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铟合金配方生产工艺技术

发布时间:2019-11-22   作者:admin   浏览次数:85

1、一种铟镓锡合金配方生产工艺技术
   [简介]:一种铟镓锡合金,属于冶金技术领域,该合金按质量百分比为:铟49.77%、镓33.28%、锡11.25%、其余为杂质。本技术的优点:具有高强度、高射线不透性。
2、一种稀土铟合金配方生产工艺技术
   [简介]:本技术提供了一种稀土铟合金,至少包括组分A和组分B,所述组分A和组分B组成二元或多元稀土铟合金;其中,所述组分A为铟,所述组分B为铥、镥、钪、铽、钇、镝、钬中的一种或多种。本技术提供的稀土铟合金既能均匀摊薄附着在玻璃、陶瓷等氧化物上且具有较强附着力,又具有较高熔融温度。
3、新型特种铝铟(Al-In)合金
   [简介]:本技术具体是一种新型特种铝铟(Al-In)合金,包括合金组成成分,生产工艺和生产设备。真空熔炼,通过半连续浇铸系统浇铸成型,再经过热处理、压力加工工序,从而进行生产出高质量的铝铟合金。所生产出的铝铟合金,成分均匀稳定、使用性能良好,生产工艺合理,生产效率高,填补了国内生产铝铟合金的空白。可应用于高速轴承涂层,液晶板涂层,太阳能电池,核动力调节剂,光电池,晶体管的制作与生产。
4、一种优化的铋铟汞合金
   [简介]:本技术提供了低气压汞放电灯使用的一种优化的铋铟汞合金,铋铟汞的质量比为:Bi:In:Hg=71~80:16~24:5~8,其中:铋和铟的质量比满足:铋Bi/铟In>3.0,铟和汞的质量比满足:铟In/汞Hg<5.0。该铋铟汞合金同时具有三大优点:1、提高峰值和拐点处汞蒸气压值,整体提高其工作温度区域内的汞蒸气压,满足小管径节能灯的要求,工作范围宽。2、“汞合金光衰”相对小。3、汞合金熔融温度高于或接近△T95的最高工作温度。
5、一种锡-铟合金电镀液
   [简介]:本技术提供了一种锡-铟合金电镀液,其包含一种水溶液,所述水溶液包含偏锡(Ⅳ)酸盐,有机羧酸的三价铟盐或磺酸的三价铟盐,螯合剂和pH值为8~10的苛性碱。本技术所提供的一种锡-铟合金电镀液,在储存运输和使用过程中性能稳定,电镀后形成有优异光滑性和亮度的点镀膜,镀层的韧性有明显的改善。
6、高强锡铟合金镀层轴瓦
   [简介]:本技术提供了一种高强锡铟合金镀层轴瓦,包括依次设置的钢背层、基底层、镍栅层和减摩层。特点是:减摩层由锡铟合金构成,按元素百分含量计算,锡铟合金配比是铟2~20%,其余为锡。本技术高强锡铟合金镀层轴瓦与公知技术同类产品比较具有耐磨、耐腐蚀、承载能力高、不含铅而环保的优点。
7、铜铟合金配方生产工艺技术
   [简介]:本技术提供一种铜铟合金配方生产工艺技术,包括步骤:将单质铜和单质铟按重量比装入反应容器内;将反应容器抽真空;将抽真空后的反应容器密封;将密封后的反应容器放入加热炉内进行加热至铜铟二元合金固溶相温度以上,使得反应容器内的单质铜和单质铟进行合成反应,以获得熔融的铜铟合金液;合成反应结束后直接从加热炉内取出反应容器并使反应容器急冷,以使反应容器内的熔融的铜铟合金液急冷成型为铜铟合金块;以及将反应容器破开,取出铜铟合金块。本技术在制备工艺以及所制备的铜铟合金性能方面均得以改善。
8、铜铟镓合金配方生产工艺技术
   [简介]:本技术提供一种铜铟镓合金配方生产工艺技术,包括步骤:将单质铜、单质铟、和单质镓按配比装入反应容器内,其中以摩尔计,单质铜、单质铟、单质镓之间的配比为1:(0.7~0.6):(0.3~0.4);将反应容器抽真空;将抽真空后的反应容器密封;将密封后的反应容器放入加热炉内进行加热至铜铟镓三元合金固溶相温度以上,使得反应容器内的单质铜、单质铟、以及单质镓进行合成反应,以获得熔融的铜铟镓合金液;合成反应结束后直接从加热炉内取出反应容器并使反应容器急冷,以使反应容器内的熔融的铜铟镓合金液急冷成型为铜铟镓合金块;以及将反应容器破开,取出铜铟镓合金块。本技术在制备工艺以及所制备的铜铟镓合金性能方面均得以改善。
9、铟锡合金真空蒸馏分离铟和锡的方法
