1、用于碳化硅单晶生长的高纯碳化硅原料的合成方法
[简介]：本技术涉及一种用于碳化硅单晶生长的高纯碳化硅原料的合成方法，包括：配料工序：采用高纯Si粉和高纯C粉为原料，高纯Si粉和高纯C粉的摩尔比大于1∶1且在1.5∶1以下；预处理工序：将高纯Si粉和高纯C粉放入坩埚中，然后置于加热炉中，对加热炉的生长室抽高真空至1×10-3Pa以下，同时将温度升高至600~1300℃；以及高温合成工序：在规定压力的高纯非氧化性气氛下，于反应温度1500~2500℃下，保持反应2~20小时，而后降至室温，即可得到用于碳化硅单晶生长的高纯碳化硅原料。
2、一种低温合成高比表面介孔碳化硅的方法及碳化硅产品
[简介]：本技术提供了一种低温合成高比表面介孔碳化硅的方法及碳化硅产品，其中方法包括，以三嵌段共聚物P123为模板剂，正硅酸乙酯为硅源，糠醇为碳源制备出C/SiO2前驱体；在惰性气体下，将C/SiO2前驱体经镁热还原和洗涤干燥，得到碳化硅材料，晶型为3C?SiC。我方技术提供的低温合成高比表面介孔碳化硅的方法很大程度上降低了制备温度，反应温度可降为700℃以下,能耗明显降低；前驱体制备时间很短，只需4天左右；本技术中前驱体材料选取了互为支撑、交互生长的C/SiO2作为前驱体，由此带来的优势主要体现在反应过程中骨架结构得到最大程度的保留，所制备材料比表面积较大，可达600～800m2/g；碳化硅介孔材料颗粒大小和颗粒分布均匀,尺寸在10～20nm。
3、一种碳化硅晶体生长用大粒径碳化硅粉料的合成方法
[简介]：本技术提供了一种碳化硅晶体生长用大粒径碳化硅（SiC）粉料的合成方法。采用高纯碳粉和高纯硅粉为原料并混合均匀，将混合均匀后的粉末原料分为数份置于坩埚中，每份粉末原料之间用石墨片隔开，将坩埚放入加热炉中，抽真空到炉内部压力小于10?3Pa后，充入压力为1×104Pa～9×104Pa范围内的惰性气体，再将炉内温度由室温升到SiC粉料合成温度并在此温度和惰性气体压力范围内保持5～30小时，然后将炉内温度降至室温，即可得到碳化硅晶体生长用大粒径(SiC)粉料。本技术制备出的大粒径SiC粉料弥补了现有技术合成的SiC粉料粒径偏小的不足，该方法和装置简单、易于推广、适合大规模工业生产。
4、碳化硅晶体生长用高纯碳化硅原料的固相合成方法
[简介]：本技术涉及一种碳化硅晶体生长用高纯碳化硅原料的固相合成方法，包括采用高纯液态或溶胶状态的含硅有机物和高残炭率的有机物为原料、通过液相充分混合后干燥为固相态作为固相合成前驱体的前驱体处理工序。本技术将简单易得的有机物作为碳源和硅源来使用，因此生产成本低，制备工艺简单，能大规模生产；并且采用了液态或溶胶状态的碳源和硅源，通过液相充分混合后干燥为固相态作为固相合成前驱体，保证了碳源和硅源的超紧密接触，克服了传统的固相合成法原料混合反应不均的问题；又，因采用高纯度碳源和硅源，能获得可应用于碳化硅晶体的生长的高纯度碳化硅原料。
5、一种碳化硅基抛光合成纸的制备方法
