硅异质结双极晶体管探测器
45 基于基片集成波导天线的锗硅异质结双极晶体管探测器
46 制造半导体器件过程中从硅-锗/硅叠层中相对于硅-锗合金选择性去除硅的蚀刻溶液
47 在制造半导体器件过程中从硅-锗/硅叠层中选择性地去除硅-锗合金的蚀刻溶液
48 具有锗硅源漏的MOS晶体管的制造方法
49 具有锗硅源漏的MOS晶体管的制造方法
50 硅锗硅多量子阱红外敏感材料电学参数测试装置及方法
51 具有锗硅源漏的MOS晶体管的制造方法
52 自对准锗硅HBT器件监控本征基区掺杂的结构及工艺方法
53 自对准锗硅HBT器件监控锗硅基区掺杂的结构及工艺方法
54 用于制备锗-硅-层的三苯基甲锗烷基甲硅烷和三氯甲硅烷基-三氯甲锗烷以及由三氯甲硅烷基-三苯基甲锗烷制备其的方法
55 锗硅外延制造方法
56 锗-硅光感测设备II
57 一种锗-硅基砷化镓材料及其配方技术和应用
58 一种基于锗硅异质结工艺的触发电压可调的ESD保护器件
59 具有锗硅源漏的MOS晶体管的制造方法
60 一种具有可调带隙的氢化-羟基化的二维半导体锗硅合金及配方技术
61 锗硅异质结双极晶体管及制造方法
62 采用非选择性外延的自对准锗硅HBT器件的制造方法
63 锗硅异质结双极晶体管及制造方法
64 采用非选择性外延的自对准锗硅HBT器件的工艺方法
65 一种基于异质叠层非晶薄膜的平面锗硅及相关纳米线生长方法
66 基于重离子微束辐照的锗硅异质结晶体管单粒子效应测试方法
67 一种改善锗硅源漏极形貌的配方技术
68 一种制作SIGMA型锗硅的沟槽及器件的方法
69 一种锗硅源漏极及其配方技术
70 一种基于异质叠层非晶薄膜供给的平面锗硅及相关纳米线生长形貌和组分调控的方法
71 一种高锗含量锗硅薄膜的低温外延配方技术
72 使用含硫掩模选择性自对准图案化锗硅、锗和III/V族材料
73 一种锗硅沟道鳍式场效应晶体管及其配方技术
74 一种核壳异质结构锗硅纳米线及其可控配方技术和应用
75 新的锗硅酸盐组合物及其配方技术
76 一种横向结构锗/硅异质结雪崩光电探测器及其配方技术
77 一种锗硅源漏极及配方技术
78 锗硅半导体合金的配方技术
79 一种锗硅三极管的制造方法以及锗硅三极管
80 一种绝缘体上锗硅衬底及其制造方法和半导体器件
81 一种锗硅TEM样品的配方技术
82 锗硅感光设备
83 利用多晶锗硅通孔形成MEMS晶圆电连接的方法
84 具有新的CIT‑13拓扑结构的晶体锗硅酸盐材料及其配方技术
85 一种高效近红外发光的低维锗硅量子材料及其配方技术
86 锗硅异质集成三极管
87 一种高功率大带宽锗硅光电探测器
88 基于锗硅集电区的IGBT结构
89 一种基于锗硅异质结工艺的SCR器件
90 一种基于锗硅异质结工艺的双向ESD保护器件
91 一种基于锗硅异质结工艺的SCR器件
92 一种锗硅光电探测器及其配方技术
93 高速锗/硅雪崩光电二极管
94 一种ACC‑1锗硅分子筛及其配方技术和应用
95 形成源漏区外延锗硅均匀轮廓的方法
96 嵌入式外延锗硅层的盖帽层的制作方法
97 嵌入式外延锗硅层的盖帽层的制作方法
98 一种侦测锗硅残留的方法
99 解决锗硅生长工艺中栅极顶角缺陷的方法
100 一种制作Sigma型锗硅沟槽的方法
101 CMOS器件工艺中锗硅外延层的配方技术
102 检测嵌入式锗硅外延缺失缺陷的方法
103 一种超高带宽锗硅光电探测器
104 BiCMOS工艺中HBT基区锗硅外延层质量优化工艺方法
105 以锗硅BICMOS技术在模拟/射频功率ED-CMOS中建立栅极屏蔽的方法
106 银‑锗‑硅异质分级结构阵列及其配方技术和用途
107 一种嵌入式锗硅结构的制作方法
108 用于锗硅填充材料的成形腔
109 用于锗硅填充材料的成形腔
110 一种锗硅分离方法
111 一种制备锗硅量子点共振隧穿二极管的方法
112 嵌入式锗硅器件的制作方法
113 嵌入式锗硅器件的制作方法
114 嵌入式锗硅器件及其制作方法
115 嵌入式锗硅器件及其制作方法
116 嵌入式锗硅的形成方法
117 嵌入式锗硅PMOS晶体管的形成方法
118 嵌入式锗硅外延位错缺陷的改善方法
119 嵌入式锗硅器件的形成方法
120 嵌入式锗硅外延位错缺陷的改善方法
121 嵌入式锗硅的配方技术
122 嵌入式锗硅外延位错缺陷的改善方法
123 嵌入式锗硅的配方技术
124 一种过渡金属掺杂手性锗硅酸盐分子筛及其合成方法
125 一种高热稳定性STW型锗硅酸盐分子筛的配方技术
126 一种高锗浓度锗硅沟道的配方技术
127 基于仿真的锗硅异质结双极晶体管抗单粒子效应加固方法