   [简介]:本技术涉及一种铟锡合金真空蒸馏分离铟和锡的方法。将成分为In 40~99%,Sn 1~60%的铟锡合金物料加入真空炉内,控制炉内真空度,温度和蒸馏时间,使金属铟 和锡分离。其处理对象可为有色金属冶炼过程中产生的铟锡合金、铟锡渣等。通过真 空蒸馏,其金属铟中的含锡量小于0.5%,金属锡中的含铟量小于0.5%,金属总直收 率大于99%。该过程中所无需添加任何试剂,工艺简单,金属直收率高,电耗小于 10KW•h/kg。
10、一种从铟锡合金中回收金属铟和锡的方法
   [简介]:本技术属于冶金领域,尤其涉及一种用于回收铟锡合金中的金属铟和金属锡的方法,利用铟和锡元素的活泼性不同,先将因锡合金放入工业硫酸中,待合金中铟完全溶出后,用粗铟对锡进行置换,待锡被完全置换后,用锌锭对溶液中铟进行置换,然后在对置换出的锡和铟进行进一步的精炼和提纯,回收高纯度的金属铟和金属锡,本技术能够有效快速的回收铟锡合金中的金属铟和金属锡,不会对环境造成污染,且回收的金属铟和金属锡的纯度很高,粗铟中铟含量能达到In≥99%、粗锡中锡含量能达到Sn≥99%。
11、一种镓镁合金或者铟镁合金的生产方法
   [简介]:本技术提供了一种镓镁合金或铟镁合金的生产方法,将金属镓和金属镁或者金属铟和金属镁按照一定比例配料,置入石墨坩埚,装入真空炉中,密封,抽真空到低于10-4Mpa,停止抽真空,接着充入氢气,再抽真空(真空度同前)后,再通入氢气10-30min后,升温到500-700℃,待石墨坩埚中两种金属融熔后,开始搅拌,20-40min后,停止搅拌,并停止加热,待冷却到50℃以下,即可出炉。
12、生产铝铟合金的半连续浇铸装置
   [简介]:本技术提供了一种生产铝铟合金的半连续浇铸装置,包括炉盖、炉体、中频线圈、坩埚、中间包、结晶器、可开闭式密封门和牵引装置;其中,所述炉盖设置在炉体上方,所述中频线圈设置在所述炉体内侧壁上,所述坩埚设置在所述中频线圈内,所述中间包设置在所述中频线圈及所述坩埚的下方,所述中间包设置有通孔,所述结晶器与所述中间包的通孔相连通,所述可开闭式密封门设置在炉体底部外侧,所述牵引装置通过所述可开闭式密封门的开闭安装到所述结晶器的下端,所述牵引装置设置在所述可开闭式密封门的下方。采用本技术的半连续浇铸装置实现连续作业,极大地提高了生产效率,所合成的铝铟合金不仅成分均匀稳定、而且使用性能良好。
13、一种中频反应磁控溅射铟锡合金靶
   [简介]:本技术涉及一种中频反应磁控溅射铟锡合金靶,属于真空镀膜技术领域。它包括基材、真空镀膜室、等离子体,在真空镀膜室中两侧设置有反应气体入口,在真空镀膜室内设置有屏蔽罩,孪生靶位于屏蔽罩内,在真空镀膜室上设置有工艺气体入口和光学探头,所述光学探头与光电转换系统连接,光电转换系统与压电系统连接;中频电源与孪生靶连接。若采用合金靶可提高靶材利用率,废旧靶材还可回收利用,大大提高了生产成本;对合金靶采用孪生靶位,并对其采用中频反应磁控溅射方法可有效防止靶材节瘤,中毒现象。保证了镀膜过程的稳定性,提高了成膜质量。
14、一种镓镁或铟镁合金合成炉
   [简介]:本技术一种镓镁或铟镁合金合成炉,包括箱体、炉体、真空系统、电源系统和控制柜,所述炉体架设在所述箱体上,所述电源系统通过电缆与所述控制柜相连,所述控制柜通过导线与所述箱体的内加热系统连接,所述真空系统包括真空泵、过滤器和还原性气体进气阀,所述真空泵和过滤泵依次通过管道与所述炉体连接,所述过滤器和所述炉体的连接管道上设有还原性气体进气阀;本技术在传统真空合成炉的基础上,在真空环境中冲入还原性气体,以还原性气体置换出空气,故金属在还原性气体环境中即使高温也不会挥发,还原性气体也避免了氧化现象的发生,得到的产品合金成分符合工艺要求,合格率大大提高。
15、锡铟合金镀层铜线专用生产装置
   [简介]:本技术提供了一种锡铟合金镀层铜线专用生产装置,具备产品镀层厚度均匀、外观光洁,附着性好等特点;生产过程能耗低、污染小。包括保温箱体,还包括设置在保温箱体一侧的助焊槽,所述的助焊槽内设置有助焊夹持工具,所述的保温箱体内腔设置有加热温控装置,保温箱体与加热温控装置之间填充有耐温材料,所述的保温箱体内腔的上端设置有锡缸,还包括末端设置在锡缸液面线以下的线材定位装置,还包括一通过模具固定装置设置在锡缸液面线以下的抹锡定径模具,所述抹锡定径模具包括一模套和一钻石材质的圆柱形通孔模芯。所述的线材定位装置末端高度可调。所述的线材定位装置末端呈水滴型。