[简介]：本技术提供了一种碳化硅基合成纸的制备方法。它以碳化硅和聚氨酯为主要原料，将碳化硅粉末与配制的聚氨酯溶液在一定条件下搅拌混合，再通过后续的固化处理成膜得到碳化硅基合成纸。本技术的抛光合成纸产品生产工艺易于控制，使用过程简便。与抛光液、抛光粉相比，本技术的抛光纸可直接应用抛光纸打磨器件表面；操作过程不会对抛光器件表面产生二次污染，器件抛光后无须清洗操作。本技术的抛光合成纸可对器件产生双重抛光作用，抛光质量更优。抛光合成纸产品中的碳化硅颗粒可对器件表面产生机械打磨的抛光作用，有效去除器件表面的沙眼、毛刺等；抛光合成纸中的聚丙烯蜡成分可在抛光过程中对器件产生上光作用。
6、一种基于CFD技术的碳化硅合成炉模拟分析方法
[简介]：本技术涉及一种基于CFD技术的碳化硅合成炉模拟分析方法，包括如下步骤：S1基于待处理的碳化硅合成炉，进行CFD前处理；S2基于CFD的前处理的结果，进行CFD求解；S3基于CFD的求解结果，进行CFD后处理。本技术通过对Acheson碳化硅合成炉内传热传质过程进行模拟，可以确定适合于合成过程的最佳供电参数，最适合生产的配合料的孔隙率。从而可以有效降低能耗、避免喷炉事故的发生。
7、一种高纯、铝掺杂碳化硅粉及其合成方法
[简介]：本技术提供了一种高纯、铝掺杂碳化硅粉及其合成方法，涉及碳化硅半导体材料领域。碳化硅粉纯度高，达到99.999%；采用一次合成方法，工艺流程少，生产设备简单，操作易行，容易实现规模化生产；该方法如果原料硅粉采用掺杂铝的单晶硅或太阳能多晶硅，不但有利于对废弃的单晶硅或太阳能多晶硅的回收利用，防止对环境造成污染；而且得到的碳化硅粉为铝掺杂碳化硅粉，可以作为生产无色透明碳化硅晶体或p型掺杂碳化硅晶体的原料。
8、高纯碳化硅粉体的高温固相合成方法
[简介]：本技术涉及一种高纯碳化硅粉体的高温固相合成方法，包括：配料工序：将高纯Si粉和高纯C粉混合均匀，其摩尔比为1：1~1.5：1；高真空热处理工序：将高纯Si和C粉放入坩埚中，然后置于加热炉中，对加热炉的生长室抽高真空至9×10-4Pa以下，同时将温度升高至600~1300℃，保持2小时以上；惰性气体清洗工序：向生长室中充入第一规定压力的高纯惰性气体，保持1小时以上后，再抽真空至9×10-3Pa以下，该工序重复2次以上；以及高温合成工序：在第二规定压力的高纯惰性气体下，于反应温度1500~2500℃下，保持反应2小时以上，而后降至室温，即可得到氮含量在15ppm以下的高纯碳化硅粉体。
9、一种碳化硅晶须的合成工艺
[简介]：本技术提供了一种碳化硅晶须的合成工艺，包括稻草切碎酸洗、制备稻草炭和高温制备碳化硅晶须等步骤。利用稻草和硅粉可以得到以β型为主的SiCw，晶须以光滑、直晶为主，直径为20~100nm，晶须中含有孪晶等面缺陷。本技术可以提高废弃物稻草的利用率，避免稻草秸秆作为燃料燃烧而产生可吸入颗粒物等污染物的现状。
10、一种引入碳化硅基合成料改善超低碳镁碳材料抗渣性的方法
[简介]：一种引入碳化硅基合成料改善超低碳镁碳材料抗渣性的方法，属于钢铁冶金用耐火材料制备技术领域。本技术将SiO2基天然矿物或废渣与碳源充分混匀后，置于高温炉中，在惰性气氛下制备SiC基合成料；然后按照一定的配比，将SiC基合成料添加到超低碳镁材料原料中充分混合，经成型、干燥、高温热处理后，得到碳化硅基合成料改善的超低碳镁碳材料；最后，采用静态坩埚法进行抗渣性实验。该方法在降低MgO?C材料碳含量的前提下，改善了其抗渣性，达到了炼钢和连铸工艺对相关耐火材料部件的质量要求。工艺简便易行，原料廉价易得，易于实现大批量生产。
