1、具有特定第二半导体膜层的背接触电池及制作方法和应用
[简介]：本技术属于背接触电池技术领域，具体涉及一种具有特定第二半导体膜层的背接触电池及制作方法和应用，包括硅片，在硅片背面交替设置的第一半导体膜层和第二半导体膜层，第一半导体膜层包含隧穿氧化层和N型掺杂多晶硅层，第二半导体膜层包含沿背面向外依次设置的非晶态氧化钼膜层和结晶态氧化钼膜层，结晶态氧化钼膜层的晶化率为60%‑90%，非晶态氧化钼膜层和结晶态氧化钼膜层的厚度之比为1：0.6‑3，且隧穿氧化层的厚度与非晶态氧化钼膜层的厚度的比例为1：5‑30。本技术能兼顾较好的钝化效果和导电效果，从而提升电池转换效率，可用沉积设备成本低，利于产线大规模推广。
2、半导体膜镀覆周边制图与补偿
[简介]：晶片周边处的状态可被表征并可用于调节在镀覆处理期间由堰窃流电极汲取的电流，以产生更均匀的膜厚度。当晶片旋转时，电极可位于镀覆室中且在晶片周缘附近。为了表征密封件上的电触点，可以将具有种晶层的晶片装载到镀覆室中，并且可驱动恒定电流通过电极到晶片上的导电层。随着该电流的电特性，例如驱动恒定电流所需的电压，变化，可生成表征密封件质量或掩模层中的开口的制图。
3、一种石墨烯三元异质结自支撑半导体膜及其制备方法
[简介]：本技术提供了一种石墨烯三元异质结自支撑半导体膜及其配方技术，属于半导体基板材料技术领域。具体合成步骤为：以三聚氰胺为原料与吸波剂机械混匀后，再使用高能微波处理得到石墨相g‑C3N4原料；以微波溶剂热法制备rGO/MoS2复合材料，并在高能微波辐照环境下形成MoS2复合的rGO；rGO/MoS2/C3N4三元异质结的复合是采用微波辅助一锅方案在微波环境中加热形成三元异质结材料；自支撑半导体膜是使用三元异质结材料进行加热辊压后直接得到。本方法制备得到异质结半导体膜易被激发、具有各向异性的电子传导能力，可作为新型半导体膜材料应用在电热、电池、集成电路等功能领域。
4、半导体膜的制造方法
[简介]：一种半导体膜的制造方法，所述方法包括：用分散液涂布基板以形成第一层，所述分散液包含半导体纳米粒子和由以下通式(2)表示的化合物：[化学式3]在所述通式(2)中，X表示‑SH、‑COOH、‑NH2、‑PO(OH)2或‑SO2(OH)，A1表示‑S、‑COO、‑PO(OH)O或‑SO2(O)，并且n是1～3的整数；B2表示咪唑鎓化合物、吡啶鎓化合物、磷化合物、铵化合物或锍化合物，其中由所述通式(2)表示的所述化合物与所述半导体纳米粒子配位，并且将所述第一层中的所述化合物的有机阳离子B2+离子交换为碱金属离子。
5、半导体膜层的刻蚀终点检测方法
[简介]：本技术提供一种半导体膜层的刻蚀终点检测方法，包括：在工艺腔室中对半导体膜层进行刻蚀；利用光发射谱检测法获取所述待检测离子的信号变化曲线；根据信号变化曲线，根据所述待检测离子的信号变化曲线，判断是否到达刻蚀终点；若到达刻蚀终点，则停止刻蚀。本技术通过判断在第一信号转折点之后，是否满足降幅要求、下降是否持续一定的时间以及在第二信号转折点之后，曲线斜率是否满足要求，以上述三点来依次、综合判断是否到达所述半导体膜层的刻蚀终点，避免了传统刻蚀终点检测方法中出现误判而造成刻蚀工艺提前终止的情况，解决了传统刻蚀终点检测方法中出现的杂质残留问题，提高了半导体器件的良率。
6、掺杂半导体膜
[简介]：示例性沉积方法可包括将含硅前驱物和含硼前驱物输送至半导体处理腔室的处理区域。方法可包括用含硅前驱物和含硼前驱物输送含掺杂剂的前驱物。含掺杂剂的前驱物可包括碳、氮、氧或硫中的一者或多者。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域中形成所有前驱物的等离子体。方法可包括在设置在半导体处理腔室的处理区域中的基板上沉积硅和硼材料。硅和硼材料可包括来自含掺杂剂的前驱物的大于或约1原子％的掺杂剂。
7、成膜用掺杂原料溶液的制备方法、层叠体的制造方法、成膜用掺杂原料溶液及半导体膜