16、一种Ti-Ni基记忆合金表面镀铟方法
   [简介]:本技术涉及一种Ti-Ni基记忆合金表面镀铟方法,属于Ti-Ni基记忆合金表面处理技术领域。该方法包括:(1)将Ti-Ni基记忆合金工件打磨,除锈后,进行电净处理;(2)活化处理;(3)镀镍,得镀镍Ti-Ni基记忆合金;(4)再镀铟,得镀铟Ti-Ni基记忆合金。本技术均为在室温下进行,处理过程也没有明显温升,满足某些记忆合金成品工件对温度的要求。本Ti-Ni基记忆合金镀铟工艺操作简单,性能稳定,镀层硬度低,满足了某些管路特高密封连接中对镀层硬度的要求。
17、钼合金膜及铟氧化膜的蚀刻液组合物
   [简介]:本技术涉及一种钼合金膜及铟氧化膜的蚀刻液组合物,尤其是一种用于钼合金膜、铟氧化膜或钼合金膜和铟氧化膜的多重膜的蚀刻液组合物,基于整体组合物总重量,其包含:5%至25%重量百分比的过氧化氢,0.1%至2重量百分比%的腐蚀抑制剂,0.1%至2%重量百分比的全氟化合物,0.1%至2%重量百分比的全氯化合物,0.1%至5%重量百分比的双氧水稳定剂及使整体组合物的重量百分比达到100%的水。本技术的目的在于,对用于TFT-LCD像素电极上的钼合金膜、铟氧化膜或钼合金膜与铟氧化膜的多重膜进行蚀刻时,控制析出物的生成,提高蚀刻设备的耐久性,可最大程度地减小对用于TFT源极和漏极的铜的腐蚀。
18、翻新含有铜和铟的合金溅射靶
   [简介]:本技术涉及一种翻新溅射靶的方法,所述方法包括:提供包含温度敏感性合金并具有靶材已消耗的区域的溅射靶;提供具有包含所述期望的温度敏感性合金的第一相的粉末到所述表面上;以及在低于损坏所述温度敏感性合金的温度下将所述粉末压制在所述表面上,以形成翻新的靶。
19、一种铟合金板配方生产工艺技术
   [简介]:本技术涉及到金属制造业,尤其涉及一种铟合金板配方生产工艺技术,其特征是将铟熔化,按比例加入锌、铋、镁,至完全熔化且均匀,冷却后浇锭,然后将铟合金锭在专用轧制机组进行连续轧制,按照规定的轧制比和速度,从粗开坯到精轧,经过数道工序的连续轧制,最后滚压防护膜、切边、整形、打卷成型。此合金板具有抗氧化能力强、柔韧性好、可随建筑物的具体形状进行随意弯曲、施工方便、简易等特点。广泛用于军事、民用等各类建筑设施的防护。可有效防止各类射线及噪音,同时起到防漏和隔热的作用,可实现无污染的100%回收再利用,符合环保概念。
20、一种铜铟基块状非晶合金
   [简介]:本技术涉及一种铜铟基块状非晶合金,其特征在于化学式为(CuInx)aCubTmc,其中x为原子分数,范围为x=0.8-0.95,a、b,c为原子百分数,取值范围为a=35-85%;b=9-17%;c=12-25%;Tm是Fe、Al、Ni、Mn中一种元素或几种元素的组合。本技术具有较高的非晶形成能力,并且具有较宽的成分范围。
21、一种铜铟合金配方生产工艺技术
   [简介]:一种铜铟合金配方生产工艺技术,将单质铜和铟破碎后按重量比配比配料,将配好的混合料装入洁净的高纯石墨坩埚中,将石墨坩埚置于石英管中,装炉后向石英管中通入氮气,在氮气保护下加热升温,在650~1200℃下恒温0.5~4.5小时后形成合金,然后降温,停止通氮气,出炉。本技术为制备铜铟合金提供了一种选择。由本技术方法制备铜铟合金,设备投资少、工艺流程简单、产品杂质含量低、性能一致性好、质量高。
22、一种铜铟镓硒合金配方生产工艺技术
   [简介]:一种铜铟镓硒合金配方生产工艺技术,将单质铜、铟、镓及硒破碎后按质量比取料,铜、铟、镓混合配料后装入洁净的大石英舟,硒单独装入另一小石英舟,再将两个石英舟依次水平置于石英管内,对石英管进行抽真空操作后封闭石英管,将石英管平置于加热炉中加热升温和恒温,加热方式为同步分段加热和恒温,低温段恒温温度为500~800℃,高温段恒温温度为800~1200℃,即加热炉分为两段温区,恒温10~20小时后降温至室温后出炉,即得铜铟镓硒合金。由本技术方法制备铜铟镓硒CIGS合金,设备投资少、工艺流程简单、产品杂质含量低、性能一致性好、质量高。
23、一种锡铟合金的分离方法
