1、用于晶圆级凸点互连的锡银铜合金电镀液及电镀方法
[简介]：本技术属于电子封装与互连技术领域，提供一种用于晶圆级凸点互连的锡银铜合金电镀液及电镀方法。本技术的锡银铜合金电镀液的成分组成包括锡盐、银盐、铜盐、络合剂1、络合剂2和添加剂。本技术的锡银铜合金电镀液可以有效地解决晶圆级凸点电镀时由电力线分布不均导致的高低电力线区域镀层不均匀问题。所获镀层成分满足SnAgCu共晶成分要求，镀层形貌均匀，晶粒细小致密，性能测试良好。镀液稳定性好，绿色环保，无废水处理问题。
2、一种电镀晶圆划片刀及其制备方法
[简介]：本技术提出了一种电镀晶圆划片刀及其配方技术，属于超硬磨具制造的技术领域，用以解决电镀划片刀中存大颗粒导致在切割中存在异常崩口的技术问题。本技术配方技术包括以下步骤：(1)将金刚石微粉分散在溶剂中，超声配置成分散液，对分散液进行离心，得到上层离心液和微粉样；(2)将上层离心液进行抽滤Ⅰ、清洗和干燥，得到预处理金刚石微粉；(3)将预处理金刚石微粉通过电镀工艺镀覆在基体表面，经后处理，得到成品电镀划片刀；所述分散液包括多元醇和水。本技术能够快速准确的检出并清除金刚石微粉中的大颗粒，使所制备电镀划片刀中金刚石粒径分布均匀，不含有大颗粒。
3、一种晶圆电镀钨合金溶液、配制方法和电镀方法
[简介]：本技术涉及晶圆技术领域，提供了一种晶圆电镀钨合金溶液、配制方法和电镀方法。这种晶圆电镀钨合金溶液包括：钨酸盐类120～960mmol/L、第一稳定剂5.6～87.5 mmol/L、镍盐类90～720 mmol/L、亚磷酸类130～2234 mmol/L、添加剂类0.35～1.5 mmol/L、溶剂为去离子水。本技术中添加剂能够提高电镀溶液稳定性，可以使晶圆镀区沉积的钨合金镀层具有致密无晶态形貌，无针孔，无夹缝，表面平整光滑，可以有效防止因为针孔或者夹缝的缺陷导致信号传输不稳定、电阻大、功率损耗过多等存在的技术难题，进一步提高半导体晶圆芯片产品的稳定可靠性。
4、一种晶圆上剥金速率高度可控的逆电镀剥金剂及使用方法
[简介]：本技术提供了一种晶圆上剥金速率高度可控的逆电镀剥金剂及使用方法，包括0.01%‑10%配位剂，2%‑10%导电化合物，0.01‑2%pH调节剂，剥金时将待剥金的材料作为阳极，通过电化学方法现将材料上的金氧化，并与剥金剂中配位剂结合形成可溶性的金配位化合物，从而将金从材料了剥除，在不使用任何有毒氰化物和强氧化剂的前提下实现了剥金，并使剥金后的材料表面可以维持极低的表面粗糙度，从而获得高平整度的表面。本技术可以通过通知逆电镀剥金剂中配位剂的含量、pH值，剥金时的工作温度以及所施加的恒电流密度，在较宽的范围内对剥金速率实现精确调控，从而实现对不同材料的剥金处理。
5、在半导体晶圆电极表面电镀金属的方法
[简介]：本技术提供了一种在半导体晶圆电极表面电镀金属的方法，它属于Ⅲ‑Ⅴ族有源芯片电镀方法，其减少电镀前需要生长一薄层金作为导电层的过程，减少了金属的浪费；减少电镀过程中光刻工艺和之后清洗工艺，减少了有机溶剂的使用；减少电镀后腐蚀电极之外的薄层种子金的过程，减少了无机化学试剂的使用，简化了工艺流程。它主要包括如下步骤，制作有源器件晶圆需要电镀的电极，即在晶圆的P型区域上形成图形化的SiOx或SiNx的绝缘钝化层和图形化的金属电极；将完成电极制作的有源器件晶圆放置于电镀治具上，电镀治具密封有源器件晶圆N型区域，即N面，有源器件晶圆P型区域，即P面暴露在外。本技术主要用于晶圆电极表面电镀金属。
6、一种晶圆无氰电镀金药液配方及其制备方法
[简介]：本技术提供一种晶圆无氰电镀金药液配方及其配方技术，涉及电镀金技术领域，所述晶圆无氰电镀金药液配方包括第一层膜、第二层膜和第三层膜，所述第一层膜按重量百分比包括下列组分：聚对苯二甲酸乙二醇酯70‑90份，玻璃纤维10‑18份，增韧剂1‑3份，抗氧化剂5‑7份；所述第二层膜按重量百分比包括下列组分：聚对苯二甲酸乙二醇酯50‑60份，阻燃剂20‑25份，稳定剂5‑8份，开口剂3‑6份；所述第三层膜按重量百分比包括下列组分：聚对苯二甲酸乙二醇酯80‑85份。本技术通过第一层膜、第二层膜和第三层膜复合，从而制成晶圆无氰电镀金药液配方，在第一层膜中，本技术加入了玻璃纤维用来提高强度，第二层膜则具有耐火性能高的特点，而第三层膜则能够有效抑制静电，进步性显著。