11、用于天然气水蒸气重整制合成气反应过程的泡沫碳化硅结构化催化材料及其制备方法
[简介]：一种用于天然气水蒸气重整制合成气反应过程的泡沫碳化硅结构化催化材料，该催化材料具有三维连通网络的多孔结构，由第一载体、第二载体、催化助剂、催化活性组分构成，其中，第一载体为含铜泡沫碳化硅。同时，提供一种制备该催化材料的制备方法，在配制合适的浆料后，通过浸渍浆料或浸渍溶液，在含铜泡沫碳化硅(第一载体)表面负载第二载体、催化助剂及催化活性组分，最后煅烧。该技术工艺简单，无需复杂设备。所制备的泡沫碳化硅结构化催化材料具有热导率高，比表面积高，压降小，抗压强度较高等性能。
12、一种硫化锌(ZnS)包覆碳化硅纳米晶须复合材料的辐照合成方法
[简介]：一种硫化锌(ZnS)包覆碳化硅纳米晶须复合材料的辐照合成方法，具有以下的过程和步骤：(1)、首先在去离子水中，加入嵌段式表面活性剂P123，置于超声波搅拌器中超声10-30分钟；(2)、将经过表面清洁的碳化硅纳米晶须加入到步骤1获得的溶液中，超声分散10-20分钟；(3)、将步骤2获得的混合物中加入浓度10%的精氨酸；随后依次向混合溶液中加入一定量的氯化锌和硫代硫酸钠；(5)、将盛有步骤3所得混合溶液的反应容器密封后进行辐照处理；然后用乙醇洗涤经辐照后的产物，随后再用蒸馏水清洗；然后在高速离心机中离心分离，反复多次，以去除其中未反应的离子及表面活性剂；最后进行真空干燥，干燥后最终制得硫化锌包覆碳化硅纳米晶须复合纳米材料。
13、一种低温合成制备碳化硅陶瓷粉体的方法
[简介]：一种低温合成制备碳化硅陶瓷粉体的方法，包括以下步骤：(1)将水玻璃、偶联剂、聚乙二醇和盐酸依次加入去离子水中，搅拌制成凝胶；经水洗和醇洗后过滤；(2)放入无水乙醇中，在搅拌条件下加入酚醛树脂，搅拌形成糊状体；在65～200℃条件下烘干，冷却至后研磨；(3)放入加热炉中，通入氩气并保持流通；升温到1400～1550℃进行碳热还原反应，随炉冷却；(4)置于电阻炉内，在550～650℃条件下保温使残留的碳去除，随炉冷却至常温后研磨。本技术原料来源广泛，通过催化改性等方式，使硅源和碳源达到原子或分子级别的均匀混合，从而降低碳热还原反应温度，降低生产成本。
14、一种碳化硅纳米粉末合成装置
[简介]：本技术提供一种碳化硅纳米粉末合成装置，包括反应箱、收集箱和油缸，所述收集箱通过螺栓安装在反应箱一侧，所述反应箱内设置有空腔，所述空腔内设置有网孔板，所述网孔板通过支杆焊接在空腔内壁顶部，所述网孔板两侧均焊接有接料板，所述反应箱顶部通过螺栓安装有电机一，所述电机一的输出轴上安装有连接块，所述连接块设置在网孔板顶部，所述反应箱内设置有推动板，所述推动板内安装有加热板，所述油缸内设置有活塞头，所述活塞头顶部设置有活塞杆，所述活塞杆顶部通过螺栓安装在推动板底部，所述油缸底部焊接有放置箱，所述放置箱内安装有齿轮泵，该碳化硅纳米粉末合成装置设计新颖，结构合理，便于操作，适合推广。
15、一种糠醇的合成方法、多孔纳米碳化硅负载铂催化剂