   [简介]:一种锡铟合金的分离方法,包括如下步骤:在温度为850~1250℃条件下,将纯度93~98.5%的工业氧气喷射到锡铟合金表面,使锡铟合金全部氧化为三氧化二铟与二氧化锡粉尘,将三氧化二铟和二氧化锡粉尘在常温常压、始酸为80~100克/升的条件下,浸出3~5小时,过滤,得到的滤渣进行还原熔炼产出粗锡,滤液进行常规P204萃取、盐酸反萃取、锌锭置换生产粗铟。采用本技术能够安全、高效、快速实现锡铟合金中锡与铟的分离回收。
24、一种铜铟镓硒合金配方生产工艺技术
   [简介]:本技术提供了一种铜铟镓硒合金配方生产工艺技术,包括以下步骤:步骤a、混合,将铜、铟、镓、硒四种原料按照摩尔比1:0.6~0.9:0.3~0.6:1.9~2.2混合均匀;步骤b、封装,将铜铟镓硒的混合料装入反应釜内,抽真空后向反应釜内充入氩气后,封闭反应釜;步骤c、加热,将反应釜放入加热炉中,升温至反应釜的温度达到300℃时,反应釜随加热炉开始摇摆运动,直至反应釜温度升至1250℃,恒温保持2~6小时;步骤d、降温,待反应釜温度降低至室温,加热炉停止运动,打开反应釜放出氩气,取出反应釜中的合金,即得到铜铟镓硒合金。上述铜铟镓硒合金配方生产工艺技术,避免因泄露而造成的对设备和环境的污染;使铜铟镓硒能够充分反应;降低了**概率和强度。
25、一种铜铟镓硒合金的制备工艺
   [简介]:本技术涉及一种铜铟镓硒合金的制备工艺。其特点是,包括如下步骤:首先取In2Se3粉末、Ga2Se3粉末和铜粉末,按照In2Se3∶Ga2Se3∶Cu=1∶1~2∶1~8的摩尔比混合均匀后,填充于模具内,然后放入坩埚中,再将坩埚放在真空炉内进行热熔,控制温度1100℃~1300℃,保温40min~90min,然后再充入氩气加压至0.5~1大气压,最后出炉即得。本技术的优点是合理的选择了合金原料及组分,保证了后续铜铟镓硒靶材的顺利合成,并且产品的均匀性和织构等各项性能都很好。
26、一种优化的铋锡铟汞合金
   [简介]:本技术涉及一种固态汞合金材料,具体是低气压汞放电灯用一种优化的铋锡铟汞合金, 同时满足以下特性:1.熔融温度高于或接近ΔT95的最高工作温度。2.对于直径φ<10mm 的灯管,工作温度区域为90-133℃,ΔT95>30℃。3.不含铅。4.保证性能前提下汞的质 量含量最大化,使用成本低,容易放置。铋锡铟汞合金中铋的质量含量为:38-46%,锡的质 量含量为:47-55%,铟的质量含量为:5.3-9%,汞的质量含量为:1.3-2.6%,铋锡的质量 比:铋Bi/锡Sn<1。使用该汞合金的灯发光效率高,一致性好
27、一种小管径用铋锡铟汞合金
   [简介]:本技术涉及一种固态汞合金材料,具体是低气压汞放电灯用一种小管径用铋锡铟汞合 金,同时满足以下特性:1.熔融温度高于或接近ΔT95的最高工作温度。2.对于直径φ <10mm的灯管,工作温度区域为90-133℃,ΔT95>30℃。3.不含铅。4.保证性能前提 下汞的质量含量最大化,使用成本低,容易放置。铋锡铟汞合金中铋的质量含量为:58-66%, 锡的质量含量为:25-32%,铟的质量含量为:6.4-9.5%,汞的质量含量为:1.6-2.8%,其 中铋锡的质量比:铋Bi/锡Sn>1.85。使用该汞合金的灯发光
28、一种铜铟合金墨水配方生产工艺技术及应用
   [简介]:本技术提供了一种铜铟合金墨水配方生产工艺技术,包括如下步骤:(1)将氯化铜和氯化铟在80~200℃下溶解于乙二醇中,再缓慢滴入硼氢化钠的乙二醇溶液并进行反应,通过离心、洗涤、干燥,得到铜铟合金纳米颗粒;(2)按体积比,乙二醇∶甲醇∶乙二醇甲醚为2~8∶1∶2~6配制溶剂,将步骤(1)得到的铜铟合金纳米颗粒按质量比,铜铟合金纳米颗粒∶溶剂为1∶2~8分散在溶剂中,并超声分散均匀,得到铜铟合金墨水。本技术还提供了所述铜铟合金墨水在制备硫铟铜薄膜或硒铟铜薄膜的应用方法。本技术方法用低成本化学法合成铜铟合金纳米颗粒;制备的薄膜表面致密平滑,烧结后的薄膜晶粒尺寸较大,薄膜没有明显的杂相。
29、一种铜锌镍钴铟合金及其制造方法
   [简介]:一种铜锌镍钴铟合金及其制造方法,包括下述重量百分比的原料:铜Cu: 43~65%、锌Zn:28~45%、镍Ni:1~15%、钴Co:0.3~4%、铟In:0.1~2%、 锰Mn:0.08~4%、硅Si:0.05~0.3%、锡Sn:0~2%、银Ag:0~2%、以及由 铈Ce与镧La以重量比2∶3的比例混合而成的Re:0.03~0.07%。其中将高熔 点金属镍、钴与铜熔炼成中间合金A,将脱氧元素硅、锰与铜熔炼成中间合 金B,将易氧化金属铈、镧与铜在真空炉中熔炼成中间合金C,将铜在中频炉 中熔化后加入中间合金A