7、一种晶圆及提升电镀凸块高度均匀性的方法
[简介]：本申请涉及一种晶圆及提升电镀凸块高度均匀性的方法，涉及半导体封装的领域，其包括以下步骤：获取高度差信息；于产品晶圆上溅射形成电镀种子层；形成初始光阻层；于初始光阻层的开口处电镀形成金属垫块；形成最终光阻层，最终光阻层上设置有开口，以露出所有成型金属凸块对应的焊盘；于最终光阻层的开口处电镀形成初步金属凸块，所述初步金属凸块包括铜柱和锡帽，锡帽设于铜柱远离电镀种子层的一侧；去除最终光阻层和电镀种子层；将产品晶圆回流形成成型金属凸块。本申请具有使得电镀完成后回流的不同尺寸之间的电镀凸块最终的高度相同，提高了电镀的金属凸块高度的均匀性的效果。
8、一种晶圆级掩模版及电镀工艺
[简介]：一种尺寸大于晶圆片的晶圆级掩模版，其具有器件图形区、包围器件图形区且直径小于晶圆片的环状保护区，及设于环状保护区外围用于将掩模版固设于光刻机曝光光路上的支撑区；使用该掩模版的电镀工艺为：在晶圆片表面旋涂负性或正性光阻，洗边后使用晶圆级掩模版进行曝光、显影，在环状保护区下方形成包围器件图形层且直径小于晶圆片的环状光阻层；将晶圆片转移至电镀机台，电镀机台的密封压环压接于环状光阻层后，向器件图形层通入电镀液，电镀完成后排出电镀液、移除光阻层，获得具有器件电镀层的晶圆片，本工艺利用晶圆级掩模版曝光显影形成的环状光阻层与密封压环紧密接合，有效避免晶圆片边缘漏出电镀液对后续制程造成影响，提升产品良率。
9、晶圆的电镀方法和晶圆
[简介]：本申请提供了晶圆的电镀方法和晶圆，所述晶圆的电镀方法包括步骤：将晶圆安装于电镀挂具，密封所述晶圆的背面，且使得所述晶圆的背面与所述电镀挂具中的*极接口连接，并使所述晶圆的正面外露；将所述电镀挂具放入到镀槽中，使所述晶圆的正面浸没在所述镀槽的电镀液中；将所述*极接口连通电源的负极，将所述电镀液连通所述电源的正极；开启所述电源，以在所述晶圆的正面形成电镀金属层。本申请，通过以上方式，不需要在晶圆的正面溅射种子层就能实现电镀，简化了工艺步骤，降低了成本。
10、晶圆铜互连的高纯度硫酸铜的制备方法及其电镀铜工艺
[简介]：本技术提供了一种晶圆铜互连的高纯度硫酸铜的配方技术及其电镀铜工艺。该电镀铜工艺中电镀溶液包括以下质量浓度的组分：高纯度硫酸铜100‑200g/L；浓硫酸120‑150g/L；复合整平剂30‑90mg/L；复合润湿剂15‑45mg/L；络合剂0.5‑4g/L；加速剂0.1‑0.5g/L；光亮剂15‑75g/L；走位剂10‑40mg/L；去极化剂15‑45mg/L。使用该技术电镀铜溶液在晶圆上进行电镀，可以获得均匀性优异的铜柱，拱形率低于3%，且适用宽电流密度范围，电流密度范围为0.1‑75ASD。
11、一种应用于晶圆级封装的无氰电镀金配方及其电镀金工艺
12、用于晶圆电镀的无氰电镀金液及其应用和晶圆电镀金的方法
13、一种应用于晶圆级封装的电镀铜溶液及其电镀工艺
14、在芯片晶圆表面进行电镀的方法及其应用
15、晶圆电镀产品的化学镍溶液及化学镀镍工艺
16、晶圆级封装的电镀溶液及电镀工艺
17、一种在半导体晶圆上电镀导电材质的方法
18、一种晶圆深孔电镀前处理润湿方法
19、一种超薄晶圆电镀、化镀整合工艺
20、一种晶圆电镀前处理用摇摆喷淋工艺
21、一种超薄晶圆双面电镀铜厚膜工艺
22、一种适用于晶圆电镀的渗透改善工艺
23、一种晶圆热处理工艺以及晶圆双面电镀工艺
24、用于晶圆级封装超级TSV铜互连材料的电镀铜溶液及电镀方法
25、用于晶圆级封装的电镀锡银合金溶液
26、电镀方法以及晶圆凸块的制备方法
27、一种改善晶圆金属电镀电流导通率的方法及晶圆
28、一种消除晶圆表面电镀空洞缺陷的方法
29、晶圆电镀镍金产品及其制备方法
30、用于晶圆级封装的电镀铜溶液及电镀方法
31、一种减少硅通孔电镀铜后晶圆表面过电镀的方法
32、粘接的晶圆片堆叠和电镀粘接的晶圆片堆叠的方法
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,内容包括具体的配方配比生产制作过程，费用200元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263