128 用于制作嵌入式锗硅的方法
129 用于形成嵌入式锗硅的方法
130 一种用于制作嵌入式锗硅的方法
131 一种用于形成嵌入式锗硅的方法
132 用于形成嵌入式锗硅的方法
133 锗硅异质结双极晶体管及制造方法
134 一种从锗硅原料中提取锗的方法
135 用于形成嵌入式锗硅源/漏结构的方法
136 一种嵌入式锗硅应变PMOS器件结构的制作方法
137 利用氮注入改善锗硅选择性外延的侧墙淀积问题的方法
138 从锗硅合金废料中回收锗的方法
139 在线监控锗硅工艺中自掺杂硼浓度的方法
140 锗硅外延生长方法
141 嵌入式锗硅外延位错缺陷的改善方法
142 基于斜切硅衬底的超高密度锗硅量子点的配方技术
143 减少锗硅源漏区外延工艺中的颗粒缺陷的方法
144 一种锗硅硼外延层生长方法
145 制备嵌入式锗硅外延前的表面处理方法
146 锗硅纳米低维结构的可控配方技术及产品
147 一种锗硅纳米线叠层结构的制作方法
148 基于仿真的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应检测方法
149 锗硅异质结晶体管的大信号模型方法
150 一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法
151 一种避免嵌入式锗硅顶部帽层受到蚀刻污染的方法
152 掺锗硅衬底、其配方技术及包括其的太阳能电池
153 一种具有ZSM-5结构的氢型锗硅分子筛及其配方技术
154 嵌入式锗硅工艺中静态随机存储器及写入冗余度改善方法
155 自对准锗硅异质结双极型三极管器件及其制造方法
156 锗硅异质结双极型晶体管制造方法
157 新型四叠层非微晶锗硅薄膜太阳能电池及其配方技术
158 嵌入式锗硅结构的制造方法
159 一种用于锗硅外延生长的反应室、方法及半导体制造设备
160 锗硅HBT工艺中多晶硅电阻集成制作方法
161 基于SiGe量子点模板刻蚀技术制备锗硅纳米柱的方法
162 一种制备稀土离子掺杂锗硅酸盐氟氧化物上转换发光玻璃的方法
163 选择性外延生长锗硅的晶片预处理方法
164 一种制备非晶硅/非晶锗硅叠层太阳能电池薄膜的装置
165 锗硅HBT工艺中横向寄生型PNP三极管及制造方法
166 一种外延生长锗硅应力层的预清洗方法
167 锗硅沸石催化剂及配方技术和用途
168 锗硅HBT工艺中的横向寄生PNP器件及制造方法
169 锗硅HBT晶体管及其版图结构和其制造方法
170 基于SOI的锗硅异质结双极晶体管及其制作方法
171 在半导体硅衬底上附生作为源漏极基底材料的锗硅的方法
172 锗硅异质结双极晶体管的制造方法
173 锗硅多晶硅栅BiCMOS器件及制造方法
174 锗硅异质结双极型三极管器件的制造方法
175 非制冷红外探测阵列用自掺杂硅锗/硅多量子阱热敏材料
176 一种制作在锗硅外延层上的隧穿晶体管及其配方技术
177 绝缘体上锗硅的形成方法
178 铥钬共掺杂锗硅玻璃上转换发光材料、配方技术及应用
179 一种制备三维有序大孔锗硅、锗铝异质薄膜材料的离子液体电沉积方法
180 击穿电压为7-10V锗硅异质结双极晶体管及其配方技术
181 一种磁性锗硅GeSi量子环及其配方技术
182 锗硅异质结双极型三极管器件的制造方法
183 锗硅HBT和CMOS器件集成的制造方法和器件结构
184 锗硅HBT器件的集电区引出结构及其制造方法
185 锗硅HBT的集电区引出结构及其制造方法
186 自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其配方技术
187 自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其配方技术
188 自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其配方技术
189 自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其配方技术
190 金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管及其配方技术
191 金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管及其配方技术
192 一种锗硅HBT器件及其制造方法
193 一种具有高锗组分的锗硅沟道PMOS的配方技术
194 锗硅酸盐SSZ-75
195 绝缘体上锗硅混合型衬底的配方技术