30、一种从ITO废料中回收铟锡合金的方法
   [简介]:本技术涉及从使用过的ITO(铟锡氧化物)溅射靶材或制造ITO靶材时产生的ITO边角料等ITO靶材废料中回收金属铟锡的方法。本技术将ITO废料进行电解来回收金属铟锡合金,特别是将ITO废料作为阴极直接进行电解来得到铟锡合金。电解过程可以在任何能够实现阴、阳极反应宏观上分开进行的电化学的装置中进行。方法简单,回收率高。
31、铟及其合金板带材热轧润滑剂
   [简介]:本技术的铟及其合金板带材热轧润滑剂,采用10号工业白油作为基础油;复合多种添加剂包括:抗磨剂、油性剂、抗氧防腐剂、抗泡剂、抗氧剂、金属减活剂、分散剂、摩擦改进剂。本润滑剂具有良好的冷却、润滑性,适度的热分解性,对轧辊及相关设备无腐蚀、无味、无毒,使用周期长,具有较好的抗高温性能,维护管理方便等特点。
32、一种铋铟汞合金及其制作方法
   [简介]:一种铋铟汞合金,包括其组分和各组分的重量百分含量是(%):铋23~78、铟21~45、汞12~18、碳:≤2.5、锰≤2.1、铜≤1.9和铁:余量。一种铋铟汞的制作方法:包括下列步骤:1、铋矿石15-23kg、方解石8-11kg和铟矿石7-11kg在三辊磨机中混合球磨至500目粒度后备用。2、将粉末放入反应釜中,然后加入波美度43的硅酸钠和水30kg,然后搅拌。3、搅拌后放入脱氧剂进行脱氧处理,时间2小时,然后经过袋滤器过滤,得到的不能滤物质中,加入二苯酸钾,加热经过减压滤罐,加入防腐剂。本方法制作的铋铟汞合金能显著改善灯丝金属的质地,提高其使用寿命。
33、极细镀银锡铟合金导体配方生产工艺技术
   [简介]:本技术提供了一种极细镀银锡铟合金导体配方生产工艺技术,属于导电材料技术领域,解决了现有技术所存在铜合金材料在制作铜导线时拉伸强度低、导电性能差,到镀锡铜线只能提高焊接性能而不能提高导电和耐磨性能的技术问题。它包括在99.9%以上的低氧铜或无氧铜中添加质量百分比为0.8%-1%的锡和0.15%-0.25%的铟,然后在熔炉中进行熔炼;通过连续定向凝固法得到表面呈镜状的铸坯,拉伸至直径为线状合金导体;镀金处理;镀后处理步骤,得到极细镀银锡铟合金导体。本技术制备的合金材料强度高、导电率高,强度在850-890MPa、导电率达到75-78%;。
34、铟及其合金板带材冷轧润滑剂
   [简介]:一种铟及其合金板带材冷轧润滑剂,采用聚a-烯烃作为基础油,复合多种添加剂而调配制成。添加剂包括:抗磨剂、油性剂、抗氧剂、抗泡剂、分散剂、摩擦改进剂。它的粘度较低,可以加快冷却过程;氧化稳定性优异、摩擦力适当;退火时不形成污痕;高闪点,抛光作用良好,可保持高的光洁度;不粘轧辊且容易过滤。
35、铟及其合金箔材冷轧润滑剂
   [简介]:一种铟及其合金箔材冷轧润滑剂,采用7号工业白油作为基础油,配合多种复合添加剂,包括抗磨剂、油性剂、抗氧防腐剂、抗氧剂、抗泡剂、金属减活剂、摩擦改进剂。本润滑剂有良好耐负荷性、压下性及安定性,不产生退火污斑;同时,提高工艺润滑性能,增加变形区内油膜强度,降低摩擦系数,组成和性能稳定;不易发生轧件与轧辊热粘结现象,具有清洁和冲洗性能;对金属和设备无腐蚀,无毒性,无刺激性气味。
36、铜铟镓硒合金配方生产工艺技术
   [简介]:本技术提供了一种铜铟镓硒合金配方生产工艺技术,步骤包括:按重量份数比选取铜、铟、镓原料并破碎成粗粉并混合均匀;进行气流磨制;将气流磨制后的混合粉末装入反应釜中,抽真空后向反应釜内充入氩气;将所述反应釜升温至300~400℃;将所述反应釜升温至600~800℃;将所述反应釜升温至900~1100℃;冷却所述反应釜至80~100℃,得到铜铟镓合金;将所述铜铟镓合金与硒粉分别装入石英管的两端,并对石英管进行抽真空操作;采用管式炉对装有铜铟镓合金一端加热至1050~1100℃,并保持这个温度;管式炉加热装有铜铟镓合金一端的同时加热装有硒粉一端;使铜铟镓与硒在800℃下反应20~30h;关闭管式炉,停止加热,冷却至室温,得到铜铟镓硒合金。本技术缩短了反应时间,利于工业化生产。
37、一种镓及镓铟合金纳米棒配方生产工艺技术