[简介]：本技术涉及一种成膜用掺杂原料溶液的配方技术，其特征在于，其包含将溶质不与其他溶剂混合而是首先与第一溶剂混合，从而以与成膜原料另行制备的方式制备掺杂剂前驱体溶液的步骤，其中，所述溶质包含含有卤素的有机掺杂剂化合物或掺杂剂的卤化物，所述配方技术使用酸性溶剂作为所述第一溶剂。由此，可提供一种能够稳定地形成具有优异的电气特性的高品质薄膜的成膜用掺杂原料溶液的配方技术。
8、半导体膜及其制造方法
9、半导体膜
10、半导体膜
11、半导体膜
12、半导体膜
13、用于减少蒸发和降解的处理半导体膜的方法
14、氧化物半导体膜的蚀刻方法
15、氮化物半导体膜的形成方法
16、一种高结晶度半导体膜转移制造方法
17、石墨衬底上的III-V或II-VI化合物半导体膜
18、p型氧化物半导体膜及其形成方法
19、沉积半导体膜的方法
20、溅射靶、氧化物半导体膜的成膜方法以及背板
21、半导体膜和半导体元件
22、氧化物半导体膜、薄膜晶体管、氧化物烧结体以及溅射靶
23、氧化物半导体膜、薄膜晶体管、氧化物烧结体以及溅射靶
24、非晶质氧化物半导体膜、氧化物烧结体以及薄膜晶体管
25、一种基于氧化物半导体膜制备方法
26、氧化物半导体膜及其制造方法
27、金属氮氧化物半导体膜的制造方法及金属氮氧化物半导体膜
28、氧化物烧结体、溅射靶以及氧化物半导体膜
29、薄膜晶体管、氧化物半导体膜以及溅射靶材
30、用于形成n-型氧化物半导体膜的涂布液、n-型氧化物半导体膜制造方法和场效应晶体管制造方法
31、半导体膜的制造方法以及染料敏化太阳能电池
32、溅射靶及氧化物半导体膜以及其制备方法
33、溅射靶及氧化物半导体膜以及其制备方法
34、氧化物半导体膜及其制备方法
35、半导体膜的制备
36、石墨衬底上的Ⅲ-Ⅴ或Ⅱ-Ⅵ化合物半导体膜
37、氧化物半导体膜及其制造方法
38、半导体膜的制造方法、半导体膜制造用原料粒子、半导体膜、光电极以及色素敏化太阳能电池
39、氧化物半导体靶材、氧化物半导体膜及其制造方法、以及薄膜晶体管
40、结晶半导体膜的制造方法
41、用于沉积第III族氮化物半导体膜的方法
42、半导体膜和半导体元件
43、一种运用半导体膜处理废水的方法
44、导电性氧化物及其制造方法以及氧化物半导体膜
45、用于增强III-V半导体膜中的p-型掺杂的方法
46、浆料成分、硫化物半导体膜、太阳能电池及其形成方法
47、溅射靶及氧化物半导体膜
48、半导体膜的气相生长方法
49、形成硫化物半导体膜及其太阳能电池的方法
50、半导体膜以及太阳能电池
51、具有结晶质氧化铟半导体膜的薄膜晶体管
52、结晶性半导体膜的制造方法、带结晶性半导体膜的基板、薄膜晶体管
53、结晶半导体膜的制造方法
54、溅射靶及氧化物半导体膜
55、通过多激光束照射将在基板上形成的半导体膜划分成多个区域的方法
56、具有结晶质氧化铟半导体膜的薄膜晶体管
57、外延生长用基板、GaN类半导体膜的制造方法、GaN类半导体膜、GaN类半导体发光元件的制造方法以及GaN类半导体发光元件
58、光电池及用于该光电池的多孔质半导体膜形成用涂料
59、在基底上制备多孔半导体膜的方法
60、溅射靶及氧化物半导体膜
61、各向异性的半导体膜及其制造方法
62、一种碘化亚铜半导体膜的微波等离子体制备方法
63、使用非晶氧化物半导体膜的薄膜晶体管的制造方法
64、设置有半导体膜的衬底及其制造方法
65、半导体膜的制造方法和光敏元件的制造方法
66、半导体膜的制造方法和光敏元件的制造方法
67、用于结晶化半导体膜的方法和由该方法结晶化的半导体膜
68、干蚀刻氧化物半导体膜的方法
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,内容包括具体的配方配比生产制作过程，费用230元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263。