196 在具有极小尺寸的结构中实现硅化物、锗化物或锗硅化物形成的工艺和放大工艺窗口的方法
197 锗硅BiCMOS中的横向齐纳二极管结构及其实现方法
198 锗硅异质结双极型晶体管及其制造方法
199 锗硅HBT器件及制造方法
200 锗硅BiCMOS工艺中的齐纳二极管及制造方法
201 锗硅异质结双极晶体管结构
202 改善锗硅发射极多晶硅掺杂扩散均一性的方法
203 超高压锗硅HBT晶体管器件的结构及配方技术
204 锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP三极管及制作方法
205 锗硅HBT工艺中的寄生横向型PNP三极管及制造方法
206 基于硅－锗硅异质结的单晶体管ＤＲＡＭ单元及其配方技术
207 锗硅异质结双极晶体管及制造方法
208 改善锗硅膜层厚度均一性的方法
209 锗硅薄膜的形成方法及形成装置
210 锗硅异质结双极晶体管及制造方法
211 一种锗硅异质结双极晶体管及其制造方法
212 具有高击穿电压的锗硅异质结双极晶体管结构及其制作方法
213 超高压锗硅HBT器件及其制造方法
214 锗硅HBT单管结构、其制造方法及锗硅HBT多指结构
215 锗硅选择性外延生长预处理方法
216 锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP三极管及制作方法
217 锗硅功率HBT、其制造方法及锗硅功率HBT多指器件
218 锗硅异质结双极晶体管及制造方法
219 与锗硅异质结NPN三极管集成的PNP三极管的制造方法
220 锗硅HBT器件及其制造方法
221 绝缘体上碳硅-锗硅异质结1T-DRAM结构及形成方法
222 具有深赝埋层的锗硅HBT器件及其制造方法
223 形成绝缘体上碳硅-锗硅异质结1T--DRAM结构的方法及形成结构
224 一种高速锗硅HBT器件结构及其制造方法
225 一种锗硅异质结三极管器件结构及其制造方法
226 锗硅BICMOS工艺中垂直寄生型PNP三极管及制造方法
227 锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP三极管及制作方法
228 锗硅HBT器件及制造方法
229 与锗硅异质结NPN三极管集成的PNP三极管
230 锗硅异质结双极晶体管及制造方法
231 锗硅异质结双极晶体管的制造方法
232 锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP三极管及其制造方法
233 与锗硅异质结NPN三极管集成的PNP三极管工艺实现方法
234 锗硅HBT器件及其制造方法
235 锗硅BiCMOS工艺中纵向PNP器件及制作方法
236 一种锗硅异质结隧穿场效应晶体管及其配方技术
237 一种锗硅硼外延层生长方法
238 一种锗硅三极管基区硬掩蔽膜层结构及其制作方法
239 锗硅HBT工艺中的横向寄生型PNP器件及制造方法
240 有赝埋层的锗硅HBT降低集电极电阻的制造方法及器件
241 一种锗硅外延层生长方法
242 锗硅边缘变薄引起的直流电流放大倍数增大的补偿方法
243 锗硅双极CMOS跨多晶硅层的配方技术
244 低噪声的锗硅异质结双极晶体管制作方法
245 锗硅HBT发射极光刻对准精度优化的方法
246 锗硅薄膜监控片的配方技术及采用该片进行监控的方法
247 自对准锗硅异质结双极型三极管及其制作方法
248 锗硅异质结双极型三极管功率器件的制造方法
249 一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法
250 一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法
251 锗硅衬底的生长方法以及锗硅衬底
252 锗硅工艺中监控发射极和基极因接触孔而串通的测试结构
253 形成锗硅沟道以及PMOS晶体管的方法
254 锗硅异质结双极型晶体管的制造方法
255 提高锗硅工艺中光刻对准精度的方法
256 锗硅BiCMOS工艺中的可变电容及制造方法
257 锗硅异质结双极晶体管工艺中可变电容及制造方法
258 锗硅异质结双极型晶体管的基区结构
259 锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP器件及制造方法
260 用于制作嵌入式锗硅应变PMOS器件结构的方法
261 锗硅HBT结构、其赝埋层结构及其制造方法
262 高速锗硅异质结双极晶体管的制造方法
263 高压锗硅异质结双极晶体管的制造方法