   [简介]:本技术提供了一种镓及镓铟合金纳米棒配方生产工艺技术,属于纳米粒子的制备技术领域。本技术按照1g液态金属对应20mL分散介质投料,分散介质为乙醇与去离子水的混合液;使用探头式超声破碎仪进行超声破碎,超声功率控制在600~800W,时间为2~4h,期间注意补充因超声空化损失的分散剂;超声结束后,将获得的分散系静置10~14h,使其充分老化;将老化后的分散系在1000*G下离心3min,取上清液,上清液中即包含制备的镓基液态金属纳米棒。本技术充分利用物理破碎的方法,直接获得镓基液态金属纳米棒,纯物理过程,无主要化学反应,制备过程安全、高效、快速,且获得的液态金属纳米棒方便作为基底或“积木”进行进一步的操作。
38、一种铜铟镓合金靶材配方生产工艺技术
   [简介]:本技术提供了一种铜铟镓合金靶材配方生产工艺技术,采用低温制备技术,将熔点较低的单质铟和单质镓混合熔炼,其所需熔炼温度低,可有效抑制和减少铟和镓的挥发,减少铟和镓的熔炼损失,保证最终制备的靶材的组分含量达到设计要求;该制备方法操作方便、简单,有助于降低靶材的生产成本,其将单质铜粉加入到载气中,直接作为合金中铜元素的来源,载气中加入的单质铜粉的密度高于单纯的载气,可形成较高的动能,在气流撞击液流的过程中,可以实现液流的细化和分散,同时,铜粉撞击液流所形成的动能也较高,使铜易于与铟或者镓形成合金化合物,确保最终得到的合金靶材的组分及性能的均匀性,制备得到的合金靶材致密度高,晶粒尺寸小,电阻率达到要求。
39、锡铟合金镀层铜线及其生产方法
   [简介]:本技术提供了一种高性能、低成本的合金镀层铜线及其生产方法,所得产品导电性、导热性、可焊性、延展性、抗拉性、耐高温、高频特性、耐腐蚀、抗硫化性与镀银铜线相当,还具备镀层厚度均匀、外观光洁,附着性好等优点;生产过程能耗低、污染小。所述锡铟合金镀层铜线包括无氧铜线线芯,所述的无氧铜线线芯外以含铟量8‰的锡铟合金材料镀制有锡铟合金镀层。本技术还提供了上述锡铟合金镀层铜线的生产方法,包括制作铜杆、拉拔、表面清洁、退火、冷却、清洗、酸洗﹑热镀锡等工艺步骤。
40、一种含有金属铟的汽车铝合金
   [简介]:本技术提供了一种含有金属铟的汽车铝合金,其各元素按质量百分比组成为:In0.015-0.025、Mg0.5-0.7、Cu0.15-0.3、Ga0.1-0.2、Ti0.05-0.15、Bi0.4-0.7、Sn0.04-0.08、Nb0.03-0.06、Mn0.1-0.15,Fe0.1-0.2、余量为Al和杂质。本技术含有各种掺杂元素,尤其含有金属铟,经过一系列的铸造工艺,使得本技术具有很好的机械性能,易加工,寿命长。
41、一种铜铟镓合金配方生产工艺技术
   [简介]:本技术提供了一种铜铟镓合金配方生产工艺技术,该合金由Cu51wt%、In39wt%以及In10%组成,且该合金的核心相为Cu3Ga和Cu11In9。所述方法以高纯度的铜、铟和镓为原料,通过高真空熔炼的方法,获得了铜铟镓合金。本技术的铜铟镓合金纯度高,且配方合理、新颖,可作为溅射靶材或蒸发料,一步镀膜形成CuInGa层,然后再通过硒化或硫化的方法生成CIGS薄膜,并且该铜铟镓合金可通过非常简便的方法获得。本技术的铜铟镓合金配方生产工艺技术简单,且获得的铜铟镓合金的成分及组织均匀。
42、低气压气体放电灯用的铋铟汞合金
   [简介]:本技术提供了一种低气压气体放电灯用的铋铟汞合金,铋铟汞的质量比为:Bi∶In∶Hg=66-82∶15-28∶3-8。本技术的铋铟汞合金,在工作温度区域能更稳定地控制灯内汞蒸汽压在1.0Pa附近,使管壁温度高的低气压气体放电灯在70-110℃具有更稳定的汞蒸汽压,从而获得更高的发光效率,提高产品的稳定性、一致性,而且由于铟含量减少,铋铟汞合金成本降低。
43、铝-锌-铟三元铝合金牺牲阳极
   [简介]:本技术涉及一种阴极保护技术领域中的牺牲阳极保护用铝合金材料,特别是一种铝-锌-铟三元铝合金牺牲阳极,制备时用石墨坩埚盛铝锭,在加热炉中将铝锭溶化,在铝液中添加锌和铟,用石墨棒搅拌,除渣,出炉浇铸而成,铝合金阳极所含成份的重量百分配比为:铝(Al):93.000-97.300%;锌(Zn):2.500-7.000%;铟(In):0.010-0.025%;其杂质含量:铁(Fe)≤0.12%;硅(Si)≤0.12%;铜(Cu)≤0.005%,其阳极材料组成简单,生产成本低,工艺简便,杂质成份少,电化学性能高,表面溶解均匀,可替代现有的应用阳极材料。