[简介]：本技术提供了一种糠醇的绿色合成路线，所述合成路线采用多孔纳米碳化硅负载铂催化剂，在室温、水溶剂中催化糠醛的选择加氢反应，高选择性地合成所述糠醇。所述多孔纳米碳化硅负载铂催化剂具有较大的比表面积与孔体积，有类似于花菜的形貌结构，铂粒子分布均匀，具有较高的分散度，有利于催化剂活性中心与反应底物的活化，因此在温和的反应条件下(室温、水溶剂)用于糠醛的选择加氢反应时，催化剂的活性高、糠醇的选择性高。本技术还提供了所述多孔纳米碳化硅负载铂催化剂的制备方法，以SiC为载体，以六水合氯铂酸为活性组分前体，经超声浸渍、干燥后在500℃99.999%的高纯氢中还原制备得到催化剂。
16、碳化硅/氮化硅载体及其制备方法、费托合成催化剂及其制备方法和应用
17、镁橄榄石－碳化硅复合陶瓷材料及其合成方法
18、一种合成纳米碳化硅晶须的方法
19、用于合成超高纯度碳化硅的方法
20、一种用于合成气甲烷化的碳化硅基整体催化剂及制备方法
21、一种形貌控制合成链珠状一维碳化硅纳米晶须的方法
22、一种热源并联式碳化硅合成炉
23、绿碳化硅合成工艺方法
24、一种从农业废弃物低温合成碳化硅的方法
25、碳化硅纳米线的电化学合成方法
26、一种利用合成树脂锡盘的碳化硅单晶片化学机械抛光方法
27、碳化硅合成电阻炉
28、绿碳化硅反应混合料及利用其完成的合成工艺及装料隔板
29、微波加热粉煤灰和铝电解废阴极炭块合成碳化硅的方法
30、一种多孔碳化硅材料的合成方法
31、一种提升高纯碳化硅粉料合成效率的方法
32、一步合成碳化硅纤维多孔陶瓷的方法
33、一种碳化硅多孔材料的合成方法
34、碳化硅合成炉专用密封料
35、电阻炉合成单晶碳化硅制备方法
36、一种引入碳化硅基合成料改善超低碳镁碳材料抗热震性的方法
37、微波加热赤泥和铝电解废阴极炭块合成碳化硅的方法
38、一种利用微波原位反应合成p型掺杂碳化硅的方法
39、一种碳化硅尾气回收再利用生产合成氨的方法
40、一种微波辅助低温快速合成纳米氮化硅-碳化硅复合粉体的方法
41、自蔓延高温合成过渡型金属掺杂碳化硅材料的方法
42、绿碳化硅全新料焙烧合成方法
43、一种利用植物纤维合成碳化硅纳米线的方法
44、一种激光熔覆合成碳化硅涂层增强铝基复合材料
45、一种高纯碳化硅原料的合成方法及其应用
46、一种新型有机碳化硅材料LZU111及其合成方法
47、一种直接合成大颗粒碳化硅粉的方法
48、一种无催化剂合成碳化硅纳米针的方法
49、一种制备合成碳化硅猫眼的方法
50、一种添加碳化硅纳米流体的冷却效果优异的水性半合成切削液
51、碳化硅合成炉用砌筑泥浆
52、电阻炉合成单晶碳化硅制备方法
53、碳化硅和/或氮化铝接枝聚苯硫醚树脂及其合成方法
54、碳化硅合成生产中所使用的原材料混料机衬板材料
55、碳化硅合成方法
56、准气相法合成碳化硅纳米粉的方法
57、一种高纯超细碳化硅粉体的湿化学连续式合成方法
58、一种低成本低温合成碳化硅粉料的方法
59、原位合成纳米SiC颗粒增强反应烧结碳化硅陶瓷的方法
60、用于费托合成的覆盖有TiO2的基于碳化硅的催化剂载体
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,内容都包括具体的生产制作过程，收费260元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263