264 锗硅异质结NPN三极管器件及制造方法
265 锗硅异质结NPN三极管及制造方法
266 锗硅异质结NPN晶体管及制造方法
267 锗硅异质结双极晶体管及制造方法
268 应用于锗硅工艺中多电源间的静电保护结构
269 基于锗硅工艺平台的静电保护结构
270 一种新式锗／硅雪崩光电检测器设备
271 锗硅HBT的埋层形成方法
272 锗硅异质结双极晶体管多指结构
273 一种高锗浓度的锗硅外延方法
274 降低锗硅外延表面缺陷的方法
275 锗硅异质结双极晶体管
276 锗硅监控片的配方技术及采用该片进行监控的方法
277 锗硅异质结双极晶体管
278 锗硅异质结双极晶体管
279 锗硅BiCMOS工艺中垂直型PNP三极管及制造方法
280 锗硅HBT工艺中的横向型寄生PNP器件
281 具有锗硅外延层的ＰＭＯＳ晶体管的配方技术
282 用于制造锗硅碳器件中的光刻标记结构及其配方技术
283 锗硅BiCMOS工艺中的寄生PNP双极晶体管
284 锗硅异质结双极晶体管的制造方法
285 锗硅异质结双极晶体管及制造方法
286 铋离子掺杂的锗硅酸盐发光材料及其配方技术
287 一种绝缘体上锗硅和应变硅材料的配方技术
288 一种利用层转移技术制备绝缘体上锗硅材料的方法
289 一种高锗组分锗硅虚衬底的配方技术
290 锗硅异质结三极管的版图结构
291 用于锗硅碳器件的光刻标记结构
292 与金属锗硅材料接合的衬底
293 改善锗硅或锗硅碳单晶体与多晶体交界面形貌的方法
294 改善锗硅或锗硅碳单晶与多晶交界面形貌的方法
295 一种非选择性生长锗硅外延的方法
296 应用锗硅工艺的多晶二极管及其制作方法
297 应用锗硅工艺的多晶三极管及其制作方法
298 应用于锗硅三极管的轻掺杂二极管结构
299 锗硅薄膜配方技术以及半导体器件制作方法
300 一种检测锗硅外延缺陷的方法
301 锗硅Ｂｉ－ＣＭＯＳ器件制备工艺
302 锗硅栅极的ＰＭＯＳ的制造方法
303 绝缘体上锗硅衬底的配方技术
304 形成锗硅化物层的方法、半导体装置、制造该装置的方法
305 锗硅ＨＢＴ雪崩外延层有效厚度计算方法及雪崩电流计算方法
306 监控锗硅外延反应腔设备参数变化的方法
307 锗/硅混合集成的波导型光电转换器及其制造方法
308 基于锗硅异质纳米结构的非挥发浮栅存储器的配方技术
309 应变硅晶体管的锗硅和多晶硅栅极结构
310 NPN型的锗硅异质结双极晶体管及其制造方法
311 一种具有内吸杂功能的掺锗硅片及其配方技术
312 监控锗硅外延反应腔基座安装中心化的方法
313 抬高外基区锗硅异质结晶体管及其制备工艺
314 非自对准抬高外基区锗硅异质结晶体管及其制备工艺
315 低位错密度锗硅虚衬底的配方技术
316 具有分开的吸收和倍增区域的锗／硅雪崩光电检测器
317 具有分开的吸收和倍增区域的锗／硅雪崩光电检测器
318 一种多晶锗硅薄膜的配方技术
319 一种多晶锗硅薄膜的配方技术
320 一种多晶锗硅肖特基二极管及其配方技术
321 一种锗硅肖特基二极管及其制作方法
322 一种选择性外延锗硅薄膜的配方技术
323 锗硅肖特基二极管的制作方法
324 基于硅锗/硅结构注氧隔离制备绝缘体上硅锗材料的方法
325 制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法
326 纵向环栅非均匀掺杂锗硅沟道CMOS器件
327 基于注氧隔离技术的绝缘体上锗硅材料及其配方技术
328 具有镍锗硅化物栅极的MOSFET及其形成方法
329 诸如锗硅碳化物波导的波导及其制作方法
330 硅锗/硅的化学气相沉积生长方法
331 3-5μm硅锗/硅异质结内发射红外探测器及其配方技术
332 一种红外探测器用的硅锗/硅异质结材料
333 气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法
334 锗／硅复合纳米晶粒浮栅结构MOSFET存储器
335 硅/锗硅垂直结型场效应晶体管及其制造方法
336 锗硅异质结低正向压降高速二极管
337 锗硅阳极绝缘栅异质结晶体管
338 一种获得低表面分凝硅/锗硅异质结构的外延生长方法
339 锗/硅红外光学镜头(片)镀类金刚石碳膜的方法
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,完整内容都包括具体的配方配比和生产工艺制作过程。收费280元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263