44、锡-铟合金电镀液配方生产工艺技术
   [简介]:本技术提供了一种用于取代锡/铅合金的无氰锡/铟合金电镀液配方生产工艺技术。锡/铟合金电镀液为一种用于锡/铟合金电镀的弱碱性水溶液,它是通过以下过程制备的,添加作为金属盐的偏锡(Ⅳ)酸盐、有机磺酸的三价铟盐,再加入一种螯合剂,用苛性碱将水溶液的pH值调节至7~11。
45、铟锌合金真空蒸馏脱锌的方法
   [简介]:本技术提供一种铟锌合金真空蒸馏脱锌方法。其要点是采用铟锌合金或金属粗铟为原料,原料中锌的含量从50%到0.5%,经过真空蒸馏,可以使铟中锌的含量达到0.001%,适当延长处理时间和温度,还可以降低铟中锌的含量。控制蒸馏温度在700~1000℃,真空度低于10Pa,处理时间1~5小时,杂质锌的含量可降至高纯铟的含锌量的要求。该技术用于粗铟或铟锌合金脱锌,制备精铟,环境污染小,劳动强度低,金属铟的生产成本低,金属回收高。
46、铜铟镓硒合金配方生产工艺技术
   [简介]:本技术涉及一种铜铟镓硒合金配方生产工艺技术,其包括如下步骤:S1:投料;S2:抽真空除氧;S3:加热;S4:降温。本技术铜铟镓硒合金配方生产工艺技术采用与现有技术不同的制备工艺,克服现有技术存在的缺陷,所制备得到的铜铟镓硒合金产品收率高、杂质含量少,符合技术发展的趋势。
47、一种利用铜铟镓硒合金溅射靶材生产铜铟镓硒薄膜的方法
   [简介]:本技术提供了一种利用铜铟镓硒合金溅射靶材生产铜铟镓硒薄膜的方法,包括以下步骤:以铜铟镓硒合金作为靶材在基底上溅射形成第一贫铜层;以铜铟镓硒合金作为靶材在第一贫铜层上溅射形成富铜层;以铜铟镓硒合金作为靶材在富铜层上溅射形成第二贫铜层,即得。该生产方法将共蒸镀三步工艺法和非真空内部吸收层连结结构法结合,不仅能够显著的提升原材料利用率、成本低,而且溅射工艺过程中沉积速率快,同时还将在铜铟镓硒吸收层中形成优化的镓梯度结构和纳米畴p-n结内吸收层连结结构IAJ,生产出的铜铟镓硒薄膜效率高、面积大、均匀度高。
48、一种利用铜铟镓硒合金旋转溅射靶材生产铜铟镓硒薄膜的方法
   [简介]:本技术提供了一种利用铜铟镓硒合金旋转溅射靶材生产铜铟镓硒薄膜的方法,包括以下步骤:以铜铟镓硒合金旋转溅射靶材作为靶材在基底上溅射形成第一贫铜层;以铜铟镓硒合金旋转溅射靶材作为靶材在第一贫铜层上溅射形成富铜层;以铜铟镓硒合金旋转溅射靶材作为靶材在富铜层上溅射形成第二贫铜层,即得。该生产方法将共蒸镀三步工艺法和非真空内部吸收层连结结构法结合,不仅能够显著的提升原材料利用率、成本低,而且溅射工艺过程中沉积速率快,同时还将在铜铟镓硒吸收层中形成优化的镓梯度结构和纳米畴p-n结内吸收层连结结构IAJ,生产出的铜铟镓硒薄膜效率高、面积大、均匀度高。
49、一种从铟镉锌合金中生产锌锭并回收铟、镉的方法
   [简介]:一种从铟镉锌合金中生产锌锭并回收铟、镉的方法,包括下列步骤:将含In0.1~1.0%、Cd0.2~2.0%、Zn95~99%的锌金属合金,浇铸成阳极后,在硫酸锌-硫酸锂混合溶液体系中电解,得到阴极锌片和阳极泥;阴极锌片熔铸后得到锌锭产品;阳极泥熔化为二次合金;二次合金进行低温蒸馏,得到粗镉产品和低镉合金;低镉合金进行高温蒸馏,得到粗铟产品和低铟合金,低铟合金返回电解处理。本技术工艺流程短、生产效率高、生产成本低、铟镉综合回收高、生产过程清洁环保。
50、银氧化锡氧化铟触头合金材料的制造方法及其所制合金
   [简介]:本技术提供了一种银氧化锡氧化铟触头合金材料的制造方法及其所制合金,该方法包括以下步骤:①熔炼:将配料在预设温度下进行熔炼,在熔炼过程中,持续搅拌;②浇铸成圆锭子,并在其外表面进行车加工;③热轧后接着冷轧,将其轧制成薄片;④在内氧化炉中对薄片进行增氧处理;⑤破碎后高能粉碎处理;⑥热挤压,得到线材坯料;⑦拉拔加工及退火处理;⑧将得到物料作为成品。该合金成分为:Sn:5.1%至6.8%;In.1.50%至3.0%;稀土添加物:1.50%至2.50%;其余为Ag;上述各含量为质量百分含量。本技术具有工艺较为简化、易于施行、产品性能较为优秀的优点。
51、包覆改性锡基或铟基无铅焊料合金粉末的方法
 
52、一种含铟镉银合金废料中回收银的方法
 
53、一种核/壳结构的铝铟锡合金粉体配方生产工艺技术
 
54、去除钛合金零件表面铜-镍-铟涂层的溶液及方法
 
55、耐电迁移银铟合金键合丝配方生产工艺技术
 
56、钼合金膜与氧化铟膜液体腐蚀剂组成物质
 
57、一种铜铟镓硒四元半导体合金配方生产工艺技术
 
58、一种从铅锌基合金渣中分解浸出锗和铟的方法
 
59、一种溅射用铜铟合金靶材配方生产工艺技术
 
60、一种具有铟耐腐蚀膜的铝合金配方生产工艺技术
 
61、一种择优取向的铟锡合金薄膜配方生产工艺技术
 
62、内部氧化的银-锡-铟合金电触点材料及制造方法
 
63、从ITO靶废料回收铟-锡合金的方法、氧化铟-氧化锡粉末的制造、及ITO靶的制造方法
 
64、铟镓合金作为代汞物在氧化层固定电荷测试中的方法
 
65、特别用于溅射靶、管状阴极等的制造的基于铜-铟-镓合金的镀膜材料
 
66、一种用于无汞锌锰碱性电池防气涨的电镀铟合金
 
67、从含锑碲铟锗银的复杂合金中综合回收有价金属方法
 
68、一种铝铟镓氮四元合金薄膜材料的MOCVD外延加工方法
 
69、一种低电阻率铜铟镓硒四元合金溅射靶材配方生产工艺技术
 
70、一种用于镀铜合金铟锡氧化物导电膜的干膜去膜液配方生产工艺技术
 
71、基于喷墨打印的锡铟铋基合金柔性电极配方生产工艺技术
 
72、用于包含Mo和Ti的合金层或氧化铟层的刻蚀溶液组合物
 
73、金-铟金属互化物,由其形成的形状记忆合金及制品
 
74、生产中子吸收元件的含有铟与镉的银基合金及其应用
 
75、含细分散的铋、镉、铟和/或铅的铝合金配方生产工艺技术
 
76、一种处理银铟镉合金回收过程中含镉废液的方法
 
77、一种从废旧无汞碱性锌锰电池中提取铟锌合金的方法
 
78、采用中频反应磁控溅射铟锡合金靶制备ITO膜的方法及系统
 
79、用于铜铟镓硒薄膜太阳能电池的铜镓合金靶配方生产工艺技术
 



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